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文 章 導 讀

在本公眾號前面一期的文章中，本文作者首次提出一個新的概念：Si3P，用于加深對SiP含義的理解，其目的是為了使讀者更為深入，更為全面、更為系統(tǒng)化地理解SiP中包含的相關技術。在這篇文章中，作者就Si3P中的interconnection做詳細解讀，是為深入解讀Si3P的第二篇文章。

在首次提出Si3P?概念后，受到了大多數(shù)讀者的肯定，但也有人認為是在玩文字游戲，具體情況到底如何呢？

上一篇文章中，我們對Si3P?中的第一個i，integration進行了詳細闡述，受到了很多讀者的好評。

下面，我們就對Si3P?中的第二個i，interconnection進行詳細解讀。

interconnection中文翻譯為“互聯(lián)”，在這里我們理解為互聯(lián)以及通過互聯(lián)進行信息或能量傳遞的含義。

對于一顆SiP來說，互聯(lián)主要可分為以下三個領域：

• 電磁互聯(lián)（interconnection of EM）

• 熱互聯(lián)（interconnection of Thermo)

• 力互聯(lián)（interconnection of Force)

在這篇文章中，我們會用比較多的比擬手法來說明問題，雖然在嚴格物理意義上來說未必精確，但卻比較形象化，具有一定的畫面感，便于形象記憶，也更容易被讀者所理解（要積極開動大腦，充分發(fā)揮您的想象力哦）！

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電 磁 互 聯(lián)

（interconnection of EM）

電磁互聯(lián)，研究的對象是信號。

信號的傳遞，是需要特定的路徑的，這些路徑就是SiP中屬于不同網絡的的導體，這些導體包含Die pin、鍵合線、芯片的Bump、基板中的布線、過孔、封裝引腳等。那么，如何做到每個網絡的導體互聯(lián)最佳呢？

在SiP設計中，電磁互聯(lián)的第一步就是互聯(lián)關系的網絡優(yōu)化，這是和IC設計及PCB不同設計所不同的。因為在SiP設計中，無論封裝引腳是幾十個、幾百個甚至幾千個，都是需要設計師來對每個引腳的功能進行定義的。

那么，如果能做到最佳的定義呢？這就是網絡優(yōu)化需要關注的內容，網絡優(yōu)化的基本原則就是交叉最少，互聯(lián)最短。有些EDA軟件中有專門的網絡優(yōu)化工具，也可以通過軟件自動交換引腳來優(yōu)化互聯(lián)關系。

如果軟件自動優(yōu)化還不能滿足要求，則可通過手動交換SiP封裝引腳而達到網絡互聯(lián)最優(yōu)。

網絡優(yōu)化完成后，需要將這些互聯(lián)關系通過金屬導體連接起來，這時候我們就需要用鍵合線、布線、過孔等，將芯片同網絡的引腳互聯(lián)以及從芯片引腳連接到SiP封裝引腳，信號就是在這些金屬導體上進行傳輸。

信號的傳輸是伴隨著信號所產生的電磁場一起傳輸，信號在導體中進行傳輸，它所產生的電場和磁場在其周圍的介質中和信號一起在傳輸。

信號有兩個"速度",一個是其傳遞的物理速度，另一個是指其變化的速率。

信號傳輸?shù)奈锢硭俣群芸?，在真空中和光速相?x10^8m/s，在基板中約為光速的1/2（有機材料）或者1/3(陶瓷材料），即使這樣也是很快的，一秒鐘，在陶瓷基板中傳輸?shù)男盘栔辽倮@地球2圈半了，有機材料中的則超過3圈半了。此外，信號傳輸?shù)奈锢硭俣?/span>和信號的頻率無關。

信號的變化速率則是有慢有快，并且是可以控制的，通常以從低電平變化到高電平的時間來衡量，稱之為上升時間。

上升時間

一般來說，信號上升時間并不是信號從低電平上升到高電平所經歷的時間，而是其中的一部分。對于信號上升時間通常有兩種：第一種定義為10-90上升時間，即信號從高電平的10%上升到90%所經歷的時間。另一種是20-80上升時間，即信號從高電平的20%上升到80%所經歷的時間。

