全球一號代工廠臺積電宣布了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產。

今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術。

而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應用EUV，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險、加速投產，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機Twinscan NXE。

7nm EVU相比于7nm DUV的具體改進公布得還不多，臺積電只說能將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。

如今在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術的可靠和成熟，為后續(xù)量產打下了堅實基礎。

臺積電沒有透露這次流片成功的芯片來自哪家客戶，但是想想各家和臺積電的合作關系，其實不難猜測。

7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達14個層上應用EUV，首次全面普及，號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80%從而將芯片面積縮小45%，還可以同功耗頻率提升15%，同頻功耗降低20%。

2019年4月，臺積電的5nm EUV工藝將開始風險性試產，量產則有望在2020年第二季度開始，正好滿足后年底各家旗艦新平臺。

臺積電5nm工藝的EDA設計工具將在今年11月提供，因此部分客戶應該已經開始基于新工藝開發(fā)芯片了。

隨著半導體工藝的急劇復雜化，不僅開發(fā)量產新工藝的成本大幅增加，開發(fā)相應芯片也越來越費錢，目前估計平均得花費1.5億美元，5nm時代可能要2-2.5億美元。