晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會，會中決議核準(zhǔn)約新臺幣1,364億元(約合人民幣305億元)資本預(yù)算，用來興建廠房及建置新產(chǎn)能，以因應(yīng)市場強(qiáng)勁需求，并將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外，臺積公告聘任史丹佛大學(xué)電機(jī)工程系終身職教授黃漢森為技術(shù)研究組織主管，也為近期業(yè)界傳出的“臺積電9月將有新人事異動”增添想象。

臺積電創(chuàng)辦人張忠謀退休后，由劉德音接任董座，魏哲家則擔(dān)任副董事長暨總裁。近期業(yè)界傳出，劉、魏兩人的職權(quán)劃分將更明確，預(yù)計在9月進(jìn)行人事改組。其中，業(yè)界點名副總經(jīng)理王建光可望主管晶圓廠營運(yùn)，副總經(jīng)理王英郎將統(tǒng)籌所有12英寸廠營運(yùn)。

在制程研發(fā)部份，臺積電董事會昨核準(zhǔn)聘任黃漢森為副總經(jīng)理。黃漢森將擔(dān)任技術(shù)研究組織(Corporate Research)主管，并直接對資深副總經(jīng)理米玉杰負(fù)責(zé)。黃漢森擁有美國理海大學(xué)(Lehigh University)電機(jī)工程博士學(xué)位，在加入臺積電前，在史丹佛大學(xué)擔(dān)任電機(jī)工程系終身職教授多年。另外，他在IBM半導(dǎo)體部門也有16年的工作經(jīng)驗。

業(yè)界人士指出，黃漢森擅長新型態(tài)的存儲器技術(shù)研發(fā)，由于現(xiàn)階段嵌入式快閃存儲器eFlash制程技術(shù)面臨瓶頸，黃漢森應(yīng)可帶領(lǐng)臺積電朝向新一代的嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)前進(jìn)，包括嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲器eMRAM技術(shù)，或是嵌入式電阻式存儲器eRRAM技術(shù)等。

臺積電昨董事會也決議核準(zhǔn)約新臺幣1,364億元資本支出，內(nèi)容包括興建廠房，建置、擴(kuò)充及升級先進(jìn)制程產(chǎn)能等，以及第四季研發(fā)資本預(yù)算與經(jīng)常性資本預(yù)算。

臺積電明年最大的投資案，就是在南科興建的5納米12英寸晶圓廠Fab 18，該廠總投資額達(dá)250億美元。臺積電7納米已全面量產(chǎn)，支援極紫外光(EUV)技術(shù)的7+納米已完成研發(fā)，將在明年量產(chǎn)。至于再下一個世代的5納米研發(fā)順利進(jìn)行中，應(yīng)可如預(yù)期在2020年進(jìn)入量產(chǎn)。