因競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電、三星陸續(xù)在2018 年挺進(jìn)7 納米先進(jìn)制程，格芯(GLOBALFOUNDRIES)日前也宣布，該公司的7 納米制程不但在測(cè)試良率已提升到65%，未來將按照時(shí)程使用EUV 技術(shù)的商用和普及，并與客戶AMD 展開合作。根據(jù)格芯先前公布，7 納米制程將在2018 年推出，并在年底量產(chǎn)。

根據(jù)格芯全球銷售和業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁Mike Cadigan 日前在中國(guó)上海舉辦的GTC 技術(shù)大會(huì)演講表示，隨著5G 即將開始商用，資料傳輸?shù)乃俣仍絹碓礁撸謾C(jī)需要滿足高速且大量的資料傳輸，需要不同以往的射頻元件。在高性能運(yùn)算需求方面，格芯將提供FinFET 制程，從14LPP 到12LP，再到7LP 等各節(jié)點(diǎn)的制程技術(shù)。

格芯首席技術(shù)長(zhǎng)兼全球研發(fā)高級(jí)副總裁Gary Patton 指出，目前7 納米制程的7LP EUV 技術(shù)已有積極進(jìn)展。7 納米LP 制程預(yù)期將比14 納米制程效能提升40%、功耗降低60%。目前，7 納米測(cè)試良率已經(jīng)提高到65%，將按計(jì)劃進(jìn)行EUV 技術(shù)的商用和普及，并且與客戶AMD 合作。

Gary Patton 坦言，在EUV 技術(shù)上，格芯的7 納米制程確實(shí)面臨很多挑戰(zhàn)，包括如何進(jìn)一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題，必須努力克服才能投入大規(guī)模量產(chǎn)，目標(biāo)是將良率提高到95%。格芯目前采取分階段采用EUV 技術(shù)的策略，第一階段將不采用光罩防塵膜(pellicle)，第二階段才會(huì)使用。

格芯進(jìn)一步指出，其新開發(fā)的7 納米FinFET 制程技術(shù)充分利用了其在14 納米FinFET 制程技術(shù)上的大量制造經(jīng)驗(yàn)，該技術(shù)于2016 年初2 月8 日開始在Fab 8 晶圓廠中正式生產(chǎn)之后，格芯已為廣大的客戶提供了「一次便成功」的設(shè)計(jì)。

為了加快7LP 的量產(chǎn)進(jìn)度，格芯正在持續(xù)投資最新的研發(fā)設(shè)備能力，包括在2017 年下半年首次購(gòu)入兩組極端紫外線(EUV)光刻工具。不過，7LP 的初始量產(chǎn)的性能提升將依賴傳統(tǒng)的光刻方式，而當(dāng)具備大量生產(chǎn)條件之際，將逐步使用EUV 光刻技術(shù)。

除了先進(jìn)制程，傳統(tǒng)的成熟制程一般很難滿足所有應(yīng)用的要求，物聯(lián)網(wǎng)(IOT)對(duì)低功耗的要求更高，因此低功耗高性價(jià)比要求的應(yīng)用，格芯也針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)通信、射頻芯片提供22FDX、12FDX 等制程解決方案。

Gary Patton 指出，目前格芯20、22 納米已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，且2018 年底前已有15 個(gè)設(shè)計(jì)定案，并陸續(xù)有135 家客戶展開初期接觸。他指出，目前12FDX 性能已經(jīng)90% 達(dá)到目標(biāo)，預(yù)計(jì)2018 年下半年進(jìn)入試產(chǎn)，2019 年上半年正式量產(chǎn)。

格芯在中國(guó)的布局方面，受矚目的成都晶圓廠Fab 11(11 廠)廠房施工建設(shè)歷時(shí)8 個(gè)多月，一期廠房即將于11 月初封頂，項(xiàng)目進(jìn)展十分順利。預(yù)計(jì)在2018 年完工時(shí)，將成為中國(guó)境內(nèi)最大的晶圓廠，并成為中國(guó)最先進(jìn)12 寸晶圓廠之一。同時(shí)，F(xiàn)ab 11 也將成為格芯 22FDX 制程的生產(chǎn)中心。

預(yù)計(jì)先期Fab 11 會(huì)以生產(chǎn)0.13 微米到0.18 微米的主流成熟技術(shù)產(chǎn)品為主，每月產(chǎn)能為20,000 片。到2019 年下半年，將進(jìn)行高度差異化的22FDX(FD-SOI)制程量產(chǎn)，屆時(shí)產(chǎn)量將提高至每月65,000 片。