中國(guó)的DC-DC變換器設(shè)計(jì)研發(fā)和制造起步相對(duì)較晚，在最近幾年中才開(kāi)始逐漸的在一些技術(shù)領(lǐng)域追趕上國(guó)際化的步伐。就目前國(guó)內(nèi)的轉(zhuǎn)換器研發(fā)速度和方向側(cè)重點(diǎn)來(lái)看，專(zhuān)家預(yù)測(cè)，未來(lái)三年內(nèi)我國(guó)的變換器發(fā)展將會(huì)繼續(xù)呈現(xiàn)出高頻化、軟開(kāi)關(guān)和數(shù)字化趨勢(shì)，其中，高頻化和數(shù)字化研發(fā)領(lǐng)域很可能成為一段時(shí)間內(nèi)國(guó)內(nèi)廠家的重點(diǎn)發(fā)展方向。

高頻化

我國(guó)的DC-DC變換器新品研發(fā)，早在2009年開(kāi)始就已經(jīng)向高頻發(fā)的方向開(kāi)始轉(zhuǎn)移。自上個(gè)世紀(jì)80年代以來(lái)，新型高頻功率半導(dǎo)體器件如功率MOSFET和IGBT的開(kāi)發(fā)，使實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源高頻化有了可能。從而使中小型開(kāi)關(guān)電源工作頻率可達(dá)到1MHz的水平。超快恢復(fù)功率二極管以及MOSFET同步整流技術(shù)的開(kāi)發(fā)也為高效、低電壓輸出(3V 以下)開(kāi)關(guān)電源的研制有了可能?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)的部分高校和實(shí)驗(yàn)室正探索研制耐高溫的高性能碳化硅功率半導(dǎo)體器件，相信新型半導(dǎo)體器件的研發(fā)將會(huì)為高頻化的實(shí)現(xiàn)提供更堅(jiān)固的保障。

軟開(kāi)關(guān)

軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的研發(fā)，徹底改變了傳統(tǒng)的硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)思路，這一技術(shù)也正在成為國(guó)內(nèi)生產(chǎn)商和研發(fā)工程師的重點(diǎn)關(guān)注對(duì)象之一。軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的應(yīng)用使高效率、高頻開(kāi)關(guān)變換器的實(shí)現(xiàn)有了可能，而使用小功率軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的電源效率可提高到80-85% 。70 年代諧振開(kāi)關(guān)電源奠定了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)。以后新的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)不斷涌現(xiàn)，如準(zhǔn)諧振、移相全橋ZVS—PWM、恒頻ZVS—PWM/ ZCS—PWM、ZVS—PWM 有源箝位、ZVT—PWM/ ZCT—PWM、全橋移相ZVS—ZCS—PWM 等。

數(shù)字化

數(shù)字化是國(guó)際上的主流研發(fā)趨勢(shì)，它正在逐步取代模擬信號(hào)在處理技術(shù)中的地位。目前國(guó)內(nèi)的DC-DC轉(zhuǎn)換器大多都已經(jīng)采用了數(shù)字信號(hào)技術(shù)，數(shù)字信號(hào)、數(shù)字電路的研發(fā)也顯得越來(lái)越重要。目前數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)日趨完善成熟，這一技術(shù)也在日常應(yīng)用中顯示出越來(lái)越多的優(yōu)點(diǎn)：便于計(jì)算機(jī)處理控制、避免模擬信號(hào)的畸變失真、減小雜散信號(hào)的干擾(提高抗干擾能力)、便于軟件包調(diào)試和遙感遙測(cè)遙調(diào)等。由此可見(jiàn)，數(shù)字化將會(huì)成為一段時(shí)間內(nèi)國(guó)內(nèi)電子技術(shù)創(chuàng)新的一大主流趨勢(shì)。