21ic訊 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.）日前宣布：即日起推出其用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動(dòng)高性能（HPM）工藝技術(shù)的DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）。Synopsys的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)專為提供高性能、低漏電及動(dòng)態(tài)功率而設(shè)計(jì)，使工程師們能夠優(yōu)化其整個(gè)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)的速度與能效，這種平衡在移動(dòng)應(yīng)用中至關(guān)重要。與DesignWare STAR Memory System®的嵌入式測(cè)試與修復(fù)技術(shù)相結(jié)合，Synopsys的嵌入式存儲(chǔ)器和標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)先進(jìn)、全面的IP解決方案，可生成高性能、低功耗的28納米SoC，并降低了測(cè)試與制造成本。

“作為一家為各種移動(dòng)計(jì)算設(shè)備提供處理器和圖形器件的供應(yīng)商，我們依靠Synopsys來(lái)提供驗(yàn)證過(guò)的、高質(zhì)量的IP，它幫助我們?cè)跐M足嚴(yán)苛的功率預(yù)算的條件下，同時(shí)可提供更高水平的性能。”AMD公司資深存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)經(jīng)理Spencer Gold說(shuō)道，“在我們采用65、55和40納米工藝的產(chǎn)品中，有許多已經(jīng)采用了DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器并取得了流片成功，而最近又將這種成功延伸到28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。通過(guò)利用Synopsys IP中一種先進(jìn)的功率管理模式的組合，我們能夠在性能不打折扣的情況下，實(shí)現(xiàn)功耗的顯著降低。”

“作為一家面向移動(dòng)和消費(fèi)性設(shè)備開發(fā)高清視頻解決方案的領(lǐng)先廠商，在我們的移動(dòng)多媒體處理器SoC設(shè)計(jì)中，借助能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗的技術(shù)極為重要”，Movidius公司IC開發(fā)總監(jiān)Brendan Barry說(shuō)道。“性能每?jī)?yōu)化一瓦特，對(duì)于我們?cè)谥T如移動(dòng)3D等應(yīng)用中的成功都很關(guān)鍵。DesignWare邏輯庫(kù)通過(guò)高效的綜合，給我們帶來(lái)快速的關(guān)鍵時(shí)序路徑收斂和用多溝道單元修復(fù)漏電流。 此外，DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器獨(dú)特的功率管理功能，如淺層休眠模式，可將存儲(chǔ)器的漏電功率降至一半，已經(jīng)幫助我們?cè)谌阅軡M足我們性能指標(biāo)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了能源的顯著節(jié)省。”

新的DesignWare IP擴(kuò)展了Synopsys豐富的、包括高速低功率存儲(chǔ)器和標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)的產(chǎn)品組合，其發(fā)貨量已經(jīng)超過(guò)了十億片芯片，并可支持從180納米到28納米一系列代工廠與工藝。DesignWare 28納米邏輯庫(kù)利用多種閾值變量與柵極長(zhǎng)度偏移組合，來(lái)為多樣化的SoC應(yīng)用提供最佳性能與功率消耗。這些邏輯庫(kù)提供多樣的、易于綜合的單元集及布線器友好的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)架構(gòu)，它們專為基于最小的芯片面積和高制造良品率的數(shù)GHz級(jí)性能而設(shè)計(jì)。功率優(yōu)化包（POK）為設(shè)計(jì)師提供了先進(jìn)的功率管理能力，它們由廣受歡迎的低功耗設(shè)計(jì)流程支持，包括關(guān)斷、多電壓和動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整（DVFS）。

將高速度、高密度和超高密度組合在一起的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器，為設(shè)計(jì)師在其SoC中所用的每個(gè)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)性能、功率和面積的平衡帶來(lái)了靈活性。對(duì)于諸如移動(dòng)設(shè)備等功率敏感應(yīng)用，所有的Synopsys 28納米存儲(chǔ)器都整合了源偏壓和多種功率管理模式，可明顯地減少漏電與動(dòng)態(tài)功率消耗。Synopsys的超高密度兩端口靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和16Mbit單端口SRAM編譯器，相比于標(biāo)準(zhǔn)的高密度存儲(chǔ)器可進(jìn)一步降低面積尺寸和漏電高達(dá)40%，可使SoC開發(fā)者實(shí)現(xiàn)融合了高性能、小體積和極低功耗的差異化存儲(chǔ)器。

DesignWare STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)，在與Synopsys的嵌入式存儲(chǔ)器集成后，可提供比傳統(tǒng)的附加式內(nèi)置自測(cè)試（BIST）和修復(fù)方案更小的面積和更快的時(shí)序收斂，同時(shí)還提供流片后調(diào)試和診斷性能。這縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間、降低了測(cè)試成本并提高了制造良品率。

 “作為任何SoC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)單元，標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)和嵌入式存儲(chǔ)器在性能方面扮演著重要的角色，最終功率和面積的優(yōu)化可在芯片完成過(guò)程中就得以實(shí)現(xiàn)”，Synopsys IP和系統(tǒng)市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁John Koeter說(shuō)道。“Synopsys經(jīng)芯片生產(chǎn)驗(yàn)證的嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)集成套件，可使SoC設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠?qū)崟r(shí)微調(diào)其整個(gè)芯片，以用盡可能最小的功率消耗來(lái)獲得最大的性能。通過(guò)將我們的邏輯庫(kù)與處理器產(chǎn)品組合擴(kuò)展到TSMC 28納米HP和HPM工藝，Synopsys將使設(shè)計(jì)者能夠充分利用這些工藝的速度和功率特性。因此，他們能更好地滿足用更低的風(fēng)險(xiǎn)和更快地進(jìn)入量產(chǎn)來(lái)達(dá)到其創(chuàng)造真正差異化產(chǎn)品的目標(biāo)。”

供貨
用于TSMC的28HP和28HPM工藝的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)是DesignWare Duet Package的一部分，它包括各種SRAM、ROM、標(biāo)準(zhǔn)單元、功率優(yōu)化包（POK）和過(guò)驅(qū)動(dòng)/低電壓PVT。用于TSMC的28HP和28HPM工藝的Duet Package現(xiàn)已可供貨。