IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET
IR 推出一系列150V和 HEXFET功率,為模式電源 () 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。
與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比,IR 150V 提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款 的閘電荷,則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。
這些新款MOSFET達(dá)到工業(yè)級(jí)別及第一級(jí)濕度感應(yīng)度 () 。它們采用、、TO262、和封裝,皆為無(wú)鉛設(shè)計(jì),并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。