為了了解如何使用數(shù)學(xué)函數(shù)，請(qǐng)考慮使用集成MOSFET MAX5976熱插拔器件，它內(nèi)部集成了MOSFET開關(guān)元件，電流檢測(cè)和驅(qū)動(dòng)器電路，從而構(gòu)成了完整的電源開關(guān)電路。該測(cè)試方法還適用于由分立元件構(gòu)成的熱插拔控制電路，將示波器探頭連接到圖1中的熱插拔電路，可以使示波器訪問計(jì)算所需的信號(hào)。電壓探頭連接到電路的輸入和輸出，從而在MOSFET上提供壓降。電流探頭提供了最簡(jiǎn)單的方法來檢測(cè)通過設(shè)備的負(fù)載電流。

圖1將電壓探針連接到MOSFET上以測(cè)量VDS(a)，將電流探針連接到ID(b)。

相同的基本連接適用于非集成熱插拔電路，在MOSFET之前和之后連接輸入和輸出電壓探頭，這些探頭位于MAX5976內(nèi)部，將電流探頭與電路的電流檢測(cè)電阻串聯(lián)。為了準(zhǔn)確測(cè)量流過開關(guān)元件的電流，請(qǐng)將電流探頭放置在輸入旁路電容器之后和輸出電容器之前。探頭必須測(cè)量流經(jīng)控制器的電流。電容器COUT和CIN不能在控制器和電流探頭之間。

MOSFET功耗

開關(guān)元件(通常為N溝道MOSFET)中的功耗是VDS(漏極至源極電壓)和ID(漏極電流)的乘積。選擇示波器探頭，以使VDS為通道2和通道1之差，并使用電流探頭測(cè)量漏極電流。本例中的示波器Tektronix DPO3034具有通過高級(jí)數(shù)學(xué)菜單配置的數(shù)學(xué)軌跡。

要測(cè)量MOSFET的功耗，只需輸入一個(gè)方程，該方程從通道2中減去通道1，然后將結(jié)果乘以電流探針信號(hào)即可。使能熱插拔電路時(shí)，其輸出電壓以特定的dV / dt壓擺率向輸入電勢(shì)上升。負(fù)載電容充電電流根據(jù)以下公式流過MOSFET：ID = COUT×(dV / dt)。

在示波器上捕獲此啟動(dòng)事件會(huì)產(chǎn)生圖2的波形，其輸出電容為360μF，輸入電壓為12V。熱插拔設(shè)備將浪涌電流限制為2A。請(qǐng)注意，在恒定電流為負(fù)載電容COUT充電的情況下，功率波形呈遞減斜率，從24W(12V×2A)開始，隨著輸出上升至12V而下降至0W。