[導讀]英特爾擬大舉擴充閃存產能 欲重做全球龍頭
本報訊 英特爾已擬定一個計劃，將大舉擴充閃存生產線，計劃2004年產能將達2003年的3倍以上。
英特有關人士表示，為拿回全球閃存市占第一，正積極進行擴充產能動作，除計劃在2004年將閃存產能提升為2003年的3倍以外，更將持續(xù)進行擴產動作，計劃在2006年將閃存產能提升為2003年的10倍以上。
臺灣廠商表示，英特爾積極擴充閃存產能，主要是沖著三星而來，近來三星全面擴產NOR型與NAND型閃存產能的動作，讓英特爾如坐針氈，再加上包括FASL(超微與富士通的合資公司)、海力士、英飛凌、意法微電子及東芝等業(yè)者，近來亦致力擴充閃存產能，迫使英特爾痛下決心、全面展開反擊。（宗禾）
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