Flash是大家常使用的存儲之一，對于Flash，大家或多或少有所了解。上篇文章中，小編對Flash閃存的類型有所介紹。為繼續(xù)增進大家對Flash的認識，本文將對Flash盤、Flash盤結(jié)構(gòu)以及Flash讀寫操作予以介紹。如果你對本文內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、Flash 盤的FAT 結(jié)構(gòu)

Flash 硬盤與普通的磁頭、柱面式介質(zhì)不一樣。在開發(fā)U 盤的過程中，使用Flash 作為存儲介質(zhì)。它有其特定的結(jié)構(gòu)特點。以16M 的三星K9F2808U0A-YCB0 Flash 為例，它有1024 個Block，每個Block 有32個Page，每個Page 有512+16=528 個字節(jié)。

二、Flash 的結(jié)構(gòu)

Flash 的讀寫有其自身特點：1)必須以Page 為單位進行讀寫;2)寫之前必須先擦除原有內(nèi)容;3)擦除操作必須對Block 進行，即一次至少擦除一個Block 的內(nèi)容。針對這種情況，將Flash 的一個Page 定為1 個扇區(qū)，將其2 個Block，64 個扇區(qū)定為一個簇，這樣，簇的容量剛好為512*64=32K，滿足FAT16 對簇大小的要求。FAT 分配空間的時候，是按簇來分配的，但是其給出的地址卻是LBA(Logical Block Address)，即它只給出一個扇區(qū)號，比如對此Flash 而言，若給出LBA 為0x40，實代表簇1的扇區(qū)1。因此需要將Logical Block Address 轉(zhuǎn)換為物理地址，這樣，才可以對數(shù)據(jù)進行存取操作。根據(jù)我們定義的結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)換公式為：

Flash 的Block = Logical Block Address/0x20

Flash 的Page = Logical Block Address %0x20

實際上，如果定義每個簇為32 個扇區(qū)是最好的，因為這樣物理結(jié)構(gòu)和邏輯結(jié)構(gòu)剛好一致。但是這也無防，因為不管Logical Block Address 給出什么值，只要按上述公式，總可以得到物理上正確的Block 和Page，再使用Flash 的讀寫命令讀取對應的Block 和Page 就可以了，讀的問題復雜一些，在后面介紹。因此簇和扇區(qū)的概念只是在BPB 中給出存儲介質(zhì)信息的時候告之系統(tǒng)就可以了，我們只要做好LBA 與物理地址間的轉(zhuǎn)換就可以了。

由于做為U 盤的Flash 不要求啟動，因此可以沒有MBR 區(qū)，只包含DBR、FAT、DIR

和DATA 四個區(qū)。因此，F(xiàn)lash 的前兩個Block 的內(nèi)容如下：

LBA Block/Page 長度 內(nèi)容說明

0 0,0 512 字節(jié) MBR=BPB+Excutable Code+55AA(查看內(nèi)容)

1~2 0,1~0,2 1024 字FAT 區(qū)(第一份FAT)節(jié)

3~4 0,3~0,4 1024字節(jié) FAT 區(qū)備份(第二份FAT)

5~39H 目錄區(qū)(在BPB 中調(diào)整目錄項數(shù)，使其剛好占盡本簇)

40H~ 數(shù)據(jù)區(qū)(因目錄區(qū)占盡一個簇，故數(shù)據(jù)區(qū)始于新簇首扇)

當Host 發(fā)出READ 命令后，F(xiàn)lash 讀寫操作即告開始，Host 首先讀取MBR，得到有關存儲介質(zhì)的有關信息，諸如扇區(qū)長度、每簇扇區(qū)數(shù)以及總扇區(qū)數(shù)等內(nèi)容，以便知道此盤有多大。如果讀取正確，會接著讀取文件分配表，借以在PC 機上的可移動盤符中顯示文件目錄，并可以復制、刪除或是創(chuàng)建文件。系統(tǒng)自動將這些命令都轉(zhuǎn)換成Read 或Write 兩種命令，通過USB 的READ 或WRITE 命令塊描述符來從Flash 中相應扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)，或是將特定長度的數(shù)據(jù)寫入Flash 相應簇中。

三、Flash 的讀寫

針對Flash 讀寫的特點，特別是其可隨機讀，但無法隨機寫的問題，需要通過設置緩沖區(qū)來解決。在與USB Host 進行數(shù)據(jù)交換的過程中，最小的單位是扇區(qū)：512 字節(jié)。由于Flash在寫之前必須先擦除，而一擦又必須擦一個Block，因此在擦除某Block 之前必須保存同一個Block 中有關扇區(qū)的數(shù)據(jù)。因此，如果每收到一個扇區(qū)的內(nèi)容就進行一次擦、保存、寫的操作，系統(tǒng)任務將十分繁重，無法及時響應USB Host 端的請求。

因此，在系統(tǒng)中設置32K 的緩沖區(qū)(ARM7 系統(tǒng)具有2M SDRAM，因此內(nèi)存足夠，如果在8051 平臺上，則需要另外想辦法)，每完成一次數(shù)據(jù)傳輸后，記下本次要寫的開始扇區(qū)和總扇區(qū)數(shù)，將本次要寫的數(shù)據(jù)所涉及的扇區(qū)以外的數(shù)據(jù)從Flash 中讀出來，存放在緩沖區(qū)中對應位置，然后擦除一個Block，再將緩沖區(qū)中內(nèi)容一次全部重新寫入Flash。

以上便是此次小編帶來的“Flash”相關內(nèi)容，通過本文，希望大家對Flash盤的結(jié)構(gòu)以及Flash的讀寫操作等內(nèi)容具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關注我們網(wǎng)站哦，小編將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!