近日，工信部公示了集成電路領域4項國家標準，主要集中在存儲器測試方面。另外，近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工，中芯國際40nm ReRAM高端存儲芯片已經(jīng)出樣。可見，集成電路領域研發(fā)和行業(yè)標準規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。

總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后，年產(chǎn)值將超過100億美元，實現(xiàn)我國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

據(jù)介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設計、技術研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展。

存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。

從全球范圍看，中國也正面臨著加速發(fā)展國產(chǎn)芯片業(yè)的重要窗口期。一方面，國際上半導體產(chǎn)業(yè)已趨于成熟，國際資本介入半導體產(chǎn)業(yè)的腳步顯著放緩，全球芯片市場近兩年持續(xù)萎縮，唯有中國區(qū)域市場例外;另一方面，摩爾定律放緩，但制造工藝還在前行，且投資不斷加大，這正好符合我國半導體產(chǎn)業(yè)投資并購的急切需求。從國內(nèi)環(huán)境分析，除了沉淀出來的PC以及完整的供應鏈市場外，智能手機也在加速洗牌，機型也處于不斷升級的過程之中。同時，智能家居、智能汽車、智能機器人、虛擬現(xiàn)實等已處在暴發(fā)的前夜，還有接踵而至的5G、萬物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、區(qū)塊鏈等新業(yè)態(tài)，無不形成了對芯片的超大需求。

支撐國產(chǎn)芯片業(yè)的軟硬環(huán)境也正在顯著改善。據(jù)國際知名專利檢索公司QUESTEL的最新報告，過去18年，全球芯片專利數(shù)量增長了6倍，而我國芯片專利量則增長了23倍，以芯片專利申請數(shù)量論，我國已躍居世界第一大國，并連續(xù)5年蟬聯(lián)全球第一。在政策層面，除設立了總規(guī)模近1400億的國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金外，上海，武漢、合肥、長沙、珠海、杭州、無錫等地相繼跟進成立了地方性產(chǎn)業(yè)投資基金。據(jù)國際半導體設備與材料協(xié)會預測報告，2016至2017年間，全球確定新建的晶圓廠有19座，中國占了10座。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，雖然目前設備國產(chǎn)化仍處于初期，需要投入大量人力、財力、物力，但隨著國產(chǎn)設備大量投入使用，將使得我國芯片制造的設備采購成本降低25%左右。業(yè)內(nèi)專家透露，集成電路技術40多年來一直按照摩爾定律規(guī)律發(fā)展，即每隔18個月技術更新一代。每一代技術的更新可使芯片集成度提高1倍，電路性能提高40%。隨著摩爾定律近年來逐漸逼近極限，裝備國產(chǎn)化對于提升我國集成電路行業(yè)競爭力將起到巨大作用。

數(shù)據(jù)顯示，我國一年制造11.8億部手機、3.5億臺計算機、1.3億臺彩電，牢牢占據(jù)世界第一，我國也由此成為全球最大的芯片需求市場，每年消耗全球54%的芯片，但國產(chǎn)芯片自給率則不足三成，市場份額不到10%。這也就是說，我國“芯”90%以上依賴進口，其中2016年前10個月進口芯片花費1.2萬億元人民幣，為原油進口支出的兩倍，超過鐵礦石、鋼、銅和糧食這四大戰(zhàn)略物資的進口費用之和。

“受制于人”的被動局面，不僅讓不少我國企業(yè)承受著巨大的專利扼制之痛，而且也時刻威脅著國民經(jīng)濟以及企業(yè)經(jīng)營的安全，極大限制了我國企業(yè)在國際市場的獲利能力。為此，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》提出，到2020年我國半導體產(chǎn)業(yè)年增長率不低于20%。同時，《中國制造2025》明確提出了2020年我國芯片自給率要達到40%，2025年要達到50%的標桿。而工信部的相關實施方案則更提出了新目標：10年內(nèi)力爭實現(xiàn)70%芯片自主保障且部分達到國際領先水平。業(yè)內(nèi)人士表示，行業(yè)標準的推出將有助于我國芯片國產(chǎn)化的進程加速。