1、概述
數(shù)據(jù)位寬：BANK0：16/32位
其它BANK：8/16/32位
BANK0-BANK5可接ROM、SRAM
BANK6-BANK7可接ROM、SRAM、SDRAM

BANK0-6的起始地址是固定的，BANK7的起始地址是可調(diào)整的

BANK6-7的尋址范圍可通過(guò)編程調(diào)整

所有存儲(chǔ)器BANK的訪問(wèn)周期可編程

總線訪問(wèn)周期可通過(guò)插入外部wait來(lái)延長(zhǎng)

支持SDRAM的自刷新和掉電模式

2、功能描述
（1）、BANK0的總線寬度由引腳OM1和OM2的電平信號(hào)決定。

（2）、BANK與ROM或SRAM連接時(shí)，由芯片的數(shù)據(jù)輸出位寬決定將第幾根地址線與芯片的第0根地址線連接，此處
主要是保證字節(jié)對(duì)齊

（3）、BANK6-7與SDRAM連接時(shí)，地址引腳連接計(jì)算方式如下：
由SDRAM芯片資料找出芯片的BANK數(shù)、每個(gè)BANK的存儲(chǔ)單元數(shù)和芯片輸出數(shù)據(jù)位寬
由BANK數(shù)確定需要使用幾根地址線用于BANK選擇
由每個(gè)BANK的存儲(chǔ)單元數(shù)確定需要使用多少根地址線用于存儲(chǔ)單元的選擇
最后由芯片的輸出數(shù)據(jù)位寬決定將第幾根地址線與SDRAM的第0根地址線連接
計(jì)算舉例：
用HY57V561620芯片組成32位的輸出數(shù)據(jù)位寬，每個(gè)芯片是由4個(gè)BANK組成，每個(gè)BANK的大小是4M
則用2根地址線用于BANK選擇，每個(gè)BANK有4M（4M=2^22）的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t用22根地址線用于存儲(chǔ)單
元選擇，到此共用2（BANK）+22（存儲(chǔ)單元）=24根地址線，又因?yàn)檩敵鰯?shù)據(jù)位寬是32位，4字節(jié)
對(duì)齊，所以將使用ARM的地址線A2-A25，A24、A25用于BANK選擇，從A2開(kāi)始的22根地址線用于存
儲(chǔ)單元選擇

（4）、nWAIT引腳操作
如果相對(duì)應(yīng)每個(gè)存儲(chǔ)器bank的WAIT位使能，當(dāng)存儲(chǔ)器bank被激活，nOE信號(hào)低電平有效持續(xù)時(shí)間可以被外部引腳nWAIT
所延長(zhǎng)，在nWAIT是高電平后的下一個(gè)時(shí)鐘周期，nOE也會(huì)被置高電平。nWE與nOE也有同樣的關(guān)系

（5）、nXBREQ/nXBACK引腳操作
如果nXBREQ引腳被拉低電平，S3C2440置nXBACK引腳低電平對(duì)此響應(yīng)，如果nXBACK為低電平，則地址/數(shù)據(jù)總線和存儲(chǔ)
器控制信號(hào)將處于高阻態(tài)，當(dāng)nXBREQ引腳被拉高以后，nXBACK引腳也會(huì)恢復(fù)高電平

（6）、對(duì)SDRAM進(jìn)行控制時(shí)相關(guān)使用到的引腳說(shuō)明如下：
nSRAS:高電平表示正在輸出行地址
nSCAS:高電平表示正在輸出列地址
nSCS[1:0]:芯片選擇信號(hào)，低電平有效，nSCS0是bank6,nSCS1是bank7
DQM[0:3]：ARM在對(duì)SDRAM讀寫時(shí)，SDRAM控制器會(huì)先輸出行地址和SDRAM芯片的BANK選擇信號(hào)，然后DQM引腳變低電平再輸
出列地址信號(hào)，如果是寫操作，則DQM[0:3]各引腳的高低電平與nWBE[0:3]一個(gè)意思
SCLK[1:0]:讀寫時(shí)鐘信號(hào)，SCLK0是bank6的信號(hào)，SCLK1是bank7
SCKE：是時(shí)鐘信號(hào)使能信號(hào)
nWBE[0:3]：當(dāng)向外寫一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，如果該數(shù)據(jù)是一個(gè)字節(jié)的，則WBE[0]為按時(shí)序工作，其它三個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是兩個(gè)字節(jié)的，則WBE[0:1]按時(shí)序工作，其它兩個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是三個(gè)字節(jié)的，則WBE[0:2]按時(shí)序工作，其它的始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是四個(gè)字節(jié)的，則這四個(gè)引腳按時(shí)序工作
當(dāng)讀一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，四個(gè)引腳都為高電平
所以在控制SDRAM芯片時(shí)，芯片上的DQM引腳會(huì)與ARM的nWBE引腳連，以控制寫入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。

（7）、對(duì)ROM控制時(shí)相關(guān)使用到的控制引腳說(shuō)明如下：
OM[1:0]:用于bank0的數(shù)據(jù)位寬選擇
nGCS[7:0]:充當(dāng)片選信號(hào)
nWE:低電平有效，表示arm向外寫數(shù)據(jù)
nOE:低電平有效，表示arm要從外設(shè)讀取數(shù)據(jù)
nWBE[0:3]：當(dāng)向外寫一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，如果該數(shù)據(jù)是一個(gè)字節(jié)的，則WBE[0]為按時(shí)序工作，其它三個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是兩個(gè)字節(jié)的，則WBE[0:1]按時(shí)序工作，其它兩個(gè)始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是三個(gè)字節(jié)的，則WBE[0:2]按時(shí)序工作，其它的始終為高電平
如果該數(shù)據(jù)是四個(gè)字節(jié)的，則這四個(gè)引腳按時(shí)序工作
當(dāng)讀一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，四個(gè)引腳都為高電平
所以在控制SDRAM芯片時(shí)，芯片上的DQM引腳會(huì)與ARM的nWBE引腳連，以控制寫入數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。

（8）、對(duì)SRAM控制時(shí)相關(guān)使用到的控制引腳說(shuō)明如下：
nGCS[7:0]:片選信號(hào)
nWE:低電平有效，表示arm向外寫數(shù)據(jù)
nOE:低電平有效，表示arm要從外設(shè)讀取數(shù)據(jù)
nBE[3:0]:對(duì)SRAM高低字節(jié)選通信號(hào)，nBE0表示數(shù)據(jù)的0-7位，nBE1表示數(shù)據(jù)的8-15位，nBE2表示數(shù)據(jù)的16-23位，nBE4表示數(shù)據(jù)的24-31位

注：nBE[3:0]是nWBE[3:0]和nOE的與信號(hào)