與傳統(tǒng)光源一樣，半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）在工作期間也會(huì)產(chǎn)生熱量，其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下，電子和空穴的輻射復(fù)合發(fā)生電致發(fā)光，在P-N結(jié)附近輻射出來的光還需經(jīng)過芯片（chip）本身的半導(dǎo)體介質(zhì)和封裝介質(zhì)才能抵達(dá)外界（空氣）。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等，最終大概只有30-40%的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能，其鷂60-70%的能量主要以非輻射復(fù)合發(fā)生的點(diǎn)陣振動(dòng)的形式轉(zhuǎn)化熱能。

　　而芯片溫度的升高，則會(huì)增強(qiáng)非輻射復(fù)合，進(jìn)一步消弱發(fā)光效率。因?yàn)?，人們主觀上認(rèn)為大功率 LED 沒有熱量，事實(shí)上確有。大量的熱，以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED 的人，對(duì)熱問題又不懂如何有效地解決，使得產(chǎn)品可靠性成為主要問題。那么， LED 究竟有沒有熱量產(chǎn)生呢？能產(chǎn)生多少熱量呢？LED 產(chǎn)生的熱量究竟有多大？

　　LED 在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，克服PN 結(jié)的電場(chǎng)，由N 區(qū)躍遷到P 區(qū)，這些電子與P 區(qū)的空穴發(fā)生復(fù)合。由于漂移到P 區(qū)的自由電子具有高于P 區(qū)價(jià)電子的能量，復(fù)合時(shí)電子回到低能量態(tài)，多鷂的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長(zhǎng)與能量差 Eg 相關(guān)?？梢姡l(fā)光區(qū)主要在PN 結(jié)附近，發(fā)光是由于電子與空穴復(fù)合釋放能量的結(jié)果。一脞半導(dǎo)體二極體，電子在進(jìn)入半導(dǎo)體區(qū)到離開半導(dǎo)體區(qū)的全部路程中，都會(huì)遇到電阻。簡(jiǎn)單地從原理上看，半導(dǎo)體二極體的物理結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單地從原理上看，半導(dǎo)體二極體的物理結(jié)構(gòu)源負(fù)極發(fā)出的電子和回到正極的電子數(shù)是相等的。普通的二極體，在發(fā)生電子-空穴對(duì)的復(fù)合是，由于能級(jí)差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內(nèi)。

　　電子在二極體內(nèi)部的路途中，都會(huì)因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學(xué)的基本定律：

　　P =I2 R =I2（RN ++RP ）+IVTH

　　式中：RN 是N 區(qū)體電阻，RP 是P 區(qū)體電阻。

　　消耗的功率產(chǎn)生的熱量為：

　　Q = Pt

　　式中：t 為二極體通電的時(shí)間。

　　本質(zhì)上，LED 依然是一個(gè)半導(dǎo)體二極體。因此，LED 在正向工作時(shí)，它的工作過程符合上面的描述。它所它所消耗的電功率為：

　　P LED = U LED &TImes; I LED

　　式中：U LED 是LED 光源兩端的正向電壓

　　I LED 是流過LED 的電流。

　　這些消耗的電功率轉(zhuǎn)化為熱量放出：

　　Q=P LED &TImes; t

　　式中：t 為通電時(shí)間

　　實(shí)際上，電子在P 區(qū)與空穴復(fù)合時(shí)釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N 區(qū)時(shí)，在沒有外電場(chǎng)時(shí)，它的能級(jí)就比P 區(qū)的價(jià)電子能級(jí)高出Eg。當(dāng)它到達(dá)P 區(qū)后，與空穴復(fù)合而成為P 區(qū)的價(jià)電子時(shí)，它就會(huì)釋放出這？N多的能量。Eg 的大小是由材料本身決定的，與外電場(chǎng)無關(guān)。外電源對(duì)電子的作用只是推動(dòng)它做定向移動(dòng)，并克服PN 結(jié)的作用。

