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[導(dǎo)讀]1、概述數(shù)據(jù)位寬:BANK0:16/32位 其它BANK:8/16/32位BANK0-BANK5可接ROM、SRAMBANK6-BANK7可接ROM、SRAM、SDRAMBANK0-6的起始地址是固定的,BANK7的起始地址是可調(diào)整的BANK6-7的尋址范圍可通過(guò)編程調(diào)整所有存儲(chǔ)器B

1、概述
數(shù)據(jù)位寬:BANK0:16/32位
其它BANK:8/16/32位
BANK0-BANK5可接ROM、SRAM
BANK6-BANK7可接ROM、SRAM、SDRAM

BANK0-6的起始地址是固定的,BANK7的起始地址是可調(diào)整的

BANK6-7的尋址范圍可通過(guò)編程調(diào)整

所有存儲(chǔ)器BANK的訪問(wèn)周期可編程

總線訪問(wèn)周期可通過(guò)插入外部wait來(lái)延長(zhǎng)

支持SDRAM的自刷新和掉電模式

2、功能描述
(1)、BANK0的總線寬度由引腳OM1和OM2的電平信號(hào)決定。

(2)、BANK與ROM或SRAM連接時(shí),由芯片的數(shù)據(jù)輸出位寬決定將第幾根地址線與芯片的第0根地址線連接,此處
主要是保證字節(jié)對(duì)齊

(3)、BANK6-7與SDRAM連接時(shí),地址引腳連接計(jì)算方式如下:
由SDRAM芯片資料找出芯片的BANK數(shù)、每個(gè)BANK的存儲(chǔ)單元數(shù)和芯片輸出數(shù)據(jù)位寬
由BANK數(shù)確定需要使用幾根地址線用于BANK選擇
由每個(gè)BANK的存儲(chǔ)單元數(shù)確定需要使用多少根地址線用于存儲(chǔ)單元的選擇
最后由芯片的輸出數(shù)據(jù)位寬決定將第幾根地址線與SDRAM的第0根地址線連接
計(jì)算舉例:
用HY57V561620芯片組成32位的輸出數(shù)據(jù)位寬,每個(gè)芯片是由4個(gè)BANK組成,每個(gè)BANK的大小是4M
則用2根地址線用于BANK選擇,每個(gè)BANK有4M(4M=2^22)的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t用22根地址線用于存儲(chǔ)單
元選擇,到此共用2(BANK)+22(存儲(chǔ)單元)=24根地址線,又因?yàn)檩敵鰯?shù)據(jù)位寬是32位,4字節(jié)
對(duì)齊,所以將使用ARM的地址線A2-A25,A24、A25用于BANK選擇,從A2開(kāi)始的22根地址線用于存
儲(chǔ)單元選擇

(4)、nWAIT引腳操作
如果相對(duì)應(yīng)每個(gè)存儲(chǔ)器bank的WAIT位使能,當(dāng)存儲(chǔ)器bank被激活,nOE信號(hào)低電平有效持續(xù)時(shí)間可以被外部引腳nWAIT
所延長(zhǎng),在nWAIT是高電平后的下一個(gè)時(shí)鐘周期,nOE也會(huì)被置高電平。nWE與nOE也有同樣的關(guān)系

(5)、nXBREQ/nXBACK引腳操作
如果nXBREQ引腳被拉低電平,S3C2440置nXBACK引腳低電平對(duì)此響應(yīng),如果nXBACK為低電平,則地址/數(shù)據(jù)總線和存儲(chǔ)
器控制信號(hào)將處于高阻態(tài),當(dāng)nXBREQ引腳被拉高以后,nXBACK引腳也會(huì)恢復(fù)高電平

(6)、對(duì)SDRAM進(jìn)行控制時(shí)相關(guān)使用到的引腳說(shuō)明如下:
nSRAS:高電平表示正在輸出行地址
nSCAS:高電平表示正在輸出列地址
nSCS[1:0]:芯片選擇信號(hào),低電平有效,nSCS0是bank6,nSCS1是bank7
DQM[0:3]:ARM在對(duì)SDRAM讀寫時(shí),SDRAM控制器會(huì)先輸出行地址和SDRAM芯片的BANK選擇信號(hào),然后DQM引腳變低電平再輸
出列地址信號(hào),如果是寫操作,則DQM[0:3]各引腳的高低電平與nWBE[0:3]一個(gè)意思
SCLK[1:0]:讀寫時(shí)鐘信號(hào),SCLK0是bank6的信號(hào),SCLK1是bank7
SCKE:是時(shí)鐘信號(hào)使能信號(hào)
nWBE[0:3]:當(dāng)向外寫一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí),如果該數(shù)據(jù)是一個(gè)字節(jié)的,則WBE[0]為按時(shí)序工作,其它三個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是兩個(gè)字節(jié)的,則WBE[0:1]按時(shí)序工作,其它兩個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是三個(gè)字節(jié)的,則WBE[0:2]按時(shí)序工作,其它的始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是四個(gè)字節(jié)的,則這四個(gè)引腳按時(shí)序工作
當(dāng)讀一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí),四個(gè)引腳都為高電平
所以在控制SDRAM芯片時(shí),芯片上的DQM引腳會(huì)與ARM的nWBE引腳連,以控制寫入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。

(7)、對(duì)ROM控制時(shí)相關(guān)使用到的控制引腳說(shuō)明如下:
OM[1:0]:用于bank0的數(shù)據(jù)位寬選擇
nGCS[7:0]:充當(dāng)片選信號(hào)
nWE:低電平有效,表示arm向外寫數(shù)據(jù)
nOE:低電平有效,表示arm要從外設(shè)讀取數(shù)據(jù)
nWBE[0:3]:當(dāng)向外寫一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí),如果該數(shù)據(jù)是一個(gè)字節(jié)的,則WBE[0]為按時(shí)序工作,其它三個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是兩個(gè)字節(jié)的,則WBE[0:1]按時(shí)序工作,其它兩個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是三個(gè)字節(jié)的,則WBE[0:2]按時(shí)序工作,其它的始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是四個(gè)字節(jié)的,則這四個(gè)引腳按時(shí)序工作
當(dāng)讀一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí),四個(gè)引腳都為高電平
所以在控制SDRAM芯片時(shí),芯片上的DQM引腳會(huì)與ARM的nWBE引腳連,以控制寫入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。

(8)、對(duì)SRAM控制時(shí)相關(guān)使用到的控制引腳說(shuō)明如下:
nGCS[7:0]:片選信號(hào)
nWE:低電平有效,表示arm向外寫數(shù)據(jù)
nOE:低電平有效,表示arm要從外設(shè)讀取數(shù)據(jù)
nBE[3:0]:對(duì)SRAM高低字節(jié)選通信號(hào),nBE0表示數(shù)據(jù)的0-7位,nBE1表示數(shù)據(jù)的8-15位,nBE2表示數(shù)據(jù)的16-23位,nBE4表示數(shù)據(jù)的24-31位

注:nBE[3:0]是nWBE[3:0]和nOE的與信號(hào)


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