昨日臺(tái)積電（TSMC）在日本召開了新聞發(fā)布會(huì)，此次發(fā)布會(huì)由副總裁JackSun主持，會(huì)上副總裁JackSun宣布了臺(tái)積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。

目前臺(tái)積電主要將精力集中于先進(jìn)的CMOS技術(shù)。并且宣布將會(huì)向?qū)ｉT的封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移，除此以外還包括有模擬電路、RF、電源、圖形感應(yīng)器以及MEMS電路。

臺(tái)積電已經(jīng)與法國半導(dǎo)體法國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)劃，就半導(dǎo)體制造中的無光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作。JackSun表示：“通過加入IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)劃，我們將會(huì)圍繞這項(xiàng)技術(shù)將半導(dǎo)體工業(yè)聯(lián)合起來，加速其在IC生產(chǎn)中的發(fā)展與引進(jìn)速度?！?/P>

同時(shí)根據(jù)介紹，臺(tái)積電將會(huì)在2010年1季度試水28nm工藝，量產(chǎn)將會(huì)在2011年實(shí)現(xiàn)。另外臺(tái)積電還表示將會(huì)至少增加30％的研發(fā)人員數(shù)量，當(dāng)前臺(tái)積電的研發(fā)人員數(shù)量為1800人。與此同時(shí)R&D研發(fā)預(yù)算也將會(huì)增強(qiáng)20％。