·20年來晶體管接觸和互聯(lián)的金屬材料首度重大變革，消除了7納米節(jié)點及以下的主要性能瓶頸

·芯片設(shè)計人員現(xiàn)在可以用鈷取代鎢和銅，性能提升幅度將高達15%

·應用材料公司獨特的集成解決方案在Endura®平臺上整合了干法清潔、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)以及化學氣相沉積(CVD)，可以幫助客戶快速采用鈷

應用材料公司日前宣布其在材料工程方面取得重大突破，該技術(shù)可大幅提升大數(shù)據(jù)和人工智能時代的芯片性能。

過去，把少量易于集成的材料根據(jù)經(jīng)典的摩爾定律來微縮加工就可以改善芯片性能、功耗和面積/成本(PPAC)。而如今，諸如鎢和銅之類的材料已無法在10nm代工節(jié)點以下進行微縮，因為它們的電學性能已達到晶體管通孔和本地互連的物理限制。這已經(jīng)成為無法發(fā)揮FinFET晶體管全部性能的主要瓶頸。鈷消除了這一瓶頸，但也需要在工藝系統(tǒng)上進行策略的改變。隨著業(yè)界將器件結(jié)構(gòu)微縮到極限尺寸，材料的性能表現(xiàn)會有所不同，因而必須在原子層面系統(tǒng)地進行工程，通常需要在真空環(huán)境下進行。

為了能夠在晶體管接觸和互聯(lián)使用鈷作為新的導電材料，應用材料公司已在Endura®平臺上整合了多個材料工程步驟：預清潔、PVD、ALD以及CVD。此外，應用材料公司還推出了一套集成的鈷套件，其中包括Producer®平臺上的退火技術(shù)、Reflexion® LK Prime CMP平臺上的平坦化技術(shù)、PROVision™平臺上的電子束檢測技術(shù)。憑借這項經(jīng)過驗證的集成材料解決方案，客戶可以縮短其產(chǎn)品投放市場的時間，并提高7納米制程及以下的芯片性能。

應用材料公司半導體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁珀拉布∙拉賈(Prabu Raja)博士表示：“五年前，應用材料公司就預計晶體管接觸和互聯(lián)會有所變革，因此我們開始開發(fā)替代的材料解決方案，借此突破10納米制程的限制。應用材料公司匯集其化學、物理、工程和數(shù)據(jù)科學領(lǐng)域的專家，深入探索應用材料公司的廣泛技術(shù)，為業(yè)界開創(chuàng)突破性的集成材料解決方案。隨著大數(shù)據(jù)和人工智能時代的來臨，這樣的變革將會越來越多。我們很高興能夠與客戶盡早開展更為深入的合作，從而幫助客戶加速其發(fā)展藍圖并助力實現(xiàn)那些我們曾夢寐以求的高性能器件。”

雖然在集成方面仍具挑戰(zhàn)，但鈷為芯片性能及芯片制造帶來了顯著的好處——在較小的尺寸下實現(xiàn)更低更穩(wěn)定的電阻;可在非常精細的尺寸下改進材料填充;能提高材料可靠性。應用材料公司集成的鈷套件目前正發(fā)往世界各地的晶圓代工廠/邏輯芯片客戶手中。