特征阻抗信號沿著導體進行傳輸，導體通常被看作傳輸線。分析傳輸線時，一定要考慮其返回路徑，單根的導體和其回流路徑一起構成傳輸線。傳輸線的特征阻抗是指信號傳輸過程中，傳輸線中某一點的瞬時電壓和電流的比值，用Z0表示：信號在傳輸?shù)倪^程中，如果傳輸路徑上的特性阻抗發(fā)生變化，信號就會在阻抗不連續(xù)的點產生反射。影響傳輸線特性阻抗的因素有：介電常數(shù)、介質厚度、線寬、銅箔厚度，表面粗糙度等。通常，信號變化的越快，對特征阻抗的連續(xù)性要求越高。我們可以將信號的變化率比擬成行駛中的汽車，傳輸線比擬成公路，特征阻抗的變化比擬成路況的變化。

如果特征阻抗連續(xù)，汽車則會很平穩(wěn)地前進，如果路面出現(xiàn)坑洼（阻抗不連續(xù)），汽車則可能發(fā)生顛簸（信號反射），如果路面出現(xiàn)大坑（嚴重阻抗不連續(xù)），汽車則可能駛出路面（信號傳輸失?。Ｈ绻囁倏欤ǜ咚傩盘枺?，需要盡可能走高速公路（路面平整，阻抗連續(xù)性好），如果路面情況不好，則盡可能降低車速（降低信號的上升時間）。正如人們常說的，如果路況不好，車速就放慢一點，安全到達目的地就行。信號傳輸也是同樣的道理，在滿足功能的前提下，盡可能降低信號的變化率。同時，要優(yōu)化并設計好信號的傳輸路徑，對于設計師來說，信號傳輸?shù)牡缆肥俏覀冏约哼M行設計，所以可以控制的東西更多一些。傳輸線上的阻抗會受到線寬、銅厚、介質參數(shù)、介質厚度等多個參數(shù)的影響，所以在信號的傳輸過程中，傳輸路徑上阻抗不連續(xù)很普遍。例如，從芯片引腳Die pin到Bond Wire，從Bond Wire到基板，布線穿過過孔，切換到其它的層，連接到封裝引腳，從封裝引腳到PCB，等等，都會或多或少地存在阻抗不連續(xù)，但信號通常也能正常傳輸。正如路面雖有不平整，車輛也能正常到達目的地，重要的是在不同的路面上行駛，要控制好合適的車速。針對不同類型的高速信號，則要規(guī)劃、設計并建造好相應的“道路”。研究信號的傳輸，除了理解特征阻抗，還需要深入理解信號完整性、串擾、延時和EMI。信號完整性SI（Signal Integrity），是指接收端能正確地辨識信號，從而做出正確的響應。當接收端不能正常響應或者信號質量不能使系統(tǒng)穩(wěn)定工作時，就出現(xiàn)了信號完整性問題。信號完整性主要研究過沖、反射、時序、振蕩、等方面。

串擾（Crosstalk），研究的是信號線之間的耦合和干擾、信號線之間的互感和互容引起信號線上的干擾。
我可以用一個現(xiàn)象來比擬串擾，當我們乘坐高鐵飛馳時，遇到迎面有高鐵通過，車身會受到一股巨大的擾動力，這個擾動力主要由三個因素決定：1車速、2車間距、3車身長度，這個現(xiàn)象可以幫助我們理解串擾，因為串擾也主要是由三個因素造成：1信號的上升時間，2兩個信號線的間距，3信號線并行的長度。延時（Delay），指信號從發(fā)送端傳輸?shù)浇邮斩说臅r間差。雖然信號傳輸?shù)乃俾屎芸?，但是隨著頻率的提高，對延時的要求也越來越高。在有機材料基板中，其介電常數(shù)接近4，信號的傳輸速度約為光速的1/2，在陶瓷介質中，其介電常數(shù)接近9，信號的傳輸速度約為光速的1/3。雖然看上去很快，但如果時間很短，信號傳輸?shù)木嚯x也很有限，例如1皮秒內，信號在有機基板傳輸距離為0.15mm，而在陶瓷基板傳輸距離僅為0.1mm。如果在陶瓷基板上布線，長度差距1mm，延遲為10皮秒。同一組高速信號，需要盡可能保持同樣的延時，就需要在布線中采取等長的策略，對于差分信號，N和P兩根網絡的延時也需要盡可能保持一致。

