單晶片半橋式氮化鎵功率晶體管EPC2100獲得著名電子雜志頒發(fā)“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”，在競爭激烈的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品類別中被評選為極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的單片半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管榮獲《Electronics Products》雜志頒發(fā)2014年“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。

面向電子設(shè)計(jì)工程師的業(yè)界著名雜志《Electronics Products》的編輯對數(shù)千個(gè)于2014年推出的半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行評選。評審標(biāo)準(zhǔn)包括極具創(chuàng)新性的設(shè)計(jì)、產(chǎn)品在技術(shù)或應(yīng)用方面具備重大的創(chuàng)新能力，以及在性價(jià)比和性能方面取得重大成果。宜普電源轉(zhuǎn)換公司的半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管作為業(yè)界第一個(gè)可作商業(yè)用途的增強(qiáng)型單晶半橋式晶體管在競爭激烈的分立式半導(dǎo)體類別獲得“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”殊榮。

“EPC2100半橋產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)了新興氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)的大躍進(jìn)。”《Electronics Products》雜志高級(jí)編輯Paul O’Shea說。“通過集成兩個(gè)eGaN功率場效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件可以除去印刷電路板上器件之間的相連電感及空隙。 這樣可以提高效率(尤其是器件在更高頻工作時(shí))及增加功率密度并同時(shí)減低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。”

“我們非常榮幸獲得業(yè)界著名雜志《Electronics Products》的備受尊崇編輯群的支持，評審選出EPC2100氮化鎵(eGaN)半橋產(chǎn)品系列及頒發(fā)“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。此項(xiàng)殊榮是對新興氮化鎵技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位予以肯定。我們深信硅基MOSFET在發(fā)展進(jìn)程上已經(jīng)走到盡頭，而eGaN技術(shù)將繼續(xù)帶領(lǐng)業(yè)界提升功率管理產(chǎn)品的性能并實(shí)現(xiàn)革命性的突破。”宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說道。

2014年“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”項(xiàng)于《Electronics Products》雜志2014年1月刊宣布并刊載了關(guān)于每一個(gè)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品的特稿及摘要。詳情請瀏覽該雜志網(wǎng)站，網(wǎng)址為http://www.electronicproducts.com/Discrete_Semiconductors/Transistors_Diodes/First_GaN_half_bridge_transistor_integrates_two_GaN_FETs.aspx

《Electronics Products》雜志的第39屆“年度產(chǎn)品大獎(jiǎng)”選出2014年度業(yè)界最佳產(chǎn)品。

關(guān)于EPC2100 單片半橋式eGaN產(chǎn)品

EPC2100半橋式硅基氮化鎵(eGaN®)功率晶體管是業(yè)界第一個(gè)可作商業(yè)用途的增強(qiáng)型單晶半橋式晶體管，為功率系統(tǒng)工程師提供一個(gè)可以提高全降壓型轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的效率及功率密度的解決方案，并在10 A輸出電流時(shí)實(shí)現(xiàn)接近93%的效率;以及推動(dòng)12 V轉(zhuǎn)1.2 V的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)工作在500 kHz、25 A輸出電流時(shí)實(shí)現(xiàn)超過90.5%的效率。

關(guān)于Hearst Electronics Group

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡介

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com.cn )是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器 、 無線電源傳送 、 包絡(luò)跟蹤 、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學(xué)遙感技術(shù)(LiDAR) 及 D類音頻放大器 等應(yīng)用，器件的性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

商標(biāo)

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。