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[導(dǎo)讀]引言 開關(guān)磁阻電機(jī)(Switched Reluctance Motor,SRM)的控制對(duì)實(shí)時(shí)性的要求很高,它需要不斷地判斷其轉(zhuǎn)子瞬時(shí)位置、相電流等信息,進(jìn)而控制SRM換相,實(shí)現(xiàn)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。而作為SRM的控制核心,不僅要實(shí)現(xiàn)上述SRM基本控

引言
    開關(guān)磁阻電機(jī)(Switched Reluctance Motor,SRM)的控制對(duì)實(shí)時(shí)性的要求很高,它需要不斷地判斷其轉(zhuǎn)子瞬時(shí)位置、相電流等信息,進(jìn)而控制SRM換相,實(shí)現(xiàn)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。而作為SRM的控制核心,不僅要實(shí)現(xiàn)上述SRM基本控制功能,而且要實(shí)現(xiàn)各種控制策略(包括電流斬波控制、電壓PWM控制、角度位置控制),甚至是很復(fù)雜的SRM優(yōu)化算法的應(yīng)用。因此,SRM的控制需要一個(gè)性能優(yōu)越的控制核心。
    TI公司推出的TMS320F2812是一款性能非常優(yōu)越的數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),最高工作時(shí)鐘頻率可達(dá)150MHz。其外設(shè)功能十分強(qiáng)大,存儲(chǔ)資源也很豐富:芯片內(nèi)部集成了18K SARAM(M0、M1各1K,L0、L1各4K,H0為8K),F(xiàn)lash為128K;且預(yù)留了5個(gè)擴(kuò)展空間,方便用戶進(jìn)行功能擴(kuò)展。這就為TMS320F2812運(yùn)行方式的多樣化提供了條件,同時(shí)也是選其作為SRM控制核心的原因。

1 TMS320F2812三種運(yùn)行方式的實(shí)現(xiàn)
    TMS320F2812代碼的開發(fā)環(huán)境為CCS,其工程一般由頭文件、源文件、庫文件以及連接命令文件(CMD)四種文件組成。頭文件采用位域結(jié)構(gòu)體進(jìn)行定義,方便用戶操作相關(guān)寄存器;源文件保存用戶開發(fā)時(shí)編寫的軟件代碼;庫文件為系統(tǒng)文件,無法修改;CMD文件則是用來分配存儲(chǔ)空間的,它告訴鏈接器將編譯器生成的段鏈接到哪。所以,要想實(shí)現(xiàn)代碼運(yùn)行方式的多樣化,必須很好地了解CMD文件。
    CMD文件包括MEMORY和SECTIONS。其中,MEMORY的作用是指示存儲(chǔ)空間的起始位置和長度,而SECTIONS的作用是將各種初始化段和非初始化段分配到相應(yīng)的存儲(chǔ)空間。二者都是由編譯器自己編譯、生成及歸類的。初始化段包括所有的代碼、常量及初始化表格等;非初始化段由變量、堆棧等組成。用戶也可以通過“#pragma DATA_SECTION”和“#pragma CODE_SECTION”指令,將自己定義的數(shù)據(jù)段或代碼段分配到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)空間或程序空間,完成映射。
1.1 RAM調(diào)試運(yùn)行
    RAM調(diào)試運(yùn)行指的是將用戶編寫的代碼下載(load)到片內(nèi)RAM,并在RAM上直接運(yùn)行的一種運(yùn)行方式。這種方式實(shí)際上就是通常所說的在線仿真。TMS320F2812通過仿真器與主機(jī)相連,主機(jī)能夠在線調(diào)試程序,例如啟動(dòng)、停止、單步運(yùn)行、設(shè)置斷點(diǎn)等。
    RAM調(diào)試運(yùn)行方式實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單,其程序流程為:code_start-> wd_disable-> c_int00-> main()。 code_start和wd_disable的程序包含于DSP281x_CodeStartBranch.a(chǎn)sm中,具體程序如下:

