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[導(dǎo)讀]閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響,即襯底偏置電位,零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8,過驅(qū)動電壓為Vgs減Vth。 MOS管,當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時,要經(jīng)歷一個 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,MOSFET的重要參數(shù)之一 。

閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響,即襯底偏置電位,零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8,過驅(qū)動電壓為Vgs減Vth。 MOS管,當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時,要經(jīng)歷一個 Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,MOSFET的重要參數(shù)之一 。

 MOS管的閾值電壓等于背柵和源極接在一起時形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小于閾值電壓,就沒有溝道。 PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是電子,少數(shù)載流子是空穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型。

PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負(fù)電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子,而在襯底感應(yīng)的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。

當(dāng)達到強反型時,在相對于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(fù)(絕對值越大),溝道的導(dǎo)通電阻越小,電流的數(shù)值越大。

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