TSMC總裁兼聯(lián)合CEO Mark Liu 在日前的投資者大會上透露，已經(jīng)有20多家客戶與臺積電在洽談7nm代工事宜，預計2017年會有15家客戶完成流片工作。

近日，ARM 宣布已將 Artisan 物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思(Xilinx)公司，制造制程就是TSMC公司的7nm。該晶片明年初流片，不過2018年才會正式上市。

那么7nm制程到底能帶來多大的提升?TSMC 最近公布了部分7nm制程細節(jié)，他們已經(jīng)使用7nm制程試產(chǎn)了 256MB 6T-SRAM 電路，cell單元面積只有0.027mm2，讀寫電壓0.5V，與16nm 相比，裸片尺寸可縮小至43%。包含布線在內(nèi)的柵極密度可提高至約3.3倍，而且速度能提高35～40%，或者削減65%以上的耗電量。并且，7nm工藝和10nm工藝共享95%的設(shè)備，7nm工藝節(jié)點也可以看做是10nm的升級版，但是晶體管密度可以增加超過60%，功耗則降低30-40%。

TSMC現(xiàn)在的工藝是16nm，并將在今年底投產(chǎn)10nm，而三星也會同步從14nm轉(zhuǎn)到10nm，高通的下代旗艦驍龍828/830就會使用三星10nm。

Mark Liu介紹說，TSMC的10nm工藝主要面向移動設(shè)備，7nm則同時面向移動和高性能計算應用——這意味著很多手機處理器會上臺積電10nm，而桌面顯卡只能等7nm。

TSMC的競爭對手Globalfoundries也正計劃轉(zhuǎn)移到7納米工藝制程上，預計在2018年可以量產(chǎn)。三星目前暫時未公開談論7納米工藝的計劃，但更早卻展示過5納米工藝。至于英特爾，之前曾表示7納米會將成一個發(fā)展線路圖上一個重要的節(jié)點，相信會在適當?shù)臅r機公布相關(guān)計劃。