瑞薩科技將涉足藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)

時(shí)間：2010-04-29 13:58:11

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體激光器瑞薩科技輸出功率電流

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[導(dǎo)讀]瑞薩科技宣布將涉足藍(lán)光光盤（BD）用藍(lán)紫色激光器（波長(zhǎng)為405nm）市場(chǎng)。為此，該公司已經(jīng)開始樣品供貨采用新構(gòu)造的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器二極管“NV4A61MF”，特點(diǎn)是能夠在最高85℃下實(shí)現(xiàn)可支持8倍速寫入的350mW光輸出功

瑞薩科技宣布將涉足藍(lán)光光盤（BD）用藍(lán)紫色激光器（波長(zhǎng)為405nm）市場(chǎng)。為此，該公司已經(jīng)開始樣品供貨采用新構(gòu)造的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器二極管“NV4A61MF”，特點(diǎn)是能夠在最高85℃下實(shí)現(xiàn)可支持8倍速寫入的350mW光輸出功率。

此次開始樣品供貨的激光器二極管采用了在氮化鎵（GaN）晶圓內(nèi)部通過成膜技術(shù)制作用于向發(fā)光部傳輸電流的電極，以及激光傳輸通道——光波導(dǎo)的“InnerStripe構(gòu)造”。原來的“脊形波導(dǎo)（RidgeWaveguide）構(gòu)造”從晶圓表面開始，通過干法蝕刻加工形成電極和光波導(dǎo)。此時(shí)會(huì)通過干法蝕刻來加工決定激光器特性的熔覆層（CladLayer），但只能以10nm級(jí)控制蝕刻厚度，這是導(dǎo)致激光器特性不均的原因。而此次的InnerStripe構(gòu)造代替干法蝕刻，采用簡(jiǎn)單的成膜技術(shù)來形成電極和光波導(dǎo)，可以采用成膜技術(shù)中的結(jié)晶成長(zhǎng)法，通過1nm級(jí)來控制膜厚。同時(shí)，為了使電流集中到發(fā)光部而設(shè)置的電流阻擋層材料，采用了散熱性較高、相當(dāng)于激光來說是透明的氮化鋁（AlN）。芯片散熱性改善了20％。

上述改良結(jié)果在激光器特性方面實(shí)現(xiàn)了（1）可在最高85℃的溫度下穩(wěn)定維持350mW（脈沖振蕩）的光輸出功率；（2）從低輸出功率到高輸出功率的范圍內(nèi)，電流和光輸出功率特性均具有出色的直線性；（3）可將播放BD時(shí)的課題——激光器噪聲（輸出功率的起伏）降至1/3以下（比該公司原產(chǎn)品改善了5dB/Hz）等。此外，連續(xù)振蕩時(shí)的光輸出功率為175mW，閾值電流為35mA，工作電流為160mA（75mW連續(xù)振蕩時(shí)），光束發(fā)散角度在水平方向?yàn)?度，在垂直方向?yàn)?9度。

該產(chǎn)品的樣品價(jià)格為2000日元，預(yù)定將從2010年8月開始量產(chǎn)，在2011年夏季將量產(chǎn)規(guī)模提高至100萬個(gè)/月。今后，將在2010年12月投產(chǎn)輸出功率更高的420mW產(chǎn)品（可通過雙層光盤實(shí)現(xiàn)12倍速寫入）。

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