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[導(dǎo)讀] 在初寫STM32程序時,遇到一個困惑,STM32的Flash在MDK里被設(shè)置為起始地址0x0800 0000,而CM3手冊規(guī)定芯片復(fù)位時要從0x0000 0000地址開始取出中斷向量 ,那STM32怎么樣執(zhí)行代碼呢?地址重映射?或者在0x

在初寫STM32程序時,遇到一個困惑,STM32的Flash在MDK里被設(shè)置為起始地址0x0800 0000,而CM3手冊規(guī)定芯片復(fù)位時要從0x0000 0000地址開始取出中斷向量 ,那STM32怎么樣執(zhí)行代碼呢?地址重映射?或者在0x0000 0000里有對應(yīng)有實際存儲器?

仔細閱讀手冊,發(fā)現(xiàn)這件事是因為STM32設(shè)計的Flash起始地址是在0x0800 0000位置開始的。全部代碼都只能從這里開始存儲。詳見STM32 referenc manual手冊第54頁。

那既然從這里才能存儲代碼,就必須在MDK里設(shè)置Flash地址為0x0800 0000,下面是MDK設(shè)置頁面,這個應(yīng)該都看到過。

這樣就還有一個問題,理論上,CM3中規(guī)定上電后CPU是從0地址開始執(zhí)行,但是這里中斷向量表卻被燒寫在0x0800 0000地址里,那啟動時不就找不到中斷向量表了?既然CM3定下的規(guī)矩是從0地址啟動,SMT32當(dāng)然不能破壞ARM定下的“規(guī)矩”,所以它做了一個啟動映射的過程,就是和芯片上總能見到的BOOT0和BOOT1有關(guān)了,當(dāng)選擇從主Flash啟動模式后,芯片一上電,F(xiàn)lash的0x0800 0000地址被映射到0地址處,不影響CM3內(nèi)核的讀取,所以這時的CM3既可以在0地址處訪問中斷向量表,也可以在0x0800 0000地址處訪問中斷向量表,而代碼還是在0x0800 0000地址處存儲的。這就是最難理解的地方,其實,這是基本上所有ARM芯片采用的啟動映射方法。ARM7,ARM9沒有內(nèi)部Flash的通常都是這樣做的。這個過程出自STM32 referenc manual手冊,里面是有說明的。

還要注意,這個中斷向量表是可以在程序中再次被映射的。控制它的就是CM3已經(jīng)規(guī)定的NVIC寄存器SCB->VTOR。在STM32庫中給出的啟動代碼里,startup_stm32f10x_hd.s文件里,第146行,是上電后讀取中斷向量表中的復(fù)位中斷位置,并執(zhí)行復(fù)位中斷處理代碼,代碼如下:

; Reset handler
Reset_Handler PROC
EXPORT Reset_Handler [WEAK]
IMPORT __main
IMPORT SystemInit
LDR R0, =SystemInit
BLX R0
LDR R0, =__main
BX R0
ENDP

注意復(fù)位后第一個被執(zhí)行的是SystemInit代碼,這個代碼在庫目錄下的system_stm32f10x.c文件里,它初始化了時鐘,NVIC等一系列操作,這里摘要與中斷向量有關(guān)的代碼:

void SystemInit (void)

{

......

#ifdef VECT_TAB_SRAM
SCB->VTOR = SRAM_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal SRAM. */
#else
SCB->VTOR = FLASH_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal FLASH. */
#endif
}

可以看出中斷向量重映射是一個選擇性編譯,通常宏定義VECT_TAB_SRAM都沒有被定義,所以這里執(zhí)行結(jié)束后,SCB->VTOR就是FLASH_BASE了,值為0x0800 0000。以后CM3再取中斷向量里,就會根據(jù)SCB->VTOR的設(shè)置,從這里取向量執(zhí)行了。中斷向量自此終于轉(zhuǎn)正。

注意這時連__main函數(shù)都還沒進,看起來中斷向量的重映射位置還是夠早的。


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