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1 甲乙類存儲(chǔ)單元
在便攜式電子系統(tǒng)中,功耗是一個(gè)關(guān)鍵性問題。甲類存儲(chǔ)單元的輸入信號(hào)擺幅受偏置電流制約,即輸入信號(hào)幅度不能超過偏置電流幅度;如果要增大信號(hào)擺幅,必須相應(yīng)增大偏置電流,這無疑會(huì)使電路的靜態(tài)功耗增大,因此甲類電路無法滿足現(xiàn)代電子系統(tǒng)的低電壓、低功耗設(shè)計(jì)需求。而甲乙類結(jié)構(gòu)的電路僅需要極小的偏置電流就能實(shí)現(xiàn)較大的信號(hào)擺幅,即輸入信號(hào)的幅度可以超過偏置電流幅度,所以很適合于低功耗電路應(yīng)用。
本文采用如圖1所示的甲乙類存儲(chǔ)單元進(jìn)行電路設(shè)計(jì),電路原理如下:M1、M2為二極管接法的晶體管,M3、M4為存儲(chǔ)管,電路采用單相時(shí)鐘控制。在采樣相φ1[n]:Vgs1=Vgs3,Vgs2=Vgs4,其中Vgs1、Vgs2、Vgs3和Vgs4分別為晶體管M1~M4的柵-源電壓;輸出電流為iout[n]=-Aiin[n],其中A為電流增益因子。在保持相φ1[n+1/2]:M3、M4的柵電容上的柵電壓保持為Vgs1和Vgs3,所以輸出電流為iout[n+1/2]=-Aiin[n]。電路實(shí)現(xiàn)的z域傳遞函數(shù)為H(z)=-Az-1/2。
2 甲乙類延遲單元
甲乙類開關(guān)電流延遲單元如圖2所示,由兩級(jí)甲乙類存儲(chǔ)單元串聯(lián)而成。M3、M4、M7、M8用做存儲(chǔ)管,電路工作過程如下。在φ1[n]相,第1級(jí)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)管M3、M4對輸入電流取樣;在φ2[n+1/2]相,開關(guān)φ1斷開,M3、M4將取樣相電流輸出到第2級(jí)存儲(chǔ)單元,由存儲(chǔ)管M7、M8輸出電流。電路實(shí)現(xiàn)的傳遞函數(shù)為H(z)=Az-1。
3 雙線性積分器
圖3(a)所示為采用圖2所示延遲單元設(shè)計(jì)的雙線性積分器,電路采用兩相控制時(shí)鐘。雙線性積分器的工作時(shí)序波形如圖3(b)所示。電路的工作原理如下。M1~M6構(gòu)成電流增益為A的輸入級(jí),輸入電流在φ1相的取樣值由M3、M4的公共端輸出,在φ2相的取樣值由M5、M6的公共端輸出。M 11~M 16構(gòu)成電流增益為1的反饋級(jí),輸出電流由M 15、M 16的公共端反饋到M7、M8的公共端。
在φ1[n]相,輸出電流為:
在φ2[n+1/2]相,輸出電流為:
由式(1)和式(2)可以發(fā)現(xiàn)兩者具有相同的z域傳遞函數(shù)表達(dá)式:
當(dāng)時(shí)鐘頻率足夠高時(shí),φ1[n]相和φ2[n+1/2]相的輸出信號(hào)近似相等,因此時(shí)鐘φ1[n]相和φ2[n+1/2]相都可以用于信號(hào)輸出,從而實(shí)現(xiàn)了雙頻采樣輸出。
4 仿真結(jié)果分析
采用HSPICE分別對設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V;輸入電流iin=40μA,信號(hào)頻率fin=100 kHz,采樣頻率fs=1 MHz;開關(guān)管的寬長比W/L=0.4μn/0.4μm。所有PMOS存儲(chǔ)管的W/L=28μm/4μm,所有NMOS存儲(chǔ)管的W/L=12μm/8μm。
甲乙類存儲(chǔ)單元的仿真結(jié)果如圖4所示,由圖4(b)測得的-3 dB頻率為12.9 MHz,即電路的最大采樣信號(hào)頻率為12.9 MHz。
延遲單元和雙線性積分器的仿真結(jié)果如圖5和圖6所示。
從圖4~6可以看出,輸出達(dá)到了預(yù)期功能。仿真波形中沒有出現(xiàn)瞬態(tài)虛假信號(hào),所有信號(hào)波形相當(dāng)理想。
5 結(jié)束語
本文設(shè)計(jì)了一種低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲(chǔ)單元,電源電壓±1 V,其最大采樣信號(hào)頻率12.9 MHz,并且具有結(jié)構(gòu)簡單、容易設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。HSPICE電路仿真結(jié)果表明,所設(shè)計(jì)的電路有良好的工作性能,所有波形都很理想。本文設(shè)計(jì)的雙線性積分器可用于開關(guān)電流濾波器和開關(guān)電流調(diào)制器的設(shè)計(jì)中,在實(shí)際應(yīng)用中還可以通過采用共源-共柵電路結(jié)構(gòu)以及S2I等技術(shù)來進(jìn)一步提升電路性能。
存儲(chǔ)單位:在存儲(chǔ)器中有大量的存儲(chǔ)元,把它們按相同的位劃分為組,組內(nèi)所有的存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?,這樣的一組存儲(chǔ)元稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。一個(gè)存儲(chǔ)單元通??梢源娣乓粋€(gè)字節(jié);存儲(chǔ)單元是CPU訪問存儲(chǔ)器的基本單位。
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