EMI/EMC，電磁干擾/電磁兼容性。電磁干擾，是指電子設備自身工作過程中，產生電磁波，對外發(fā)射，從而對設備其它部分或外部設備造成干擾。電磁兼容性，是指設備所產生的電磁能量既不對其它設備產生干擾，也不受其他設備的電磁能量干擾的能力。通常，EMI和信號完整性有強相關性，信號完整性好的信號EMI指標通常比較好，信號完整性差的信號EMI指標也比較差。EMI/EMC研究的對象和信號完整性有一些不同，信號完整性研究的對象通常在PCB或SiP基板級別，而EMI/EMC 的研究對象通常為設備級。

電源和地（Power and Ground)了解完信號傳輸?shù)南嚓P內容，我們再來看看電源和地。電源和地也是一類特殊的信號，一般以平面層的形式出現(xiàn)，并作為信號的參考平面，傳輸線的回流路徑通常是信號在參考平面上投影。如果參考平面不完整，信號的投影被切斷，回流路徑出現(xiàn)問題，同樣會產生信號完整性問題。
電源完整性PI（Power?Integrity），和信號完整性SI相對應。隨著系統(tǒng)復雜程度的提高，電源軌的增多以及對電源要求的提高，電源平面通常要分割成很多小塊，出現(xiàn)了電源完整性PI的概念。PI研究通常包括直流DC（Direct Current）分析和交流AC（Alternating Current）分析。

DC分析主要研究電壓降和電流密度，確保器件能夠正常供電，同時基板的局部不能電流密度過大，可以通過修改平面層分割形狀，增加過孔，加粗布線來優(yōu)化。AC分析主要研究的是平面層阻抗，電源紋波，平面層噪聲等問題，可以通過合理地電容分配，平面層位置、平面層形狀的調整來進行優(yōu)化。說了這么多，我們對電磁互聯(lián)總結一下：
SiP中，電磁互聯(lián)（interconnection of EM）的目的是為了信號的傳遞，其關鍵如下：首先要規(guī)劃好行車路線（網絡優(yōu)化），然后把路修平整（阻抗控制布線），其次要控制好車速（降低信號上升時間），還要考慮行車間距（防止串擾），規(guī)范行駛不干擾他車也不受他車干擾（EMI/EMC)，如果組隊出行相互距離不要拉的太大（控制同組網絡的延時差），另外，還要考慮其它因素，例如加滿燃油，充滿電，天氣不能太惡劣等重要因素（供電電源、地平面的完整性），只有這樣，我們才能順利到達目的地（信號傳輸成功）！
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熱 互 聯(lián)

（interconnection of Thermo)

和電磁互聯(lián)需要關注特定的網絡布線不同，熱互聯(lián)則需要有更為概括的視角。在SiP設計中，熱互聯(lián)一般主要通過選擇合適的導熱材料來實現(xiàn)，當然，有時候也需要設計特定的熱通道。

熱的傳遞方式有傳導、對流和輻射三種，在SiP中，熱傳遞的方式以傳導為主。

在SiP內部，裸芯片Bare Chip是主要的發(fā)熱源，此外，大電流在傳輸?shù)倪^程中也會使得導體發(fā)熱，是次要的發(fā)熱源。

關于SiP熱量的傳遞方式，我們可以想象成泉水涌過大地。泉眼就是發(fā)熱源，水從泉眼涌出向四面八方流動，水更容易流向地勢低的地方（熱阻?。?，流過的地面有：水泥地，草地，沙地等（代表不同的導熱層）。有的地面水流的快（熱阻?。?，有的地面水流的慢（熱阻大），有的地面存的水多（熱容大），有的存不住多少水（熱容小），最終，水會流入大海（熱容無限大）。

