在實際的應(yīng)用中，電子系統(tǒng)會遇到一些超低壓差的BOOST變換器，如基于USB供電的系統(tǒng)，由于考慮到USB線上的壓降，會采用一個升壓的BOOST變換器，將電壓升到5V以上，如5.15V，5.2V或5.25V。通常USB口由于輸出負(fù)載的影響以及主機USB電源管理功能的差異，其電壓會在
IDC發(fā)布2019年全年全球服務(wù)器市場數(shù)據(jù)， 2019年全球服務(wù)器出貨量和銷售額分別為1174萬臺和873億美元，同比輕微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服務(wù)器市場的銷售額前三名分別為戴爾、HPE、浪潮，戴爾銷售額同比下降6.9%，份額為17.8%，HPE銷售額下降8.4%，份額為1
輸出短路保護(hù)固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護(hù)效果會降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式，雖然保護(hù)效果好，但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無法恢復(fù)正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCDC變換器，輸出短路時，固定折返頻率為正常工作頻率的1/16，系統(tǒng)進(jìn)入到非連續(xù)工作模式。
美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）？
輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個開關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。
2020年全球分立IGBT器件主要供應(yīng)商中，排名前10的分別為：Infineon，F(xiàn)ujiElectric，Mitsubishi，ON，Toshiba，ST，Littlefuse，RenesasElectronics，MagnaChip，HangzhouSilan。2020年全球...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過時，將產(chǎn)生JF...
2020年全球IGBT模塊主要供應(yīng)商中，排名前10的供應(yīng)商分別為：Infineon，F(xiàn)ujiElectric，Mitsubishi，Semikron，Vincotech，Starpower，Hitachi，Danfoss，HitachiABBPGS和Bosch。2020年全球IG...
IGBT數(shù)據(jù)表中連續(xù)集電極電流IC，也稱為直流集電極電流，先對比一下二家不同公司的額定電流相同的IGBT產(chǎn)品（10A/600V）的數(shù)據(jù)表，可以看到標(biāo)稱的連續(xù)集電極電流IC的差異。廠家1：廠家2：在數(shù)據(jù)表中，25℃和100℃時，二個標(biāo)稱相同額定電流的IGBT，IC并不相同。那么，I...
最近一些工程師朋友和讀者留言詢問，說微信公眾號里面看不到以往的文章，作者檢查后發(fā)現(xiàn)主要問題是：微信公眾號主頁面下方的菜單（圖1中最下方紅色方框部分），點擊菜單后，對應(yīng)的鏈接出現(xiàn)了問題，出現(xiàn)“該內(nèi)容已被發(fā)布者刪除”的提示，如圖4所示，估計最近微信公眾號更新系統(tǒng)是導(dǎo)致這個問題的原因。...
2020年，功率MOSFET和IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期依然非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET和IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET和IGBT的市場供給仍然處于非常緊張的狀態(tài)，這種狀況一直持續(xù)到2021年。OMDIA、Yole及其他的...
2020年，功率MOSFET/IGBT產(chǎn)能非常緊缺，交貨周期非常長。下游需求旺盛，功率MOSFET/IGBT原廠和晶圓代工廠多次上調(diào)價格，由于受到產(chǎn)能的限制，功率MOSFET市場供給仍然處于緊張的狀態(tài)，一直持續(xù)到2021年。IHS、Yole及其他的一些全球著名市場研究機構(gòu)，在其年...
?4、PCM功率MOSFET的性能要求離子電池的容量從早期的600mAh、1000mAh到現(xiàn)在，高達(dá)6000mAh、10000mAh，為了實現(xiàn)更快的充電速度，降低充電時間，通常采用提高電流、使用大電流充電的快充技術(shù)，那么，大電流充電，對電池包內(nèi)的功率MOSFET就提出了更高的技術(shù)...
實際的應(yīng)用中，DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件，都會在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮，然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上，加強散熱。理論上，PCB板銅皮鋪的面積越大，總熱阻就越低，器件的溫升就越低。由于PCB板上其他元件及PCB本身尺...
佳木秀
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Tronlong創(chuàng)龍
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大有可為
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江蘇勇敢的心
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