C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法
摘要:為避免在程序運行時向單片機(jī)內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導(dǎo)致復(fù)位,采用調(diào)用鎖定與關(guān)鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機(jī)的Flash進(jìn)行擦除、寫入和讀取操作,并提供程序范例。該方法無需任何接口電路,使用方便,成本低且安全可靠。此方法已應(yīng)用于包裝機(jī)控制器,實現(xiàn)包裝參數(shù)的保存和修改,效果良好。
關(guān)鍵詞:C805lF35X;Flash;單片機(jī);包裝機(jī)
C805lF35X是Cygnal公司推出的混合信號片上系統(tǒng)型單片機(jī)MCU,采用CIP-5l內(nèi)核可大大提升指令運行速度,另外該器件內(nèi)部還具有一個完整而先進(jìn)的時鐘系統(tǒng)和片內(nèi)調(diào)試電路,其內(nèi)置的Flash代替ROM和EPROM,不僅為用戶的存儲提供方便,還大大簡化電路。這里給出使用C80-5lF35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲器的擦除、寫入和讀取操作方法。
1 存儲器結(jié)構(gòu)
C805lF35X單片機(jī)內(nèi)部含有2個獨立的存儲器:程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。程序存儲器中包含8 KB可在系統(tǒng)編程的Flash存儲器。C8051-F35X通過設(shè)置程序存儲寫允許位(PSCTL.0)采用MOVX指令對程序存儲器寫入。如圖l所示。
這8 KB的Flash存儲器在一個連續(xù)的存儲器塊內(nèi)(地址范圍為OX0000~OXlDFF,OXlE00以上的地址保留),其通過硬件接口或采用MOVX指令對Flash存儲器在系統(tǒng)編程。
為了保證操作正確,寫入和擦除操作由硬件自動定時,無需數(shù)據(jù)查詢判斷寫/擦除操作何時結(jié)束。程序在Flash寫入/擦除操作時停止執(zhí)行。
2 Flash存儲器的鎖定與解鎖
在Flash操作之前,必須按順序向Flash鎖定和關(guān)鍵碼寄存器(FLKEY)寫入正確的關(guān)鍵碼,該關(guān)鍵碼禁止對知識產(chǎn)權(quán)信息(以程序或常數(shù)形式存儲在Flash中)進(jìn)行未經(jīng)授權(quán)訪問或防止用戶無意修改程序代碼以及因系統(tǒng)條件異常導(dǎo)致代碼改變。寫關(guān)鍵碼時必須按順序?qū)?,否則Flash寫入或擦除操作被禁止,直到下一次系統(tǒng)復(fù)位。存儲在Flash用戶空間的最后一個字節(jié)的安全鎖定字節(jié)保護(hù)Flash存儲器,使其不被非保護(hù)代碼或通過硬件接口讀寫或擦除。使用安全鎖定字節(jié)時有以下關(guān)鍵點:1)將Flash安全字節(jié)中的位設(shè)置為0,保護(hù)Flash存儲器不通過JTAG接口被訪問;2)采用軟件設(shè)置一個軟件讀訪問限制,保護(hù)存儲器不被讀??;3)已被軟件訪問保護(hù)的Flash存儲器也應(yīng)用Flash安全字節(jié)進(jìn)行保護(hù)。使其不通過JTAG接口訪問;4)在保護(hù)Flash時,包含F(xiàn)lash安全字節(jié)的Flash頁也應(yīng)保護(hù);5)如果最終用戶無需訪問Flash,可通過簡單鎖定整個Flash存儲器保護(hù)其不通過JTAG訪問。
3 Flash數(shù)據(jù)擦除
采用軟件MOVX指令對Flash存儲器編程,在使用MOVX指令前,先允許Flash寫操作,其過程為:1)將程序存儲寫允許位PSWE(PSCTL.0)設(shè)置為邏輯“1”,這將使MOVX操作指向目標(biāo)Flash存儲器;2)按順序向Flash鎖定寄存器(FLKEY)寫入Flash關(guān)鍵碼,PSWE位將保持置位狀態(tài),直到被軟件清除。
