所謂CMOS (Complementary MOS)，是在集成電路設計中，同時采用兩種MOS器件：NMOS和PMOS，并通常配對出現(xiàn)的一種電路結構。CMOS電路及其技術已成為當今集成電路，尤其是大規(guī)模電路、超大規(guī)模集成電路的主流技術。CMOS結構的主要優(yōu)點是電路的靜態(tài)功耗非常小，電路結構簡單規(guī)則，使得它可以用于大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路。

下圖為CMOS結構的剖面示意圖，為了能在同一硅材料(Wafer)上制作兩種不同類型的MOS器件，必須構造兩種不同類型的襯底，圖中所示結構是在N型硅襯底上，專門制作一塊P型區(qū)域(p阱)作為NMOS的襯底的方法。同樣地，也可在P型硅襯底上專門制作一塊N型區(qū)域(n阱)，作為PMOS的襯底。為防止源/漏區(qū)與襯底出現(xiàn)正偏置，通常P型襯底應接電路中最低的電位，N型襯底應接電路中最高的電位。為保證電位接觸的良好，在接觸點采用重摻雜結構。