   
    段生成完畢,還需要在CMD文件中將其映射到RAMH0上,即所謂的H0啟動(dòng)模式。之后程序就會(huì)照流程直接在RAMH0上運(yùn)行程序,實(shí)現(xiàn)RAM調(diào)試運(yùn)行的方式。

1.2 Flash直接運(yùn)行
    Flash直接運(yùn)行指的是將用戶編寫的代碼燒寫到Flash,并在Flash初始化完成后,用戶代碼運(yùn)行于Flash上的一種運(yùn)行方式。
    與RAM調(diào)試運(yùn)行相比,F(xiàn)lash直接運(yùn)行的程序流程多了一個(gè)Memory_copy的環(huán)節(jié),即code_start-> wd_disable-> c_int00-> main()-> Memory_copy。這是因?yàn)橐朐贔lash上直接運(yùn)行程序,就需要配置好Flash控制寄存器(FACTIVEWAIT、FBANKWAIT等)。但這些寄存器是不能在Flash上直接配置的,所以只能將包含這些配置語句的Flash初始化函數(shù)InitFlash()搬運(yùn)到RAM中運(yùn)行。
    InitFlash()的搬運(yùn)是通過指令“#pragma CODE_SECTION(InitFlash,“ramfunes”)”和CMD文件配置實(shí)現(xiàn)的。前者將函數(shù)InitFlash()映射到段ramfuncs,后者在SECTIONS中作如下配置:
    ramfuncs:LOAD=FLASH,PAGE=0
         RUN=RAML0,PAGE=0
         LOAD_START(_RamfuncsLoadStart),
    LOAD_END(_RamfuncsLoadEnd),
         RUN_START(_RamfuncsRunStart)
    其中,RamfuncsLoadStart等為已定義好的3個(gè)外部全局變量。這樣配置后,只需要在主程序main()中先調(diào)用MemCopy(&Ram-funcsLoad Start,&Ramfuncs LoadEnd,&Ram funcsRunStart)將已經(jīng)燒寫到Flash中的初始化函數(shù)InitFlash()代碼全部復(fù)制到以Ram-funcsRun
Start開頭的RAM中,再調(diào)用函數(shù)InitFlash()就實(shí)現(xiàn)了InitFlash()的搬運(yùn)。
    最后需要注意的一點(diǎn)就是,給codestart段分配的BEGIN段需要映射到以0x3F7FF6開頭的一段Flash上,用于Flash啟動(dòng)模式,而不再是在RAM上。如此配置之后,其他用戶代碼就可以在Flash上正常運(yùn)行了。
1.3 Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行
    Flash直接運(yùn)行歸根到底就是實(shí)現(xiàn)了一個(gè)函數(shù)從Flash到RAM的搬運(yùn),而Flash到RAM的全搬運(yùn)運(yùn)行就是將所有初始化段全部搬運(yùn)到RAM的一種運(yùn)行方式。因此,其程序流程也與Flash直接運(yùn)行類似,即code_start-> wd_disable-> copy_sections-> c_int00-> main()。與Memory_ copy不一樣的是,copy_sections搬運(yùn)的是由編譯器編譯生成的初始化段(.text、.cinit、.pinit等),而不是某一個(gè)函數(shù)了。所以,不能把該段放到C語言環(huán)境建立之后,而應(yīng)在屏蔽看門狗后,否則程序無法運(yùn)行。而且,搬運(yùn)代碼也只能用匯編語言編寫,具體程序在文件DSP28 xx_SectionCopy.a(chǎn)sm中實(shí)現(xiàn),以.text段的搬運(yùn)為例:

    代碼把燒寫地址和運(yùn)行地址分別存儲(chǔ)到XAR6和XAR7寄存器后,并將該段大小存入累加器ACC,通過判斷累加器ACC是否為零來完成某個(gè)段的復(fù)制。copysections段直接分配到Flash地址空間。而被搬運(yùn)的.text段在CMD文件中的配置則與Flash直接運(yùn)行方式的ramfuncs段的配置類似,.text段燒寫到Flash空間,復(fù)制到RAM后再運(yùn)行。
    另外,DSP281x_CodeStartBranch.a(chǎn)sm中的.ref_c_int00應(yīng)修改為.ref copy_sections,同時(shí)將wd_disable映射到wddisable段,并分配到Flash地址空間。

