通常來(lái)說(shuō)對(duì)于任意固定頻率，容值越大的電容阻抗越小。但由于電容本身也有寄生電感，而且往往容值越大寄生電感越大，在高頻處，電容最終都會(huì)顯現(xiàn)出感性，阻抗隨頻率的升高而升高。小電容的轉(zhuǎn)折點(diǎn)(下圖中的阻抗曲線(xiàn)的最低點(diǎn))頻率值較之大電容更大。所以大電容對(duì)高頻電流的響應(yīng)特性沒(méi)有小電容好。

1.常用于電源去耦的元件組合

(1)不同容值的電容組合：

小容值的電容可以濾除電源線(xiàn)上的高頻噪聲，使電源更加干凈，并且負(fù)責(zé)提供負(fù)載的高頻電流需求。

大電容同樣起到蓄流的作用，響應(yīng)負(fù)載的低頻電流需求，濾除電源線(xiàn)上的低頻波動(dòng)。

下圖是不同容值電容的阻抗隨頻率變化的曲線(xiàn)。但是大電容可以響應(yīng)頻率相對(duì)較低，電流需求大的電流變化。

(2)不同封裝的電容組合：

普遍來(lái)說(shuō)，貼片電容比直插電容的寄生電感小，長(zhǎng)寬比小的比長(zhǎng)寬比大的封裝寄生電感小(同容值，0612的電容比1206電容寄生電感小，高頻特性更好)。

(3)不同種類(lèi)的電容組合：

貼片陶瓷電容：高頻特性最好，但容值較小，常用的最大容值為10uF。常用于高頻電路的電源濾波去耦。

鉭電解電容：高頻特性較好，相同體積下可以實(shí)現(xiàn)最大的容值。確定是耐壓值較低，容易損壞。

鋁電解電容：高頻特性最差，但是容值最大，可以做到幾千微法。常用于電源入板處的濾波和去耦，此處的電容需要有容量大的特點(diǎn)，但對(duì)響應(yīng)速度要求不高。

因此，各種類(lèi)型的電容在電源去耦中擔(dān)當(dāng)?shù)慕巧话闶沁@樣的：陶瓷電容最靠近芯片，負(fù)責(zé)提供負(fù)載高頻的電流需求和噪聲過(guò)濾，容值一般幾nF到幾u(yù)F之間。鉭電容和鋁電解電容因?yàn)槿萘看?、響?yīng)速度較慢，一般用于板級(jí)的電源去耦和濾波，或者是大功率電路的電源去耦。當(dāng)即要求速度，有要求容量的時(shí)候一般用多個(gè)瓷片電容并聯(lián)或瓷片電容與鉭電容并聯(lián)。選擇鉭電容，耐壓值要留有一定的裕量，因?yàn)殡娫瓷想娝查g一般會(huì)有一定的過(guò)沖，容易損壞鉭電容。電源處并聯(lián)上穩(wěn)壓管或TVS管可以抑制過(guò)沖，是很有效的解決辦法、

(注：各種電容的ESR、ESL等參數(shù)之間有差異，詳細(xì)可百度華為公司的內(nèi)部資料：無(wú)源濾波器件——電容的介紹與深入認(rèn)識(shí))

(4)電容和電感、磁珠的組合：

一般的電源去耦只需要去耦電容即可滿(mǎn)足實(shí)際需求，但對(duì)電源質(zhì)量要求很高的模擬電路等，僅僅使用去耦電容可能效果有限，因?yàn)槿缯摬⒙?lián)多少個(gè)電容，都只能形成單個(gè)極點(diǎn)，響應(yīng)曲線(xiàn)的滾將速度只有20dB/10倍頻。因此，可以在電源線(xiàn)上串聯(lián)電感或磁珠。這樣可以進(jìn)一步減少電源波動(dòng)對(duì)負(fù)載的影響，也能防止一些高噪聲的負(fù)載通過(guò)電源線(xiàn)將噪聲耦合到其他敏感的電路上。

2.不同電路中的電源去耦

(1)小功率電路：

模擬電路：

比如信號(hào)處理電路，中常用10uF和100nF貼片瓷片電容去耦。有的時(shí)候受到電路板空間的限制，可以多個(gè)芯片公用一個(gè)10uF的電容，但應(yīng)保證每個(gè)芯片的電源引腳處都就近放置一個(gè)100nF的電容。

高精度的模擬電路中，經(jīng)常放置多個(gè)容值梯度的電容(如10uF、100nF、1nF并聯(lián))，保證去耦電容可以過(guò)濾很寬頻率范圍內(nèi)的電源噪聲。并且電源線(xiàn)串聯(lián)磁珠會(huì)進(jìn)一步減小噪聲。

數(shù)字電路：

數(shù)字電路工作在高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，電源電流變化迅速，并且數(shù)字信號(hào)中有豐富的高頻成分，會(huì)對(duì)電源造成干擾，因此常用100nF的貼片陶瓷電容進(jìn)行電源去耦。

電路板的電源入板接口處通常放置容值較大的電解或鉭電容。此用途為電源濾波。

(2)大功率電路：

大功率的電路的電源去耦(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋的電源去耦)要用到更大容值的電容，比如470uF甚至幾千微法的電解電容，但是除了用電解電容之外，還需要并聯(lián)上幾個(gè)瓷片的小電容，提高高頻響應(yīng)特性，過(guò)濾MOSFET高速開(kāi)關(guān)因此的電源毛刺。

3.去耦元件的放置原則：

(1)就近原則：

去耦電容應(yīng)盡可能的靠近芯片的電源引腳。減小去耦電容和芯片之間走線(xiàn)的寄生電感，去耦效果更好。

(2)越小越近的原則：

小容值電容最靠近芯片，然后按照容值遞增的原則依次遠(yuǎn)離芯片(遠(yuǎn)離是相對(duì)的，前提是遵循就近原則)。小電容負(fù)責(zé)高頻響應(yīng)，應(yīng)該更靠近芯片縮短響應(yīng)的時(shí)間。并且小電容可以濾除高頻噪聲，若距離芯片太遠(yuǎn)，則電容和芯片之間的走線(xiàn)會(huì)重新拾取噪聲，削弱去噪效果。

(3)電源線(xiàn)先經(jīng)過(guò)去耦電容再連接至芯片引腳：