晶圓的缺陷與成因

晶圓分為無圖案晶圓(Bare Wafer)和圖案晶圓(Patterned wafer)?？紤]兩種晶圓的缺陷類型的出發(fā)點(diǎn)有些不同。晶圓表面的缺陷類型很多，既有可能是工藝產(chǎn)生也有可能材質(zhì)本身的缺陷。

晶圓的檢測技術(shù)

半導(dǎo)體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求，一般是要求高效準(zhǔn)確，能夠捕捉有效缺陷，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測。

晶圓的分層劃片過程

硅片劃片方法主要有金剛石砂輪劃片、激光劃片。

晶圓的拋光過程

隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來越小，互連層數(shù)越來越多，晶圓直徑也不斷增大。要實(shí)現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù)，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。

晶圓的性能參數(shù)

硅晶圓和硅太陽能電池分別是半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件的典型代表。半導(dǎo)體特性參數(shù)衡量和表征材料及其器件的性能。

集成電路制造流程

芯片制造工藝

從20世紀(jì)30年代開始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利(William Shockley)認(rèn)為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀(jì)40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。

封裝技術(shù)的發(fā)展

集成電路的介紹與分類

集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC;或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學(xué)中是一種將電路(主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動(dòng)組件等)小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。

集成電路的介紹與發(fā)展

最先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的核心，可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。

5G應(yīng)用領(lǐng)域

以5G為代表的新一代信息通信技術(shù)與工業(yè)經(jīng)濟(jì)深度融合，為工業(yè)乃至產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化發(fā)展提供了新的實(shí)現(xiàn)途徑。

5G無線關(guān)鍵技術(shù)與性能指標(biāo)

5G國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)重點(diǎn)滿足靈活多樣的物聯(lián)網(wǎng)需要。

5G簡介與發(fā)展

第五代移動(dòng)通信技術(shù)（5th Generation Mobile Communication Technology,簡稱5G）是具有高速率、低時(shí)延和大連接特點(diǎn)的新一代寬帶移動(dòng)通信技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)人機(jī)物互聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。

CPU性能衡量

性能衡量指標(biāo)對于CPU而言，影響其性能的指標(biāo)主要有主頻、 CPU的位數(shù)、CPU的緩存指令集、CPU核心數(shù)和IPC(每周期指令數(shù))。

CPU發(fā)展歷史

CPU出現(xiàn)于大規(guī)模集成電路時(shí)代，處理器架構(gòu)設(shè)計(jì)的迭代更新以及集成電路工藝的不斷提升促使其不斷發(fā)展完善。