這樣，我們就可以得到一個代表熱阻和熱容的曲線，稱之為熱結構函數(shù)曲線。

熱結構函數(shù)曲線的橫軸代表熱阻，是由不同層的熱阻疊加，縱軸代表熱容，是由不用層的熱容疊加。
因為不同材料的熱阻和熱容的不同，熱結構函數(shù)曲線的斜率會隨材料變化而不同，曲線上的拐點則是不同材料的分界點，這種特性可以幫助我們分析SiP封裝結構中出現(xiàn)的缺陷，例如，某個SiP的熱結構函數(shù)曲線和大樣本值發(fā)生了明顯偏離，則說明在這一層出現(xiàn)了空洞、接觸不良等缺陷。有了熱結構函數(shù)曲線，我們就可以通過特定的測試方法（人為制造結構函數(shù)曲線分離點的方法），得到芯片或者SiP的結殼熱阻（Junction to Case)，以及結到空氣的熱阻（Junction to Air)。有效控制熱傳遞過程中不同材料層的熱阻和熱容，就可以解決SiP中的熱互聯(lián)和熱傳遞問題。
SiP中通常有多個芯片（發(fā)熱源），我們就可以想象成有多個泉眼，一起涌出泉水并流過不同類型的地面，這比單個發(fā)熱源的傳熱情況要復雜一些，但其道理是相通的。

特別散熱通道

在SiP中還有一種情況，個別芯片的功耗非常大，需要有專門的散熱通道，這可以在結構設計中設計特殊的散熱通道，如下圖所示：

芯片1和芯片2（橙紅色顯示）功耗非常大，普通的散熱通道無法解決其散熱問題，可為其設計特別的散熱通道，如圖，通過金屬連接塊將芯片直接和熱沉相連，可以最大程度地減小熱阻，順利地將熱量散發(fā)出去，其它芯片則可采用常規(guī)設計。在實際項目中，這種設計方法取得了良好的散熱效果，當然，其結構復雜，成本高，另外，金屬塊和殼體的氣密性也需要特殊的工藝，所以還要酌情使用。熱互聯(lián)，簡單地說：就是將芯片散發(fā)的熱量及時且有效地導出到外部空間，降低SiP內外溫度差，保證芯片結溫不超過限定的溫度。

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力 互 聯(lián)

（interconnection of Force)

力互聯(lián)，需要考慮來自SiP封裝外部的力和內部產生的力。對SiP設計來說，考慮力互聯(lián)主要的關注點是在不同器件或者不同材料的接觸面。外部的力主要來源于沖擊、震動、加速度等。內部的力主要來源于相對的變形，產生相對變形最主要的原因是溫度的變化。外部力首先我們來看看外部力的影響，當一枚手機從高處跌落到地面，手機受到的沖擊會傳遞到電路板進而傳遞到SiP及其內部的裸芯片；

當汽車行駛在顛簸的路面，車載電子設備受到的震動會傳遞到電路板進而傳遞到SiP及其內部的芯片；當火箭或導彈從發(fā)射臺起飛，產生的加速度會傳遞到電路板進而傳遞到SiP及其內部的芯片。

由于物體本身慣性的影響，當源于外部的沖擊、震動、加速度作用于SiP時，會產生變形，當變形超過材料的承受能力時，就會發(fā)生物理損壞。對于SiP來說，最容易發(fā)生變形的地方在不同材料的連接處，例如：鍵合點、倒裝焊的Bump，SiP封裝的引腳等處。另外，陶瓷封裝或者金屬封裝內部為空腔結構，鍵合線處于兩端支撐中間懸空的狀態(tài)，也容易在沖擊、震動、加速度的作用下發(fā)生變形。為了應對外部力對SiP的影響，一般需要做到以下幾點：首先，SiP重量不能超標，在選用材料和尺寸上要嚴格控制，如果重量超標，則要考慮結構上的加固措施。其次，SiP內部器件固定采用的膠或者焊接材料，也需要通過試驗驗證其強度是否能滿足沖擊、震動、加速度的要求。此外，鍵合線的長度和彎曲形狀需要嚴格控制，避免由于沖擊、震動而產生變形而搭絲的現(xiàn)象。通常，不同絲徑的鍵合線其最大長度有嚴格的規(guī)定，長度超過限定的鍵合線，在塑料時，容易被塑封膠體的流動而沖擊變形或者斷開；在陶瓷或者金屬封裝中，則會造成塌絲現(xiàn)象或者在劇烈震動時互相碰撞搭絲從而產生短路現(xiàn)象。
還有，SiP封裝的引腳類型的選用也要充分考慮其承受力的情況，越是重量大的SiP，越需要強有力的引腳來支撐和固定。例如，重量和尺寸比較大的SiP，一般多采用插針式的PGA安裝在PCB板上，表面貼裝如BGA或者CGA由于PCB表面的承載力有限而不建議使用。
內部力
內部力主要來源于相對變形，幾乎所有的材料都有熱漲冷縮的特性，但不同材料的熱漲冷縮的程度不相同，熱膨脹系數(shù)CTE（coefficient of thermal expansion）就是用來描述單位溫度變化所導致的長度量變化的參數(shù)，CTE不同的材料結合在一起，會由于溫度的變化而產生相對變形從而產生相互的力。此外，不同的部分也會由于溫度本身的不同也導致其變形的不同，從而產生相互的力，例如下圖，器件發(fā)熱導致膨脹，而安裝基板并未發(fā)熱，因而器件相對尺寸變大，導致產生熱應力，在引腳處引起變形。

