電路圖

設計注意事項

Intel 移動電壓定位 6.5 (IMVP-6.5) 規(guī)范為使用此平臺的 Intel® 處理器提供了電源管理信息。德州儀器 (TI) 提供的集成解決方案完全符合專門用在低功耗 CPU 和計算系統(tǒng)的 Intel 集成圖形解決方案中的單相同步 DC/DC 降壓穩(wěn)壓器。TI 電源管理產(chǎn)品中的高級控制功能包含用于加快瞬態(tài)響應、降低輸出電容并提高工作效率的 D-CAP 架構和 OSR 過沖減降功能。其它重要功能包括 5 位圖形 VID 渲染、可調(diào)節(jié)的 VCORE 轉換率控制以及電壓定位。

通過將功率 MOSFET CICLON NexFET™ 技術應用到 TI 電源管理系列，我們現(xiàn)在可以采用行業(yè)標準封裝提供與極低柵電荷耦合的低導通電阻，該封裝呈現(xiàn)了一種通過現(xiàn)有芯片平臺才能實現(xiàn)的前所未有的組合。 NexFET 技術為 N 和 P 通道功率 MOSFET 設備提供了高性能。憑借高輸出電流和低占空比，設計者可在從輕載到滿載的過程中實現(xiàn) 90% 的供電效率，這標志著離散設計取得了巨大突破。

在不損耗功率的情況下使頻率加倍

在用于計算、網(wǎng)絡和服務器系統(tǒng)的同步降壓轉換器電源中，功率 MOSFET 對于提高 DC/DC 效率至關重要。與具有相同導通電阻的行業(yè)標準溝道式功率 MOSFET 相比，NexFET 技術所提供的電荷不及柵電荷 (Qg) 的一半。更低的電荷意味著轉換器可以在維持相同功率損耗的情況下以更高的頻率運行，或者在相同頻率下以更高的效率運行。柵電荷的大量減少使電源開關頻率實現(xiàn)潛在加倍，這將使電源輸出濾波器的尺寸縮減一半，從而節(jié)省寶貴的電路板面積并減少組件數(shù)量，最終達到降低成本的目的。

更低的工作溫度

NexFET 技術能使功率 MOSFET 更高效地運行(工作溫度降低高達 30%)，同時還能讓 MOSFET 驅動器以更低溫度運行。最終結果是工作溫度降低 15%，系統(tǒng)的整體可靠性必將得到提高。