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[導讀]   LED熱量防止與降低:   與傳統(tǒng)光源一樣,半導體發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會產生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復合發(fā)生電致發(fā)光,在P-

  LED熱量防止與降低:

  與傳統(tǒng)光源一樣,半導體發(fā)光二極管(LED)在工作期間也會產生熱量,其多少取決于整體的發(fā)光效率。在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復合發(fā)生電致發(fā)光,在P-N結附近輻射出來的光還需經過芯片(chip)本身的半導體介質和封裝介質才能抵達外界(空氣)。綜合電流注入效率、輻射發(fā)光量子效率、芯片外部光取出效率等,最終大概只有30-40%的輸入電能轉化為光能,其鷂60-70%的能量主要以非輻射復合發(fā)生的點陣振動的形式轉化熱能。

  而芯片溫度的升高,則會增強非輻射復合,進一步消弱發(fā)光效率。因為,人們主觀上認為大功率 LED 沒有熱量,事實上確有。大量的熱,以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED 的人,對熱問題又不懂如何有效地解決,使得產品可靠性成為主要問題。那么, LED 究竟有沒有熱量產生呢?能產生多少熱量呢?LED 產生的熱量究竟有多大?

  LED 在正向電壓下,電子從電源獲得能量,在電場的驅動下,克服PN 結的電場,由N 區(qū)躍遷到P 區(qū),這些電子與P 區(qū)的空穴發(fā)生復合。由于漂移到P 區(qū)的自由電子具有高于P 區(qū)價電子的能量,復合時電子回到低能量態(tài),多鷂的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長與能量差 Eg 相關??梢姡l(fā)光區(qū)主要在PN 結附近,發(fā)光是由于電子與空穴復合釋放能量的結果。一脞半導體二極體,電子在進入半導體區(qū)到離開半導體區(qū)的全部路程中,都會遇到電阻。簡單地從原理上看,半導體二極體的物理結構簡單地從原理上看,半導體二極體的物理結構源負極發(fā)出的電子和回到正極的電子數是相等的。普通的二極體,在發(fā)生電子-空穴對的復合是,由于能級差Eg的因素,釋放的光子光譜不在可見光范圍內。

  電子在二極體內部的路途中,都會因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學的基本定律:

  P =I2 R =I2(RN ++RP )+IVTH

  式中:RN 是N 區(qū)體電阻,RP 是P 區(qū)體電阻。

  消耗的功率產生的熱量為:

  Q = Pt

  式中:t 為二極體通電的時間。

  本質上,LED 依然是一個半導體二極體。因此,LED 在正向工作時,它的工作過程符合上面的描述。它所它所消耗的電功率為:

  P LED = U LED &TImes; I LED

  式中:U LED 是LED 光源兩端的正向電壓

  I LED 是流過LED 的電流。

  這些消耗的電功率轉化為熱量放出:

  Q=P LED &TImes; t

  式中:t 為通電時間

  實際上,電子在P 區(qū)與空穴復合時釋放的能量,并不是由外電源直接提供的,而是由于該電子在N 區(qū)時,在沒有外電場時,它的能級就比P 區(qū)的價電子能級高出Eg。當它到達P 區(qū)后,與空穴復合而成為P 區(qū)的價電子時,它就會釋放出這?N多的能量。Eg 的大小是由材料本身決定的,與外電場無關。外電源對電子的作用只是推動它做定向移動,并克服PN 結的作用。

  LED 的產熱量與光效無關。不存在百分之幾的電功率產生光,其鷂百分之幾的電功率產生熱的關系。透過對大功率LED熱的產生、熱阻、結溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量,我們可以研究大功率LED的實際封裝設計、評估和產品應用。需要說明的是熱量管理是在LED產品的發(fā)光效率不高的現階段的關鍵問題,從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產生才是釜底抽薪之舉,這需要芯片制造、LED封裝及應用產品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術的進步。

  LED的IC驅動要怎樣選擇?

  隨著技術的發(fā)展, LED的功率在不斷提高,然而成本卻在不斷降低,采用低成本、高可靠性的驅動電路才是保證超高亮度LED具有持久亮度的關鍵。根據高亮度LED大功率恒流驅動的特點,很多公司都推出了高亮度LED的專用驅動控制芯片,這些生產LED驅動IC的廠商包括Melexis、lnfinton(英飛凌

  隨著技術的發(fā)展, LED的功率在不斷提高,然而成本卻在不斷降低,采用低成本、高可靠性的驅動電路才是保證超高亮度LED具有持久亮度的關鍵。根據高亮度LED大功率恒流驅動的特點,很多公司都推出了高亮度LED的專用驅動控制芯片,這些生產LED驅動IC的廠商包括Melexis、lnfinton(英飛凌)、Lienear Technology(凌力爾特)、Supenex Inc、Analog Devices(ADI)、通嘉科技(Leadtrend)、安茂微電子(AME),華潤矽威等等。

  與傳統(tǒng)的照明燈相比,超高亮LED具有壽命長、可靠耐用、維護費用極為低的特點。目前的LED高效率現在已經可以達到201m/w以上。由于LED響應速度快(ns級),在汽車上安裝高位LED剎車燈,可以減少汽車追尾事故的發(fā)生。盡管超高亮LED具有許多優(yōu)點,但目前仍存在LED功率一般在5W以下,還沒有出現, 更大功率的LED還很難成為照明的首選產品。同時還要考慮高功率LED需要考慮散熱問題,結溫過高會直接影響LED的壽命,并且會增大LED的光衰,情況嚴重的會將LED燒壞。除了以上的問題,雖然LED目前已被大多數人看好,但其高昂的價格難以被消費者接受。并且光有一顆好體質的超高亮LED并不能解決所有問題,選擇適當的驅動芯片也有利于超高亮LED的普及與推廣。

  LED業(yè)界有人發(fā)現,采用恒壓源驅動不能保證LED亮度的一致性,并且影響LED的可靠性、壽命和光衰。因此,超高亮LED通常采用恒流源驅動。恒流電源可消除正向電壓變化所導致的電流變化。因此可產生恒定的LED亮度,無論正向電流如何變化。產生恒流電源很容易。只需要調整通過電流檢測電阻器的電壓,而不用調整電源的輸出電壓。以當前主要大功率IED驅動控制芯片性能比較,在應用大功率IED驅動控制芯片時,可以依據不同的應用場合進行選擇:

  1、當需要較高功率時可選擇功率器件沒有整合在芯片內的控制器,這樣就可以按照實際的功率需求單獨選擇功率器件。

  2、當需要較高的變換效率時,如便攜式設備等,可選擇開關電源類的驅動電路。

  3、當應用在可靠性高的設備中,可選擇具有溫度保護、故障報警等控制功能全面的芯片。

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