另外，需要注意的是，溫度的變化一般是反復的、長期的，即使短期內的物理變形并沒有損壞器件，而長期的疲勞變形會導致器件損壞，所以設計時需要考慮足夠的余量。

在SiP內部，由于熱而產生的相對變形很常見，因此，對于芯片和基板的接觸面，Interposer，倒裝焊凸點等都是需要重點考慮的，同時，要考慮SiP本身和其安裝的PCB板也會由于CET不同而導致SiP引腳的變形和產生應力。

通過鍵合線進行電氣連接的芯片一般通過膠或者膠膜固定在SiP基板上，其固定膠或者膠膜，都需要經過嚴格的熱沖擊和熱循環(huán)試驗。

對于倒裝焊芯片，為了緩沖應力集中，在倒裝焊芯片的底部，需要填充underfill 填充膠。

在SiP外部，SiP的引腳和PCB的接觸點的形變，則是需要重點考慮的。

這里有一個引腳類型的選擇問題，例如，我們通?？吹降腝FN尺寸都很小，LCC尺寸可以稍大，QFP則可以做的更大，其原因在于：不同的引腳類型可以承受的相對變形大小是不同的。所以，在選擇SiP封裝類型時，要充分考慮不同類型的封裝引腳可以承受的變形能力。

QFN封裝

? ?????QFP封裝

SiP中的芯片通過膠 (Bond Wire Chip)或者引腳(Flip Chip)固定在SiP基板上，SiP本身也通過引腳固定在PCB板上。我們可以將力互聯(lián)想象成這樣一種情景：芯片的引腳或者SiP的引腳固定后是不能移動的，就如我們雙腳站在粘性很大的地面上。如果受到外力的拉扯（例如有人在推或者拉你），我們腿部和身體都可以承受一定的變形，但如果外力太大，我們的腳就可能從鞋子中脫離（芯片引腳和基板分離）。所以，除了鞋子要結實（引腳強度），鞋帶要系好（焊接強度），我們的腿和身體承受的變形也是有一定程度的（器件體和引腳承受變形的能力），太大的變形或者力，再結實的鞋子也會脫落（引腳脫落）！

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總 結

（in a nut shell)

對于一顆SiP來說，互聯(lián)interconnection主要可分為以下三個領域：

電磁互聯(lián)（interconnection of EM）

熱互聯(lián)（interconnection of Thermo)

力互聯(lián)（interconnection of Force)

這里，每一種互聯(lián)都足夠重要，都是SiP成功的關鍵因素！

最后，我們用形象的語言總結一下，對SiP中的互聯(lián)interconnection來說：電，如城市繁忙車流——四通八達；熱，如泉水涌過大地——有緩有急；力，如雙腳踩著黏泥——站住了別挪窩！
最后，需要提醒讀者注意的是：

集成-Integration是SiP技術發(fā)展的基礎（Foundation)，互聯(lián)-interconnection是SiP技術發(fā)展的關鍵(Hinge)，后面我們要繼續(xù)討論Si3P中的?intelligence智能，同樣是SiP技術的精髓所在。

請關注本公眾號后面的文章！

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• 熱，如泉水涌過大地，有緩有急
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