新款350V GaN功率晶體管

時(shí)間：2019-08-11 20:18:44

關(guān)鍵字： epc 功率晶體管電流電源新品

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[導(dǎo)讀]EPC2050尺寸僅為1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2)，因而設(shè)計(jì)人員無(wú)需再在尺寸和性能之間做出取舍。鑒于EPC2050小巧的體積，采用高效率半橋驅(qū)動(dòng)器的柵極驅(qū)動(dòng)器占用的面積比同類硅解決方案小五倍。盡管其芯片級(jí)封裝尺寸較小，但EPC2050能夠比塑料封裝的MOSFET更高效地處理

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，Efficient Power Conversion(EPC，美國(guó)宜普電源轉(zhuǎn)換公司)近日發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050，具有65微歐最高導(dǎo)通電阻(RDS(on))以及26A脈沖輸出電流。應(yīng)用包括電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和多電平轉(zhuǎn)換器配置，例如用于電信或服務(wù)器電源的3電平400 V輸入到48 V輸出LLC轉(zhuǎn)換器。

EPC2050芯片，1.95 mm x 1.95 mm

EPC2050尺寸僅為1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2)，因而設(shè)計(jì)人員無(wú)需再在尺寸和性能之間做出取舍。鑒于EPC2050小巧的體積，采用高效率半橋驅(qū)動(dòng)器的柵極驅(qū)動(dòng)器占用的面積比同類硅解決方案小五倍。盡管其芯片級(jí)封裝尺寸較小，但EPC2050能夠比塑料封裝的MOSFET更高效地處理散熱問(wèn)題。

EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow稱：“350 V EPC2050的問(wèn)世，使硅技術(shù)和eGaN技術(shù)在性能和成本方面的差距進(jìn)一步放大，它相比同類硅MOSFET的尺寸縮小了幾乎20倍!”

開(kāi)發(fā)板

EPC9084開(kāi)發(fā)板最大器件電壓350 V，半橋采用EPC2050和Silicon Labs Si8274GB1-IM柵極驅(qū)動(dòng)器。這款51 mm x 38 mm電路板專為實(shí)現(xiàn)最佳開(kāi)關(guān)性能而設(shè)計(jì)，包含所有關(guān)鍵組件，便于評(píng)估350 V EPC2050 eGaN FET。

價(jià)格與供貨

EPC2050 eGaN FET批量售價(jià)(1000顆)為3.19美元/顆，EPC9084開(kāi)發(fā)板的售價(jià)為118.75美元。