控制EMI的方法有許多種，包括屏蔽、濾波、隔離、鐵氧體磁環(huán)、信號(hào)邊沿控制以及在PCB中增加電源和GND層等等。就電源而言，傳統(tǒng)方法是通過(guò)減慢開(kāi)關(guān)邊沿或降低開(kāi)關(guān)頻率。
電磁干擾主要是傳導(dǎo)干擾和輻射干擾，傳導(dǎo)干擾是在輸入和輸出線上流過(guò)的干擾噪聲，來(lái)源于差模電流噪聲和共模電流噪聲;輻射干擾是通過(guò)空間輻射的干擾噪聲，來(lái)源于電場(chǎng)發(fā)射和磁場(chǎng)發(fā)射，它們之間可以相互轉(zhuǎn)換。
在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電磁干擾(EMI)問(wèn)題備受關(guān)注。
在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)與地之間并聯(lián)RC緩沖器(C=1nF-10nF，R=1Ω-10Ω)，通過(guò)阻尼消耗振蕩能量。緩沖電阻功率需按P=0.5·C·V2·Fsw計(jì)算，確保長(zhǎng)期可靠性。
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。
IGBT是一個(gè)發(fā)熱源，其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。
高性能磁性材料是具有高磁能積和矯頑力的材料，用于制造各種磁性設(shè)備。高性能磁性材料是一類具有高磁能積和矯頑力的材料，可以產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng)，廣泛應(yīng)用于電力機(jī)械、電子、信息、通信、航空、國(guó)防等領(lǐng)域。
當(dāng)被保護(hù)線路的電壓超過(guò)預(yù)定的最大值時(shí)，過(guò)電壓保護(hù)機(jī)制會(huì)使電源斷開(kāi)或使受控設(shè)備的電壓降低，從而保護(hù)設(shè)備免受損害。
通過(guò)不斷比較實(shí)際輸出與期望輸出之間的誤差，并將該誤差作為輸入信號(hào)進(jìn)行修正，反饋控制可以使系統(tǒng)更加穩(wěn)定和精確地達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)。
無(wú)論是在音樂(lè)制作、會(huì)議系統(tǒng)還是廣播系統(tǒng)中，它都發(fā)揮著不可或缺的作用。讓我們一起來(lái)揭開(kāi)音頻處理器的神秘面紗吧!
MATLAB仿真顯示，在100%負(fù)載擾動(dòng)下系統(tǒng)調(diào)整時(shí)間小于2ms 。該技術(shù)也被應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)，通過(guò)五臺(tái)單機(jī)并聯(lián)實(shí)現(xiàn)72KW穩(wěn)壓輸出 。
反饋控制輸出管的作用主要體現(xiàn)在?調(diào)節(jié)系統(tǒng)輸出?，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出信號(hào)與目標(biāo)值的偏差，動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)參數(shù)以維持穩(wěn)定性和精度。
脈沖( Pulse)通常是指電子技術(shù)中經(jīng)常運(yùn)用的一種像脈搏似的短暫起伏的電沖擊(電壓或電流)。主要特性有波形，幅度，寬度和重復(fù)頻率。
傳導(dǎo)干擾外文名為conductedinterference，是指通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)將一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合(諧波干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)的行為現(xiàn)象，它可以說(shuō)是衡量電磁兼容(EMC)水平的一種特性。
每輸入一個(gè)脈沖信號(hào)，轉(zhuǎn)子就轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度或前進(jìn)一步，其輸出的角位移或線位移與輸入的脈沖數(shù)成正比，轉(zhuǎn)速與脈沖頻率成正比。
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