今年28奈米營(yíng)收估翻3倍，BNP再升臺(tái)積目標(biāo)價(jià)

時(shí)間：2013-01-06 15:08:19

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 FAB 晶片聯(lián)發(fā)科

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[導(dǎo)讀]晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(3日)收盤(pán)價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而今(4日)股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28奈米制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1

晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(3日)收盤(pán)價(jià)站上101元，沖上近12年來(lái)的最高價(jià)，而今(4日)股價(jià)雖出現(xiàn)回測(cè)，但外資對(duì)臺(tái)積今年展望仍持續(xù)看好。巴黎銀(BNP)出具最新報(bào)告指出，臺(tái)積電今年28奈米制程部分的營(yíng)收，可望提前在Q1就超越40奈米，成為支撐公司營(yíng)運(yùn)的主力，而這也不過(guò)是28奈米開(kāi)始有營(yíng)收貢獻(xiàn)的第7個(gè)季度(相較于當(dāng)初40奈米開(kāi)始量產(chǎn)后，對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)花了13季才超越65奈米)，可見(jiàn)其市場(chǎng)需求的暢旺。而B(niǎo)NP也進(jìn)一步將臺(tái)積電的目標(biāo)價(jià)自原來(lái)的110元調(diào)高至112元，并直指臺(tái)積電今(2013)年來(lái)自28奈米的營(yíng)收，可望跳增為去年的3倍之多。

BNP預(yù)估，28奈米占臺(tái)積電的營(yíng)收，可望從去年的12%，成長(zhǎng)至今年的30%。而如果蘋(píng)果決定在今年就將部分以28奈米HKMG(高介電常數(shù)金屬閘極)制程生產(chǎn)的4核心處理器訂單提前轉(zhuǎn)給臺(tái)積電，以讓雙方于2014年的合作關(guān)系更順暢，臺(tái)積電今年28奈米的成長(zhǎng)幅度則還有上修的空間。

BNP分析，臺(tái)積電已在客戶(hù)下一波朝28奈米制程轉(zhuǎn)移的浪潮中取得良好的戰(zhàn)斗位置，包括高通(Qualcomm)的高階手持裝置基頻晶片(baseband)將會(huì)轉(zhuǎn)向采28奈米HKMG制程生產(chǎn)，而因高通進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換、導(dǎo)致暫時(shí)空出的28奈米polySiON(傳統(tǒng)的多晶矽氮氧化矽)制程產(chǎn)能，則可望被聯(lián)發(fā)科(2454)和展訊(Spreadtrum)的低階智慧型手機(jī)晶片訂單所填滿。尤其聯(lián)發(fā)科在今年初，28奈米polySiON制程的單月晶圓出貨量，就可望達(dá)到5千片12寸晶圓的需求，也將能支撐臺(tái)積電今年Q1相對(duì)不淡。

BNP認(rèn)為，臺(tái)積電今年的產(chǎn)能擴(kuò)充主要仍集中在28奈米HKMG制程(包括新竹的Fab12和中科的Fab15)，以及下一世代的20奈米制程(包括竹科的Fab12和南科的Fab14)。而即使臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前釋出今年資本支出為90億美元的訊息，BNP仍不排除臺(tái)積電今年會(huì)為了加速20奈米產(chǎn)能的布建、為接單蘋(píng)果做好準(zhǔn)備，可能將資本支出進(jìn)一步調(diào)高至100億美元關(guān)卡。