隨著7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的普及,負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI/PBTI)和熱載流子注入(HCI)效應(yīng)已成為影響芯片長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵因素。本文提出一種基于物理機(jī)理的老化感知時(shí)序收斂方法,通過(guò)建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型,結(jié)合靜態(tài)時(shí)序分析(STA)與動(dòng)態(tài)老化追蹤技術(shù),實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)階段到簽核階段的全流程老化防護(hù)。實(shí)驗(yàn)表明,該方法可使芯片在10年壽命周期內(nèi)的時(shí)序違規(guī)率降低92%,同時(shí)保持小于5%的面積開銷。
隨著先進(jìn)制程下芯片規(guī)模突破百億門級(jí),傳統(tǒng)時(shí)序分析工具在路徑提取階段面臨計(jì)算復(fù)雜度指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的問(wèn)題。本文針對(duì)開源時(shí)序分析工具OpenTimer提出一種基于拓?fù)浼糁εc動(dòng)態(tài)規(guī)劃的O(n)復(fù)雜度路徑提取算法,通過(guò)消除冗余計(jì)算、優(yōu)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及并行化處理,使大規(guī)模電路的時(shí)序路徑提取效率提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。實(shí)驗(yàn)表明,在3nm工藝28億晶體管GPU設(shè)計(jì)中,該算法將關(guān)鍵路徑分析時(shí)間從12小時(shí)縮短至42分鐘,內(nèi)存占用降低65%,為開源EDA工具的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐。
在電子電路設(shè)計(jì)與實(shí)踐中,穩(wěn)壓芯片是維持穩(wěn)定輸出電壓的關(guān)鍵組件。然而,當(dāng)我們將兩個(gè)輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳連接在一起時(shí),會(huì)引發(fā)一系列復(fù)雜的物理現(xiàn)象和潛在風(fēng)險(xiǎn)。這一操作不僅違反了常規(guī)的電路設(shè)計(jì)原則,還可能對(duì)電路系統(tǒng)造成不可逆的損害。接下來(lái),我們將從電路原理、實(shí)際影響等多個(gè)角度深入探討這一問(wèn)題。
動(dòng)力總成,英文名稱Powertrain,或者Powerplant,指的是車輛上產(chǎn)生動(dòng)力,并將動(dòng)力傳遞到路面的一系列零部件組件。
三極管的放大作用原理是基于PNP型晶體管的工作原理。在電路中,三極管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間加上一個(gè)外部電壓,使其處于放大狀態(tài)。當(dāng)發(fā)射區(qū)的電壓變化時(shí),導(dǎo)致發(fā)射區(qū)電流的變化,從而控制集電區(qū)電流的變化。這就實(shí)現(xiàn)了電路信號(hào)的放大。
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,地彈噪聲(Ground Bounce)引發(fā)的邏輯誤觸發(fā)、信號(hào)完整性劣化及電磁輻射問(wèn)題已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心瓶頸。某DC-DC轉(zhuǎn)換器在12V轉(zhuǎn)3.3V電路中,因布局不合理導(dǎo)致1%產(chǎn)品無(wú)法啟動(dòng),經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)地彈噪聲使COMP引腳電壓跌破-0.5V閾值,觸發(fā)芯片保護(hù)模式。本文提出基于分割地層與磁珠選型的量化評(píng)估準(zhǔn)則,結(jié)合物理公式與仿真驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)地彈噪聲抑制30dB以上的效果。
電容補(bǔ)償,顧名思義,是指利用電容器的補(bǔ)償作用來(lái)提升電力系統(tǒng)的功率因數(shù)。其原理在于,當(dāng)負(fù)載增加導(dǎo)致電源輸出電壓下降時(shí),電容器能發(fā)揮其獨(dú)特的儲(chǔ)能特性,通過(guò)維持其兩端的電壓穩(wěn)定,從而延緩電壓下降的趨勢(shì)。這種并聯(lián)連接的補(bǔ)償方式,就構(gòu)成了電容補(bǔ)嘗的基本原理。
繼電器是一種自控制器件,能夠在輸入量達(dá)到特定閾值時(shí),引發(fā)輸出量的躍變,主要作用是電路的切換與控制。 繼電器,這一自動(dòng)控制器件,在輸入量(如電、磁、聲、光、熱等)達(dá)到特定閾值時(shí),能引發(fā)輸出量的躍變。其核心作用在于實(shí)現(xiàn)電路的切換與控制。
電力電子效率?是指電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過(guò)程中的效率,通常定義為輸出功率與輸入功率的比值。
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航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉O(shè)備的可靠性要求極高,尤其是在復(fù)雜的太空環(huán)境中,PCB(印制電路板)面臨著輻射、極端溫度、濕度等多種惡劣因素的挑戰(zhàn)。輻射是其中最為關(guān)鍵的影響因素之一,它可能導(dǎo)致PCB上的電子元件性能下降甚至失效,嚴(yán)重影響航天器的正常運(yùn)行。抗輻照設(shè)計(jì)成為航空航天PCB設(shè)計(jì)的核心任務(wù),其中三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局是兩個(gè)至關(guān)重要的方面。
隨著電子設(shè)備向小型化、輕量化和高性能化方向發(fā)展,對(duì)印制電路板(PCB)的集成度和性能要求日益提高。超薄芯板(芯板厚度≤50μm)因其能夠顯著減小PCB的厚度、提高布線密度和信號(hào)傳輸速度,成為高端電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。然而,超薄芯板的量產(chǎn)工藝面臨諸多挑戰(zhàn),其中機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制和無(wú)膠填孔技術(shù)是亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。