日韓突發(fā)貿(mào)易戰(zhàn)，引得存儲器價格狂漲，普通消費者叫苦不迭。這背后，究竟隱藏著怎樣的陰謀陽謀?潮流向左，DIY 向右。在這個電子產(chǎn)品日新月異的時代，總有些極客玩家喜歡特立獨行，自己擺弄些 DIY 產(chǎn)品。DIY 全稱 Do it Yourself ，中文翻譯過來即是“自己動手做”。一般而言，DIY 黨樂于發(fā)揮自己的聰明才智，發(fā)動主觀能動性改造、組裝機械和電子產(chǎn)品。在 PC 市場上，DIY 一定程度上代表了攢機。

所謂攢機，指的是組裝電腦。之所以選擇組裝機，主要是因為組裝機配置靈活、性價比高，能滿足消費者的個性化需求，而價格卻是同等配置品牌機的一半甚至更低。追求畫面的就選好顯卡，愛玩游戲就買強處理器，炫酷機箱、個性鍵盤隨意挑選……攢機愛好者可以根據(jù)需求折騰出花樣繁多的攢機配置。

有人說，時下的組裝電腦已成為無人問津的小眾愛好。究其原因，電腦一體機、筆記本電腦漸趨流行，使用大體積、不便攜的臺式機的用戶減少;其次，在電腦品牌化過程中，品牌機在功能和外觀領(lǐng)域做優(yōu)做強，相同配置下，品牌機與組裝機的價差越來越小，與其費心費力攢機，還不如直接買一臺品牌臺式電腦。

確實，隨著品牌臺式機日漸成熟，方便快捷的筆記本電腦和智能手機，足以滿足大部分用戶工作娛樂需求，攢機正成為少數(shù) DIY 愛好者的個性選擇。不過近些年來，內(nèi)存價格始終縈繞在攢機黨心中，成為 DIY 裝機者的最大噩夢。

內(nèi)存漲跌“波浪線”

眾所周知，科技界有個著名的摩爾定律：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換句話說，相同性能的數(shù)碼硬件，每隔 18-24 個月就會便宜許多。然而，內(nèi)存芯片類產(chǎn)品并非如此，受到市場影響，內(nèi)存價格始終上下波動。

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲器”，是半導體行業(yè)三大支柱之一。一直以來，攢機界最關(guān)心的都是 CPU 與 GPU ，這些運行處理硬件決定了組裝機性能的上限。而如何將這些性能完美的發(fā)揮出來，存儲芯片提供的讀取速度能力就將是重要影響因素之一。存儲芯片整個市場中 DRAM 產(chǎn)品占比約 53%，NAND Flash 產(chǎn)品占比約 42% ，Nor Flash 占比僅有 3% 左右。

縱觀過去幾年時間“存儲器”市場的行情，你會發(fā)現(xiàn)“存儲器”的漲跌規(guī)律像一條波浪線循環(huán)著：2012 年前后白菜價、2013 年大漲價、2014 年有所回落、2015 年接近低谷、2016 年中旬開始持續(xù)上揚、2017 年 、2018 年到達頂點、2019 年有所回落。到今年 4 月份，“存儲器”的價格相比去年年末已經(jīng)下跌 30% 以上了， DRAM 產(chǎn)品的價格甚至創(chuàng)下三年多以來的新低。

導致年初內(nèi)存跌價的原因有很多，內(nèi)存產(chǎn)量增大、大數(shù)據(jù)中心需求降低都是原因之一。按照內(nèi)存漲跌“波浪線”的規(guī)律，每當內(nèi)存開始跌價，內(nèi)存工廠總會有意外事件發(fā)生。2013 年，“海力士半導體”無錫工廠發(fā)生火災，大火產(chǎn)生的濃煙數(shù)十公里外可見。因火災導致DRAM價格走升、也就造就了 2013 年內(nèi)存價格的大漲。

2016 年，內(nèi)存價格再次萎靡不振。三星、美光、SK 海力士、東芝等廠商同時開始技術(shù)升級，內(nèi)存轉(zhuǎn)向 20nm 以下制程、閃存也從 2D 閃存轉(zhuǎn)向 3D 閃存，并不斷提升堆棧層數(shù)。升級過程中，產(chǎn)能大幅下降，一定程度上催生了連續(xù)三年的內(nèi)存大漲價。

