Intel這幾年在工藝進(jìn)度上落后跟10nm、7nm工藝多次跳票有關(guān)，而新工藝延期也跟Intel此前不考慮EUV工藝有關(guān)，所以10nm工藝才上了四重曝光，導(dǎo)致良率上不去，遲遲無(wú)法量產(chǎn)。

Intel之前認(rèn)為EUV工藝不夠成熟，現(xiàn)在EUV光刻工藝已經(jīng)量產(chǎn)幾年了，Intel也開(kāi)始跟進(jìn)了，原先的7nm工藝、現(xiàn)在的Intel 4工藝會(huì)是全面使用EUV光刻機(jī)的開(kāi)始，首款產(chǎn)品是Meteor Lake流星湖，2023年發(fā)布。

之后的Intel 3工藝、Intel 20A工藝上也會(huì)持續(xù)利用EUV工藝，進(jìn)一步提升性能及能效。

再往后Intel還會(huì)積極跟進(jìn)EUV技術(shù)發(fā)展，2025年之后的工藝已經(jīng)規(guī)劃到了Intel 18A，將使用第二代RibbonFET晶體管，EUV光刻機(jī)也會(huì)有一次重大升級(jí)。

Intel表示致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

Intel目前正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當(dāng)前一代EUV。

這就意味著Intel很有可能首發(fā)下一代EUV光刻機(jī)，NA數(shù)值孔徑從目前的0.33提升到0.5，這是ASML的NXE：5000系列，之前預(yù)計(jì)是在2023年問(wèn)世，現(xiàn)在推遲到了2025-2026年，單臺(tái)售價(jià)預(yù)計(jì)將超過(guò)3億美元，差不多人民幣20億一臺(tái)。

Intel為了超越臺(tái)積電、三星重返半導(dǎo)體技術(shù)一哥，現(xiàn)在可以說(shuō)是拼了老命了，對(duì)玩家來(lái)說(shuō)這倒是好事，以往的帶頭大哥回來(lái)了。

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