[導(dǎo)讀]?大家好，我是記得誠。在一些電源和低速信號線上，電容也會用來抗ESD，電容能抗多大的ESD電壓呢？ESD耐性和電容量有什么關(guān)系呢？TVS或者說ESD器件在制造過程中，可能會觸發(fā)ESD事件，發(fā)生損壞，這些事件可以用三個模型來進行模擬。1.HumanBodyModel，簡稱HBM，人...
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大家好，我是記得誠。
在一些電源和低速信號線上，電容也會用來抗ESD，電容能抗多大的ESD電壓呢？ESD耐性和電容量有什么關(guān)系呢？
TVS或者說ESD器件在制造過程中，可能會觸發(fā)ESD事件，發(fā)生損壞，這些事件可以用三個模型來進行模擬。
1. Human Body Model，簡稱HBM，人體模型，模擬人體靜電放電時的測試。
2. Machine Model，簡稱MM，機械模型，模擬機械靜電放電時的測試。
3. Charged Device Model，簡稱CDM，充電設(shè)備模型，模擬帶電設(shè)備靜電放電時的測試。
圖片來自TI培訓(xùn)
回到正題，HBM一般有兩種測試規(guī)格，一種是IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，一種是AEC-Q200-002。
IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)是針對ESD靜電放電抗擾度實驗的，ESD測試分為空氣和接觸測試兩種，需要用到靜電槍，如下給出了靜電槍或者說靜電發(fā)生器的電路簡圖。
靜電發(fā)生器內(nèi)部電路簡圖
Rc為充電電阻，Cd為充電電容，Rd為放電電阻，簡單的工作原理就是：充電開關(guān)開，放電開關(guān)關(guān)，直流高壓電源通過Rc對Cd充電；充電開關(guān)關(guān)，放電開關(guān)開，Cd儲存電荷對被測設(shè)備釋放。
IEC61000-4-2會比AEC-Q200-002更常用，差別在于Rd阻值不同。
在知道這些基本知識后，如果對一個電容打ESD，也就是如下這樣：
輸出端加上被測電容Cx，電容兩端電壓為Vx
對一個10KV 150PF的模型來說，含有的能量為Q=CV。
假設(shè)能量全部釋放掉，Cx=10NF上的瞬間電壓會達到10KV*150PF/(10nF 150pF)=147.78V，這個電壓還是很高的，一定程度會損壞電容。
算了一下1nF、10nF、22nF、47nF和100nF在10KV 150pF模型和10KV 330pF模型下瞬間達到的電壓值，當(dāng)電容達到100nF時，電容上的電壓已經(jīng)很低了，電容是可以承受的，而且假設(shè)前提是模型的能量全部釋放，實際電壓會更低一點。
感興趣的，可以算一算其他放電電壓，比如15KV和25KV，以及其他不同容值。
今天的分享到這里就結(jié)束了，希望對你有幫助，我們下一期見。
來源：記得誠版權(quán)歸原作者所有，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
大家好，我是記得誠。
在一些電源和低速信號線上，電容也會用來抗ESD，電容能抗多大的ESD電壓呢？ESD耐性和電容量有什么關(guān)系呢？
TVS或者說ESD器件在制造過程中，可能會觸發(fā)ESD事件，發(fā)生損壞，這些事件可以用三個模型來進行模擬。
1. Human Body Model，簡稱HBM，人體模型，模擬人體靜電放電時的測試。
2. Machine Model，簡稱MM，機械模型，模擬機械靜電放電時的測試。
3. Charged Device Model，簡稱CDM，充電設(shè)備模型，模擬帶電設(shè)備靜電放電時的測試。
圖片來自TI培訓(xùn)回到正題，HBM一般有兩種測試規(guī)格，一種是IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，一種是AEC-Q200-002。
IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)是針對ESD靜電放電抗擾度實驗的，ESD測試分為空氣和接觸測試兩種，需要用到靜電槍，如下給出了靜電槍或者說靜電發(fā)生器的電路簡圖。
靜電發(fā)生器內(nèi)部電路簡圖Rc為充電電阻，Cd為充電電容，Rd為放電電阻，簡單的工作原理就是：充電開關(guān)開，放電開關(guān)關(guān)，直流高壓電源通過Rc對Cd充電；充電開關(guān)關(guān)，放電開關(guān)開，Cd儲存電荷對被測設(shè)備釋放。
IEC61000-4-2會比AEC-Q200-002更常用，差別在于Rd阻值不同。
在知道這些基本知識后，如果對一個電容打ESD，也就是如下這樣：
輸出端加上被測電容Cx，電容兩端電壓為Vx對一個10KV 150PF的模型來說，含有的能量為Q=CV。
假設(shè)能量全部釋放掉，Cx=10NF上的瞬間電壓會達到10KV*150PF/(10nF 150pF)=147.78V，這個電壓還是很高的，一定程度會損壞電容。
算了一下1nF、10nF、22nF、47nF和100nF在10KV 150pF模型和10KV 330pF模型下瞬間達到的電壓值，當(dāng)電容達到100nF時，電容上的電壓已經(jīng)很低了，電容是可以承受的，而且假設(shè)前提是模型的能量全部釋放，實際電壓會更低一點。
感興趣的，可以算一算其他放電電壓，比如15KV和25KV，以及其他不同容值。
今天的分享到這里就結(jié)束了，希望對你有幫助，我們下一期見。
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