意外不斷，噩夢再臨

今年上半年，內(nèi)存價格大幅滑落。按以往慣例，內(nèi)存廠家又開始秀操作。6 月 15 日，日本四日市工廠的意外停電，影響西部數(shù)據(jù)和東芝存儲器公司 NAND 閃存制造廠的生產(chǎn)運營，預計此事件將導致 NAND 閃存晶圓供應量減少六百萬 TB 。

與此同時，三星也在醞釀減產(chǎn)。不過令所有人沒想到的是，在三星正式減產(chǎn)之前，一件預料之外的事情發(fā)生了。7 月初，由于政治糾紛，日本政府開始管控向韓國出口 3 種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料。

日本政府制裁對三星 NAND 閃存生產(chǎn)造生了巨大影響，目前已縮減 NAND Flash 投片，減產(chǎn)幅度逾二成。內(nèi)存業(yè)者分析，三星占全球 NAND 市場 30% 份額，此次縮減逾二成產(chǎn)出，等于全球?qū)p少 6% 到 8% 供應量，加上東芝 NAND 工廠上月受意外停電影響，產(chǎn)能影響 3% 供應量，合計本月起，全球 NAND 產(chǎn)出將減少近一成。于是，內(nèi)存漲價便順理成章。

7 月初以來，DDR4 8GB、DDR4 4GB 以及 DDR3 4GB、DDR3 2GB 顆?，F(xiàn)貨價格一直在漲。內(nèi)存業(yè)者透露，此次日韓貿(mào)易戰(zhàn)，將造成強大的 NAND 搶貨潮，帶動價格進一步反彈。若日韓貿(mào)易談判再僵持，下個季度 DRAM 合約價也將止跌反彈，出現(xiàn) NAND 與 DRAM 兩大內(nèi)存“雙漲”效應。一時間， DIY 裝機者的最大噩夢再度降臨。

誰將受益?

存儲器漲價，利益受損的肯定是包括 DIY 裝機者在內(nèi)的廣大消費者。那么，誰又會成為最后的贏家呢?據(jù)證券時報報道，三星現(xiàn)已率先對工廠顧客漲價，漲價涉及的品類為 DDR3、EMMC 和 Nand Flash。特別是三星 8GB、16GB EMMC 最近價格漲幅較大，均在 10% 左右。短期來看，明明是日本制裁韓國，反倒讓被制裁的三星成為了最大受益者。

當然，三星的現(xiàn)狀是暫時的。據(jù)悉，三星的原料備貨僅夠一兩個月使用。三星電子副會長李在镕在日本啟動對韓出口限制措施后，第一時間赴日尋求原料供應。據(jù)韓國報道：“李在镕這次訪日并未解決任何關(guān)于材料供應的問題。三星電子的相關(guān)部門確實通過集思廣益、到處打聽，得到了一些供貨，可以解決眼下之急，但目前還不足以完全安心”。

目前，全球 75% 的 DRAM 產(chǎn)能和 45% 的 NAND 產(chǎn)能都來自于韓國公司三星和 SK 海力士。很多人認為，一旦韓系廠商內(nèi)存供應出問題，那么大家的訂單將會轉(zhuǎn)向非韓系廠商，促成另外的廠商業(yè)績大增，同時營收大漲?，F(xiàn)在，除三星、SK 海力士外，最大的內(nèi)存廠商就是美光了，一旦日韓貿(mào)易戰(zhàn)拖延過久，美光勢必會成為最大的受益者。

另外，中國公司的 DRAM 和 NAND 生產(chǎn)線正在緊鑼密鼓的建設(shè)中。據(jù)介紹，合肥長鑫 19nm 工藝 8Gb LPDDR4 內(nèi)存將在今年年底建成投產(chǎn);福建晉華 DRAM 工廠將在 2020 年建成投產(chǎn);武漢長江存儲也已完成武漢廠的建設(shè)，并有限投產(chǎn) 32 層 NAND 產(chǎn)品。若是三星、SK 海力士兩大行業(yè)巨頭受困于日韓貿(mào)易戰(zhàn)，市場會出現(xiàn)巨大產(chǎn)能缺口，這些都將是中國廠家的機會。

無論是陰謀還是陽謀，存儲器產(chǎn)品價格上漲的趨勢已然形成。DIY 玩家心中就是再難受，也不得不接受。畢竟，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)還是賣家市場，市場上的風吹草動都能成為內(nèi)存廠家漲價的理由，普通消費者完全沒有話語權(quán)。