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  • 一文詳解去耦電容和濾波電容的區(qū)別

    在電子電路中，電容器作為一種重要的被動元件，廣泛應(yīng)用于各種場合。其中，去耦電容和濾波電容是兩種常見的應(yīng)用類型。盡管它們在某些方面功能相似，但在具體應(yīng)用場景、作用原理和電路設(shè)計中的位置等方面存在顯著差異。

  • TrendForce集邦咨詢: AI推理催化大容量儲存產(chǎn)品結(jié)構(gòu)性改變，Nearline SSD需求急升

    Sept. 22, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，未來兩年AI基礎(chǔ)設(shè)施的建置重心將更偏向支持高效能的推理(Inference)服務(wù)，在傳統(tǒng)大容量HDD嚴重供不應(yīng)求的情況下，CSP業(yè)者紛紛轉(zhuǎn)向NAND Flash供應(yīng)商尋求解方，催生專為Inference AI(AI推理)設(shè)計的Nearline SSD(近線固態(tài)硬盤)，以滿足市場的迫切需求。

  • 最好的解析！如何選擇合適的電感

    電感是指導(dǎo)線或線圈中，存在電磁感應(yīng)現(xiàn)象所產(chǎn)生的電勢差和電流之比。在電路中，由于電感的存在，會產(chǎn)生阻抗，使得電路流過的電流呈現(xiàn)頻率特性。

  • 組態(tài)屏和串口屏的區(qū)別匯總

    ?組態(tài)屏與串口屏的核心區(qū)別在于功能定位與通信協(xié)議?：組態(tài)屏內(nèi)置組態(tài)軟件，可作為獨立主機運行并支持多協(xié)議交互;串口屏則主要作為顯示終端，遵循特定通信協(xié)議從外部設(shè)備獲取數(shù)據(jù)。

  • 一文搞懂如何測量低阻值器件

    在電子元件的測量中，電阻測量是一項關(guān)鍵技術(shù)。它涉及到對電子元件內(nèi)部電阻的準確測量，以確保元件的性能和質(zhì)量。而低阻測量，則是針對低阻值電子元件的特殊測量方法，其重要性不言而喻。

  • 詳解降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的多樣性與選型技巧

    DC-DC轉(zhuǎn)換器，也被稱為穩(wěn)壓器，其工作原理是通過控制電路對開關(guān)管(二極管或三極管)進行控制，利用電感線圈和電容等元器件的協(xié)同作用，將輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值上。這種通過開關(guān)動作進行電壓轉(zhuǎn)換的特性，使得DC-DC轉(zhuǎn)換器在降壓、升壓和升降壓等多種操作中都能發(fā)揮出色。特別是在降壓方面，DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用場景極為廣泛，任何需要將系統(tǒng)電壓降低至可用水平的場合，都需要它的參與。此外，在復(fù)雜的配電系統(tǒng)中，通過多次DC-DC降壓轉(zhuǎn)換操作，不僅可以提高系統(tǒng)效率，還能簡化整體架構(gòu)。

  • 深入分析電感與電流的關(guān)系

    電感量與電流之間的關(guān)系受到多種因素的影響。首先，電感器的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸等參數(shù)會影響電感量的大小。其次，環(huán)境溫度、磁場強度等外部條件也會對電感量產(chǎn)生影響。此外，電路中的其他元件，如電阻、電容等，也會與電感器產(chǎn)生相互作用，從而影響電感量與電流之間的關(guān)系。

  • 詳解鋁基板不會短路的原因

    在鋁基板中，絕緣層最為關(guān)鍵，是鋁基板最核心的技術(shù)，既要粘合銅箔，又要具有良好的導(dǎo)熱性，因為鋁基板絕緣層是熱傳導(dǎo)的最大障礙，如果銅箔的熱傳導(dǎo)得不快，鋁基板就會失去意義。

  • 詳解判斷集成電路IC是否“偷懶”的方法

    在進行集成塊直流電壓或直流電阻測試時要規(guī)定一個測試條件，尤其是要作為實測經(jīng)驗數(shù)據(jù)記錄時更要注意這一點。通常把各電位器旋到機械中間位置，信號源采用一定場強下的標準信號。當(dāng)然，如能再記錄各功能開關(guān)位置，那就更有代表性。

  • 鋰電池的過充過放問題解決辦法

    鋰電池過放是指電池在放電過程中，電壓降至過低的狀態(tài)。過放會導(dǎo)致電池內(nèi)部的正負極材料發(fā)生不可逆的變化，從而影響電池的容量和性能。同時，過放還可能引發(fā)電池內(nèi)部短路或熱失控等安全問題。雖然過放狀態(tài)下電池也有可能發(fā)生析鋰現(xiàn)象，但相較于過充，其風(fēng)險相對較低。

  • 一文深入分析功率MOS管會被燒毀的原因

    MOS 管在工作過程中會產(chǎn)生一定的熱量，尤其是在大功率應(yīng)用場景中，熱量的積累如果不能及時散發(fā)出去，會使 MOS 管的結(jié)溫不斷升高。當(dāng)結(jié)溫超過其額定結(jié)溫時，MOS 管的性能會受到嚴重影響，甚至?xí)?dǎo)致器件損壞。散熱不良可能是由于散熱片選型不當(dāng)、散熱片與 MOS 管之間的導(dǎo)熱硅脂涂抹不均勻、電路板的散熱設(shè)計不合理等原因造成的。

  • 電磁干擾問題解決的方法

    電磁干擾，這一電子器件中的常見問題，究竟是如何產(chǎn)生的呢?干擾的形成機制相當(dāng)復(fù)雜，主要分為共模和差模兩種方式。共模干擾，簡單來說，就是由場磁感應(yīng)等傳輸實驗所引發(fā)，對受試設(shè)備和線路都會產(chǎn)生影響。

  • 超詳細解析！PCB真空蝕刻技術(shù)

    PCB蝕刻技術(shù)概述PCB蝕刻技術(shù)是指在印制電路板制造過程中，通過腐蝕性化學(xué)藥液對面板上的銅箔進行刻蝕，從而實現(xiàn)線路和圖形的制作。該技術(shù)涉及水平式噴淋蝕刻、水平式真空蝕刻、垂直蝕刻以及浸潤蝕刻等技術(shù)類型。

  • 嵌入式系統(tǒng)與單片機區(qū)別對比詳解

    單片機的存儲空間與嵌入式處理器相比，確實不在一個量級。單片機通常僅配備幾KB的片內(nèi)存儲，且由于外設(shè)限制，難以大幅增加如eMMC等外設(shè)。而嵌入式處理器則通常擁有幾百兆的RAM，這種嵌入式處理器具備更大存儲能力，支持更多應(yīng)用程序，特別是在網(wǎng)絡(luò)和圖形處理方面。

  • 一文搞懂單片機程序該如何優(yōu)化

    對程序進行優(yōu)化，通常是指優(yōu)化程序代碼或程序執(zhí)行速度。優(yōu)化代碼和優(yōu)化速度實際上是一個予盾的統(tǒng)一。一般是優(yōu)化了代碼的尺寸，就會帶來執(zhí)行時間的增加;如果優(yōu)化了程序的執(zhí)行速度，通常會帶來代碼增加的副作用。很難魚與熊掌兼得，只能在設(shè)計時掌握一個平衡點。

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