日前IEEE電子電器工程師協(xié)會(huì)宣布，F(xiàn)inFET晶體管發(fā)明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?，這是IEEE協(xié)會(huì)的最高獎(jiǎng)勵(lì)，這一技術(shù)使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。

自從1965年，Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出“摩爾定律”以來(lái)，半導(dǎo)體工藝一直按照這個(gè)規(guī)律發(fā)展，2年提升一倍的晶體管密度。

不過(guò)摩爾定律原本應(yīng)該終結(jié)了，因?yàn)榘凑罩惖陌l(fā)展，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體工藝制造難度越來(lái)越大，特別是在28nm工藝之后。

胡正明教授在這個(gè)問(wèn)題上貢獻(xiàn)很大，他于1999年發(fā)明了FinFET晶體管，也叫鰭式晶體管或者3D晶體管，就是因?yàn)榫w管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。

FinFET晶體管的設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)，F(xiàn)inFET閘長(zhǎng)已可小于25nm，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm，約是人類頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。

Intel在2012年正式量產(chǎn)了3D晶體管技術(shù)，首發(fā)的是22nm工藝，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電、三星還停留在28nm工藝上，之后在16/14nm節(jié)點(diǎn)上他們才進(jìn)入了FinFET晶體管時(shí)代。

從這一點(diǎn)上來(lái)說(shuō)，胡正明教授發(fā)明的FinFET技術(shù)不僅拯救了摩爾定律，Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導(dǎo)體行業(yè)的公司都受益于胡正明教授的發(fā)明。