宜普電源轉換公司(EPC)與工程師分享經過專業(yè)制作的6個視頻，展示出在最終客戶端的應用，例如無線充電桌面、高性能激光雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換，以及利用氮化鎵晶體管及集成電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.cn)制作了6個精簡視頻，展示出在最終客戶端采用eGaN® FET及集成電路的應用。這些視頻描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式，并挑戰(zhàn)功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中，發(fā)揮高效氮化鎵場效應晶體管及集成電路的優(yōu)勢。

采用eGaN技術的應用的演示視頻包括：

1.APEC 2017: 基于氮化鎵技術的應用

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMTA1OTk0MA==.html

宜普電源轉換公司(EPC)于國際著名功率電子與應用研討會(APEC 2017)展示出超過25種應用，它們都采用了改變我們生活方式的氮化鎵技術。在本視頻，EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow與我們分享在EPC展位上所展出采用氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路的多種應用，包括于2 x 3英尺的桌面上以無線充電方式對多個設備同時供電。

2.剪斷電源線!基于氮化鎵技術的無線充電桌面

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzAwNjY0OA==.html

EPC公司首次展示在桌面上可以同時對多個設備進行無線充電。本視頻描述在該桌面上，我們可以同時對筆記本電腦、電視顯示屏、Google Home、Amazon Alexa、臺燈及手機進行無線充電。氮化鎵技術不僅僅是對手機進行無線充電，而是可以對我們的智能家居進行無線充電。

3. 面向激光雷達應用的氮化鎵驅動器

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMjk4MTI1Ng==.html

相比日益老化的MOSFET器件，目前氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)及集成 電路的開關速度快十倍。高速開關使得LiDAR系統具備優(yōu)越的分辨率、更快速反應時間及更高準確性等優(yōu)勢。這種技術迅速被各種需要更高準確性的應用所采用，例如自動駕駛汽車及擴增實境系統。。

4.在48 V - 1.8 V DC/DC轉換采用GaN FET 與MOSFET的比較

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzEyNzI4OA==.html

EPC公司最新一代的工藝再一次擊敗硅基MOSFET功率元件，實現更高性能的元件而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本視頻展示出100 V 的GaN FET與等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、占板面積小很多、功耗低30%及提高功率密度達3倍。

5.在150 V - 12 V DC/DC轉換采用GaN FET 與MOSFET的比較

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMzE3MDEyNA==.html

EPC的產品再一次擊敗硅基MOSFET功率元件，實現更高的性能而同時縮小元 件的尺寸及降低成本。本視頻展示出200 V的 GaN FET與等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、大大減小占板面積(器件小型化達15倍)、功耗低出40%及提高功率密度達3倍。

6.馬達驅動器應用

http://v.youku.com/v_show/id_XMjczMTMyMzMwOA==.html

本視頻展示出德州儀器公司的48 V、10 A、三相位的氮化鎵逆變器參考設計，采用了LMG5200器件。 基于氮化鎵的解決方案具有更優(yōu)越的散熱特性/模式 – 不需散熱器、更低的電感可以縮小器件的尺寸及更輕盈。這個參考設計可實現難以置信的98.5% 效率。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：「這些精簡視頻展示出在最終客戶端的應用中，目前采用高效氮化鎵場效應晶體管及集成電路或由它們提升性能。我們希望這些視頻可以激發(fā)具備創(chuàng)新性思維、前瞻性眼光的功率系統工程師，利用氮化鎵產品的優(yōu)勢，開發(fā)創(chuàng)新的解決方案?！?/p>

觀看各種氮化鎵應用的演示視頻，可以在EPC網站的視頻庫看到，或點擊以上的優(yōu)酷視頻鏈接。