最初的TPS82671全集成降壓轉(zhuǎn)換器模塊為全系列器件打開了銷路。這一系列器件將全部所需無源組件包含在2.3mm x 2.9mm封裝內(nèi)。你無需添加輸入電容器、輸出電容器、功率電感器或反饋電阻器;這一切都已經(jīng)包含在內(nèi)!圖1顯示的是MicroSiP器件。

圖1：MicroSiP器件包括全部所需組件

TI所具備的集成半導(dǎo)體IC和機械基板的共同設(shè)計能力使其能夠在1.6A TPS8268180 (435W/cm3) 系列和3A TPS82085 (1370W/cm3) 系列內(nèi)提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度。

TPS8268180在最小尺寸封裝內(nèi)提供最高電流，并且具有針對光模塊等通信設(shè)備的低噪聲。特別是在光模塊中，用模塊化的電源節(jié)省任一小塊兒的印刷電路板 (PCB) 空間將為整個系統(tǒng)增加額外通道或數(shù)據(jù)吞吐量—可實現(xiàn)立竿見影的產(chǎn)品銷售優(yōu)勢。目前，輸入電壓范圍可以適應(yīng)5V電源，在無數(shù)的工業(yè)系統(tǒng)中可實現(xiàn)更大的靈活性。

近期，采用3A MicroSiL封裝的TPS82085可實現(xiàn)針對固態(tài)硬盤 (SSD) 和測試與測量設(shè)備的最高功率密度。這一款工業(yè)友好型封裝的安裝方式與四方扁平無引線 (QFN) 封裝相類似，而與之前MicroSiP的焊錫凸塊不同。由于只集成了IC和功率電感器，MicroSiL可以在大約35mm2的總體解決方案尺寸內(nèi)實現(xiàn)高電流。對于SSD來說，如此小的電源為存儲器騰出了更多的空間，而這也是終端用戶選擇購買SSD的原因所在。

此外，也請不要忘記用于可穿戴和醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用的創(chuàng)新型TPS82740。雖然它在功率密度方面并未贏得任何獎項(它只是一款200mA器件)，不過說它在6.7mm2 內(nèi)封裝了最關(guān)鍵的功能性卻是實至名歸。只需想像一下你可以用所有這些組件為整個電源解決方案實現(xiàn)哪些功能，在10μA以下負(fù)載情況下，用360nA IQ 的靜態(tài)電流實現(xiàn)高效率，用于消除電池毫安級關(guān)鍵泄露的負(fù)載開關(guān)，一個經(jīng)RF優(yōu)化的省電模式，在無需線性穩(wěn)壓器和其它組件的情況下，直接為射頻供電。