1. 在IAR 的集成開發(fā)環(huán)境中.選中你的工程，右鍵，點(diǎn)options,

2. 在Target 頁(yè)面中，Data Model選項(xiàng)，4選中Medium或Large,
3. 解釋:
- 選中SMALL只能訪問(wèn)64K以內(nèi)的空間，以外的空間只能有內(nèi)部函數(shù)訪問(wèn)
- 選中Medium 可以訪問(wèn)1M以內(nèi)的空間
- 選中Large可以訪問(wèn)全部空間

1.F5XX 430X
2.選擇Large small medium 產(chǎn)生效果是改變指針變量所占字節(jié)個(gè)數(shù).IAR中指針變量默認(rèn)2個(gè)字節(jié),選擇large占用4個(gè)字節(jié),那么指針就可以訪問(wèn)超過(guò)64K范圍的地址.
3.可以采用IAR內(nèi)部函數(shù), */

void __data20_write_char (unsigned long __addr,
unsigned char __value);

void __data20_write_short(unsigned long __addr,
unsigned short __value);

void __data20_write_long (unsigned long __addr,
unsigned long __value);

unsigned char __data20_read_char (unsigned long __addr);
unsigned long __data20_read_long (unsigned long __addr);

5438的flash操作方法
請(qǐng)教MSP430F5438有關(guān)flash操作的問(wèn)題，代碼見下，為什么固定地址的flash沒有改變？

代碼:
void main(void)
{

unsigned long SEGMENT = 0x20000ul;

WriteFlash(SEGMENT);
FlashErase(SEGMENT);

while(1)；

}代碼:
//擦除Flash指定地址：adr指定地址Y
void FlashErase(unsigned long pAddr)
{

uchar * Flash_ptr = (uchar *)pAddr;

_DINT();

while(BUSY & FCTL3);
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY+ERASE;
*Flash_ptr = 0;
while(BUSY & FCTL3);
FCTL3 = FWKEY+LOCK;
_EINT();
}代碼:
//寫入Flash指定地址：adr指定地址，
void WriteFlash(unsigned long pAddr)
{
_DINT();
unsigned int i;
uchar * Flash_ptr = (uchar *)pAddr;
while (FCTL3&BUSY);
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY+WRT;
for(i = 0; i < 128; i++)
{
*(Flash_ptr++) = record1[i];
while(!(WAIT & FCTL3));
}
while (FCTL3&BUSY);
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK;
_EINT();
}