在采用軟件修改Flash內(nèi)容前,PSWE必須置為邏輯“l(fā)”;而在軟件擦除Flash存儲器前,PSWE位和PSEE位都必須置為邏輯“1”。寫入Flash存儲器操作可清除數(shù)據(jù)位,但不能使數(shù)據(jù)位置“1”,只有擦除操作能將Flash中的數(shù)據(jù)位置為“l(fā)”。所以在寫入新值前,必須先擦除待編程地址。Flash存儲器是以512字節(jié)的扇區(qū)為單位構(gòu)成的,一次擦除操作將擦除整個扇區(qū)(將扇區(qū)內(nèi)的所有字節(jié)置為OXFF)。
擦除一個扇區(qū)的步驟如下:1)禁止中斷;2)置“l(fā)”程序存儲器擦除允許位(PSCTL中的PSEE),以允許Flash扇區(qū)移除:3)置“1”程序存儲器寫允許位(PSCTL中的PSWE),允許Flash寫入;4)向FLKEY寫第1個關(guān)鍵碼:0XA5;5)向FLKEY寫第2個關(guān)鍵碼:0XFl;6)用MOVx指令向待擦除頁內(nèi)的任何一個地址寫入1個數(shù)據(jù)字節(jié);7)清除PSWE和PSEE位;8)重新允許中斷。
4 Flash數(shù)據(jù)寫入
Flash存儲器可一次寫1個字節(jié),也可一次寫1組字節(jié),寄存器PFEOCN中的FLBWE位為一次Flash寫操作可寫入1個或2個字節(jié)。當(dāng)FLBWE清零時,每次Flash寫操作寫入1個字節(jié);當(dāng)FLBWE位置為“1”時,每次Flash寫操作寫入2個字節(jié)(塊寫)。塊寫時間與單字節(jié)寫的時間相同,在向Flash存儲器寫入大量數(shù)據(jù)時可節(jié)省時間。在單字節(jié)寫Flash時,分別寫入字節(jié)數(shù)據(jù),每個MOVX寫指令執(zhí)行一次Flash寫操作。C805lF35X的Flash存儲器寫入程序代碼如下:
5 Flash數(shù)據(jù)讀取
由于Flash讀操作采用MOVC指令實現(xiàn),因此用于讀操作的Flash指針必須是CODE類型。由于Flash寫操作是用MOVX指令實現(xiàn)的,所以寫入或擦除操作的Flash指針必須是XDATA類型。對于C8051F35X的Flash存儲器讀取數(shù)據(jù)程序代碼如下:
6 實際應(yīng)用
C805lF35X內(nèi)部Flash存儲器的讀寫操作可應(yīng)用于包裝機(jī)控制器的參數(shù)存儲。在開機(jī)運行時如果每次重新輸入分裝重量值、分裝精度等參數(shù)會降低工作效率,這時需在系統(tǒng)上電后自行調(diào)用事先設(shè)置的參數(shù)以簡化工作人員的操作步驟,提高生產(chǎn)效率。圖2是包裝機(jī)參數(shù)調(diào)用流程。開機(jī)上電后先初始化串口,如果按下設(shè)置鍵重新設(shè)置分裝重量,內(nèi)部Flash需保存新參數(shù),先將事先保存在Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)刪除后再寫入新數(shù)據(jù),使掉電時數(shù)據(jù)不丟失,可在下次開機(jī)時直接調(diào)用數(shù)據(jù)。此方法已成功運用于包裝機(jī)控制器中。
7 結(jié)論
C805lF系列的其他型號的單片機(jī)Flash的基本操作只需修改上述程序代碼即可完成Flash存儲器的相關(guān)操作。此外,在線寫入C805lF35X單片機(jī)片內(nèi)Flash時需注意:1)Flash讀寫或擦除地址超出用戶代碼空間引起系統(tǒng)復(fù)位;2)1個Flash位一旦清零,必須經(jīng)擦除才能回到“1”狀態(tài),在重新寫入之前,一般要將數(shù)據(jù)字節(jié)擦除(置為0XFF);3)為保證Flash內(nèi)容的正確性,用戶使用軟件對Flash存儲器進(jìn)行寫或擦除操作時,需先使能片內(nèi)VDD監(jiān)視器。