三相混合式多細(xì)分步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

本文根據(jù)正弦電流細(xì)分驅(qū)動(dòng)的原理，設(shè)計(jì)出三相混合式多細(xì)分步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。系統(tǒng)采用電流跟跟蹤和脈寬調(diào)制技術(shù)，使用電機(jī)的相電流為相位相差120°的正弦波。該驅(qū)動(dòng)器解決了傳統(tǒng)步進(jìn)電機(jī)低速振動(dòng)大、有共振區(qū)、噪音大等

效率高達(dá)94%的電源參考設(shè)計(jì)（飛兆）

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC 電源參考設(shè)計(jì)，可讓設(shè)計(jì)人員更輕松地開發(fā)滿足嚴(yán)苛能效法規(guī)要求的高效率電源。RD212 參考設(shè)計(jì)采用零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù)，提供了高效率 (高達(dá)94%) 和低噪聲

新型電力電子技術(shù)功率模塊特征與應(yīng)用

1 應(yīng)用智能型功率模塊勢(shì)在必行 功率模塊有助于大功率應(yīng)用實(shí)現(xiàn)可靠的集成化系統(tǒng)布局。智能型功率模塊將分立功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動(dòng)器集成到一個(gè)封裝中，能夠減少在設(shè)計(jì)上花費(fèi)的時(shí)間和精力，保證其電器產(chǎn)品擁有可

熱敏電阻及其原理應(yīng)用

熱敏電阻器是敏感元件的一類，按照溫度系數(shù)不同分為正溫度系數(shù)熱敏電阻器(PTC)和負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器(NTC)。熱敏電阻器的典型特點(diǎn)是對(duì)溫度敏感，不同的溫度下表現(xiàn)出不同的

無刷直流電機(jī)控制器MC33035的原理及應(yīng)用

文中介紹了MC33035的特點(diǎn)功能和工作原理，給出了由它組成的三相六步全波電機(jī)控制和H型電機(jī)有刷控制等兩種電機(jī)控制電路。

基于MSP430單片機(jī)的開關(guān)穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)

通用光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用

簡(jiǎn)要介紹了光纖在大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的典型應(yīng)用，以及光電器件的選型。

Actel數(shù)模結(jié)合FPGA的遠(yuǎn)程控制器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)在基于Actel公司最新數(shù)模結(jié)合Fusion系列的FPGA內(nèi)嵌入2個(gè)8051 IP軟核，分別用于系統(tǒng)管理和參數(shù)采集、控制。通過擴(kuò)展外圍設(shè)備實(shí)現(xiàn)了多種參數(shù)設(shè)置及數(shù)據(jù)掉電保護(hù)，可測(cè)量家庭交流電壓和電流、煙霧濃度、燃?xì)鉂舛葯z測(cè)、溫度等，并具有報(bào)警功能，可進(jìn)行多種測(cè)量參數(shù)打印，通過網(wǎng)絡(luò)模塊和電話模塊還可實(shí)現(xiàn)對(duì)家用電器遠(yuǎn)程開關(guān)控制等功能。

電容感應(yīng)式觸摸開關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)

電容感應(yīng)式觸摸開關(guān)，需要穩(wěn)定的單火線電源處理以及穩(wěn)定可靠的觸摸感應(yīng)芯片，做到在各種不同的工作條件下，開關(guān)的靈敏性必須與多種情況相兼容。

保險(xiǎn)絲的主要作用是什么？

熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。最早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明，由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重，所以，最初是將它用 保險(xiǎn)絲來保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。保險(xiǎn)絲

一種新型的蓄電池充放電綜合控制設(shè)備

由于軍事應(yīng)用中一些不斷電設(shè)備耗能較大，因而普遍采用串連電池組的模式避免過高的電流。串連電池組的充放電與單一電池的充放電有所不同，電池組內(nèi)不同電池的差異如果不被重視就會(huì)造成電池組使用效率降低，減少蓄電池

LED 前景光明

背景 在種類繁多的照明應(yīng)用中，LED 的采用勢(shì)頭持續(xù)強(qiáng)勁。這種始終如一的強(qiáng)勁勢(shì)頭意味著，提供 LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 的模擬 IC 供應(yīng)商會(huì)有良好的業(yè)務(wù)勢(shì)頭。在過去一年中，高亮度 (HB) LED 達(dá)到了一些關(guān)鍵的性能標(biāo)準(zhǔn)，這導(dǎo)致

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流組件，不過，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在

半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)

通用測(cè)試 電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏

Rds(on)開關(guān)隨溫度變化概述

現(xiàn)在的電子元?dú)庖娫絹碓礁咝?，直接比較為半導(dǎo)體技術(shù)提供的總體性能數(shù)據(jù)有時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。像Rds(on)這樣的參數(shù)在動(dòng)態(tài)條件下(如溫度)的可變性揭示了這個(gè)故事更加復(fù)雜。