2 SRM控制應(yīng)用研究
    TM8320F2812的三種運(yùn)行方式下載與運(yùn)行存儲(chǔ)介質(zhì)的不同,使得三種運(yùn)行方式的特點(diǎn)不盡相同,各有利弊,適合于不同情況下SRM控制的程序調(diào)試。
    RAM調(diào)試運(yùn)行代碼下載到RAM,并采用H0啟動(dòng)模式,程序直接在RAM上運(yùn)行,運(yùn)行速度快,可以正常地運(yùn)行于150MHz的系統(tǒng)時(shí)鐘下。而且,主機(jī)通過仿真器與TMS320F2812相連,能夠在線調(diào)試程序,例如啟動(dòng)、停止、單步運(yùn)行、設(shè)置斷點(diǎn)等等。在線調(diào)試功能對(duì)于剛開始的代碼編寫和修改是非常有用的,但RAM調(diào)試運(yùn)行受限于RAM空間的大小,無法運(yùn)行很大的程序;同時(shí),必須使仿真器與主機(jī)相連,否則無法運(yùn)行程序。RAM掉電代碼消失的特點(diǎn)更是限制了RAM調(diào)試運(yùn)行方式在實(shí)際中的應(yīng)用。因此RAM調(diào)試運(yùn)行適合于初期SRM控制的程序調(diào)試。此時(shí),SRM控制的母線電壓值不是很高,程序代碼不是很大,同時(shí)可以很方便地觀察一些變量的變化,方便記錄分析。
    當(dāng)SRM控制的母線電壓值提升上來(220 V以上)后,程序越來越大,設(shè)計(jì)也越趨于完善,不可能一直使用仿真器進(jìn)行調(diào)試,將程序下載到Flash就成為了唯一的選擇。Flash直接運(yùn)行代碼燒寫到Flash中,采用Flash啟動(dòng)模式,程序最終在Flash上運(yùn)行。128K的地址空間能夠滿足大程序的運(yùn)行,而且燒寫到Flash的代碼掉電后不會(huì)消失,也不需要再連接仿真器,使得TMS320F2812能夠很好完成實(shí)際應(yīng)用。但Flash運(yùn)行速度慢,對(duì)運(yùn)行時(shí)間要求苛刻的程序如直接在Flash上運(yùn)行,往往不能滿足要求,使得SRM工作性能下降。
    Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行綜合了二者的優(yōu)點(diǎn),代碼燒寫到Flash中,在C語言環(huán)境建立之前先將所有初始化相關(guān)段搬運(yùn)到RAM中再運(yùn)行,既實(shí)現(xiàn)了代碼的掉電不消失,又保證了代碼的全速運(yùn)行。唯一的缺點(diǎn)就是受限于RAM空間的大小,不能運(yùn)行太大的程序,否則可能溢出。
    為了簡(jiǎn)單驗(yàn)證3種運(yùn)行方式的不同,本文利用了TMS320F2812的32位CPU定時(shí)器Cputimer0,因?yàn)樵摱〞r(shí)器工作于150 MHz,可以更好地看出各種運(yùn)行方式的不同。Cputimer0產(chǎn)生40 kHz高速中斷,在中斷服務(wù)程序中翻轉(zhuǎn)某GPIO口電平,觀測(cè)其波形,頻率應(yīng)為20kHz。代碼在RAM中運(yùn)行正常,頻率為20 kHz;而在Flash中運(yùn)行要慢一點(diǎn),為19.97kHz。而且程序越大,這種限制也就越明顯。

3 結(jié)論
    本文詳細(xì)地介紹了TMS320F2812的3種運(yùn)行方式的實(shí)現(xiàn)方法,對(duì)它們運(yùn)行的特點(diǎn)進(jìn)行了分析,并作了簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。3種運(yùn)行方式各有利弊,在實(shí)際SRM控制應(yīng)用中,應(yīng)該充分地理解它們各自的特點(diǎn),選取最適合的方式更快、更好地完成實(shí)際應(yīng)用。

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