　　LED 的產(chǎn)熱量與光效無關(guān)。不存在百分之幾的電功率產(chǎn)生光，其鷂百分之幾的電功率產(chǎn)生熱的關(guān)系。透過對(duì)大功率LED熱的產(chǎn)生、熱阻、結(jié)溫概念的理解和理論公式的推導(dǎo)及熱阻測(cè)量，我們可以研究大功率LED的實(shí)際封裝設(shè)計(jì)、評(píng)估和產(chǎn)品應(yīng)用。需要說明的是熱量管理是在LED產(chǎn)品的發(fā)光效率不高的現(xiàn)階段的關(guān)鍵問題，從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產(chǎn)生才是釜底抽薪之舉，這需要芯片制造、LED封裝及應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術(shù)的進(jìn)步。

　　隨著技術(shù)的發(fā)展， LED的功率在不斷提高，然而成本卻在不斷降低，采用低成本、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路才是保證超高亮度LED具有持久亮度的關(guān)鍵。根據(jù)高亮度LED大功率恒流驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，很多公司都推出了高亮度LED的專用驅(qū)動(dòng)控制芯片，這些生產(chǎn)LED驅(qū)動(dòng)IC的廠商包括Melexis、lnfinton（英飛凌

　　隨著技術(shù)的發(fā)展， LED的功率在不斷提高，然而成本卻在不斷降低，采用低成本、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路才是保證超高亮度LED具有持久亮度的關(guān)鍵。根據(jù)高亮度LED大功率恒流驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)，很多公司都推出了高亮度LED的專用驅(qū)動(dòng)控制芯片，這些生產(chǎn)LED驅(qū)動(dòng)IC的廠商包括Melexis、lnfinton（英飛凌）、Lienear Technology（凌力爾特）、Supenex Inc、Analog Devices（ADI）、通嘉科技（Leadtrend）、安茂微電子（AME），華潤矽威等等。

　　與傳統(tǒng)的照明燈相比，超高亮LED具有壽命長(zhǎng)、可靠耐用、維護(hù)費(fèi)用極為低的特點(diǎn)。目前的LED高效率現(xiàn)在已經(jīng)可以達(dá)到201m/w以上。由于LED響應(yīng)速度快（ns級(jí)），在汽車上安裝高位LED剎車燈，可以減少汽車追尾事故的發(fā)生。盡管超高亮LED具有許多優(yōu)點(diǎn)，但目前仍存在LED功率一般在5W以下，還沒有出現(xiàn)， 更大功率的LED還很難成為照明的首選產(chǎn)品。同時(shí)還要考慮高功率LED需要考慮散熱問題，結(jié)溫過高會(huì)直接影響LED的壽命，并且會(huì)增大LED的光衰，情況嚴(yán)重的會(huì)將LED燒壞。除了以上的問題，雖然LED目前已被大多數(shù)人看好，但其高昂的價(jià)格難以被消費(fèi)者接受。并且光有一顆好體質(zhì)的超高亮LED并不能解決所有問題，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)芯片也有利于超高亮LED的普及與推廣。

　　LED業(yè)界有人發(fā)現(xiàn)，采用恒壓源驅(qū)動(dòng)不能保證LED亮度的一致性，并且影響LED的可靠性、壽命和光衰。因此，超高亮LED通常采用恒流源驅(qū)動(dòng)。恒流電源可消除正向電壓變化所導(dǎo)致的電流變化。因此可產(chǎn)生恒定的LED亮度，無論正向電流如何變化。產(chǎn)生恒流電源很容易。只需要調(diào)整通過電流檢測(cè)電阻器的電壓，而不用調(diào)整電源的輸出電壓。以當(dāng)前主要大功率IED驅(qū)動(dòng)控制芯片性能比較，在應(yīng)用大功率IED驅(qū)動(dòng)控制芯片時(shí)，可以依據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)合進(jìn)行選擇：

　　1、當(dāng)需要較高功率時(shí)可選擇功率器件沒有整合在芯片內(nèi)的控制器，這樣就可以按照實(shí)際的功率需求單獨(dú)選擇功率器件。

　　2、當(dāng)需要較高的變換效率時(shí)，如便攜式設(shè)備等，可選擇開關(guān)電源類的驅(qū)動(dòng)電路。

　　3、當(dāng)應(yīng)用在可靠性高的設(shè)備中，可選擇具有溫度保護(hù)、故障報(bào)警等控制功能全面的芯片。