固定電阻器的選用有多種類型,選擇哪一種材料和結(jié)構(gòu)的電阻器,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。高頻電路應(yīng)選用分布電感和分布電容小的非線繞電阻器。
電阻材料制成的、有一定結(jié)構(gòu)形式、能在電路中起限制電流通過作用的二端電子元件。阻值不能改變的稱為固 定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。
穩(wěn)態(tài)不唯一用刀開關(guān)斷開直流電路時(shí),由于電弧的非線性使這時(shí)的電路出現(xiàn)由不同起始條件決定的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)——一個(gè)有電弧,因而電路中有電流;另一個(gè)電弧熄滅,因而電路中無電流。線性電路通常只有一個(gè)穩(wěn)態(tài)。
雙口網(wǎng)絡(luò)(two-port network) 只具有兩個(gè)外接端口的電路,又稱二端口網(wǎng)絡(luò)。
模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)需要經(jīng)過信號(hào)的采樣、信號(hào)的保持、信號(hào)的量化與信號(hào)的編碼四個(gè)基本步驟。
模擬信號(hào)是指用連續(xù)變化的物理量所表達(dá)的信息,如溫度、濕度、壓力、長度、電流、電壓等等,我們通常又把模擬信號(hào)稱為連續(xù)信號(hào),它在一定的時(shí)間范圍內(nèi)可以有無限多個(gè)不同的取值。
改良西門子法生產(chǎn)多晶硅工藝設(shè)計(jì)中大致細(xì)分為以下幾個(gè)工序:H2制備與凈化、HCl合成、SiHCl3合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、SiHCl3氫還原、還原尾氣干法分離、SiCl4氫化、氫化氣干法分離、硅芯制備及產(chǎn)品整理、廢氣及殘液處理等。
改良西門子法多晶硅生產(chǎn)的西門子工藝,其原理就是在1100℃左右的高純硅芯上用高純氫還原高純?nèi)葰涔?,生成多晶硅沉積在硅芯上。改良西門子工藝是在傳統(tǒng)的西門子工藝的基礎(chǔ)上,同時(shí)具備節(jié)能、降耗、回收利用生產(chǎn)過程中伴隨產(chǎn)生的大量H2、HCI、SiCI4等副產(chǎn)物以及大量副產(chǎn)熱能的配套工藝。世界上絕大部分廠家均采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
當(dāng)前光伏正面臨著兩大歷史性的拐點(diǎn):第一是從歐洲市場轉(zhuǎn)向中美日市場;第二是從政府補(bǔ)貼逐漸轉(zhuǎn)向平價(jià)上網(wǎng)。
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
光的干涉在薄膜光學(xué)中廣泛應(yīng)用。光學(xué)薄膜技術(shù)的普遍方法是借助真空濺射的方式在玻璃基板上涂鍍薄膜,一般用來控制基板對入射光束的反射率和透過率,以滿足不同的需要。
塑料包裝及塑料包裝產(chǎn)品在市場上所占的份額越來越大,特別是復(fù)合塑料軟包裝,已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于食品、醫(yī)藥、化工等領(lǐng)域,其中又以食品包裝所占比例最大,比如飲料包裝、速凍食品包裝、蒸煮食品包裝、快餐食品包裝等,這些產(chǎn)品都給人們生活帶來了極大的便利。
化學(xué)氣相沉積裝置最主要的元件就是反應(yīng)器。
化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)。