基于硅基微納波導的硅基光子學由于可以實現(xiàn)超小體積、低能耗、CMOS兼容的單片高密度光電集成，已被各國公認為突破計算機和通信超大容量、超高速信息傳輸和處理瓶頸的最理想技術(shù)之一。

日前，中科院半導體研究所在該領域取得世界領先水平的重大技術(shù)突破。半導體所由王啟明院士率先開展硅基光子學研究，近年來在光調(diào)制器及大規(guī)模光開關等方面持續(xù)保持國際一流研究水平。最近，肖希、李智勇、徐浩和李顯堯等青年科研人員在俞育德、余金中和儲濤研究員的指導下，在完成從電到光信號轉(zhuǎn)換功能的光調(diào)制器這一最能代表硅基光子學研究水平的器件的研制上，采用研究組自主首創(chuàng)并被世界公認的插指型反向PN結(jié)光電結(jié)構(gòu)（圖1），在本所集成技術(shù)工程中心和中芯國際公司（SIMC）的大力協(xié)助下，使用國內(nèi)企業(yè)CMOS工藝，研制成功MZI馬赫-曾德干涉器型（圖2）和MRR微環(huán)共振腔型（圖3）兩種全硅波導調(diào)制器，并實驗驗證其最為關鍵的調(diào)制速率雙雙達到44Gbps超高頻調(diào)制速率（達到現(xiàn)有測試系統(tǒng)極限），預計實測調(diào)制速率還有可能通過改進測試系統(tǒng)達到進一步提高。

其中，MRR型調(diào)制器的調(diào)制速率以領先原有世界紀錄達14Gbps之多的水平而躍居世界第一；MZI調(diào)制器因受測試系統(tǒng)限制，目前實測調(diào)制速率也已進入世界前三位，僅次于阿爾卡特-朗訊及英國薩里大學今年剛剛發(fā)表的最新結(jié)果50Gbps。器件的其他指標經(jīng)測試也已達到或超過當今世界一流水平。

本項器件研制工作從創(chuàng)意、設計、制作到測試全程由國內(nèi)青年科技人員完成，具備完全的自主知識產(chǎn)權(quán)。

這些成果的取得標志著中科院半導體研究所在硅基調(diào)制器的研究方面占據(jù)國內(nèi)絕對領先優(yōu)勢，也標志著我國硅基光子學研究研究在關鍵器件的研究上已經(jīng)達到國際領先水平。這為實現(xiàn)超高速、超低功耗的硅基光互連，為我國迎接計算機和通信領域超高速、超大容量信號傳輸和處理的革命性變革奠定了基礎。

該項研究工作主要由中科院知識創(chuàng)新工程重要方向項目資助啟動實施，研究執(zhí)行期間陸續(xù)得到了國家973項目、863項目以及國家自然科學基金的資助。

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