臺積電10日將召開例行董事會,外傳董事會很可能會將入股臺灣太陽能電池業(yè)者列入議程,并討論收購LED業(yè)者的可能性,其中新日光、Lumileds已遭外界點名,這也很可能是臺積電日前突然調(diào)高2009年資本支出至23億美元的主因
8月6日消息,臺積電今日表示,美國半導(dǎo)體廠商IDT決定將位于奧瑞岡州半導(dǎo)體廠的制程及產(chǎn)品制造業(yè)務(wù)移轉(zhuǎn)給臺積電,并在移轉(zhuǎn)完成之后關(guān)閉這座晶圓廠,并已聘請第三人在市場上尋求潛在接手者。 臺積電在一份聲明中稱,I
針對先進納米Cu互連技術(shù)的要求,比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實驗結(jié)果表明,在相同電流密度條件下,脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低,表面粗糙度較小,表面晶粒尺寸和晶粒密度較大,而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中,脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。
介紹一種將PIC16C711片內(nèi)8位A/D提高到11位的方法。此方法電路簡單,速度快,可提高單片機應(yīng)用系統(tǒng)的性能價格比,具有一定的推廣價值。
黑莓的廠商RIM日前為一種融合了電阻/電容式技術(shù)的混合式觸摸屏設(shè)計申請了新專利。使用這種新技術(shù),觸摸屏不僅可以保持多點觸摸的精度,還可以迅速對手指動作做出反應(yīng)。電容式觸摸屏的缺點主要是價格高昂,因此一般只
打擊盜版是如今信息業(yè)界的中心話題之一,盜版在中國的情況也相當(dāng)嚴重,當(dāng)前中國軟件盜版主要反映在非法制作、銷售盜版軟件光盤,計算機硬件服務(wù)商非法預(yù)裝軟件,企業(yè)用戶擅自安裝未經(jīng)授權(quán)的軟件等方面,為了打擊猖獗
納米壓印光刻設(shè)備供應(yīng)商Obducat AB稱公司收到來自分銷商的訂單,將向Toshiba發(fā)貨一臺設(shè)備。Toshiba將使用Obducat的納米壓印光刻系統(tǒng)來進行先進的技術(shù)研發(fā),包括光電子等。相關(guān)鏈接:http://www.eetimes.com/news/sem
大陸晶圓廠華虹NEC與上海宏力半導(dǎo)體整合案原本傳出9月可望有明顯進展,然在此關(guān)鍵時刻,大陸半導(dǎo)體業(yè)界卻傳出因金融海嘯過后,大陸整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并未完全復(fù)原,使得華虹NEC與宏力攜手興建12寸廠計畫恐再遭擱置,將暫
引言溫度、濕度是工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的主要環(huán)境參數(shù).對其進行適時準(zhǔn)確的測量具有重要意義。利用單片機對溫、濕度控制。具有控溫、濕精度高、功能強、體積小、價格低,簡單靈活等優(yōu)點,很好的滿足了工藝要求。本文介紹了利用
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">奧地利EV Group(EVG)開發(fā)出了在采用TSV(硅通孔)的3維層疊上低成本實現(xiàn)芯片與晶圓鍵合的技術(shù)。該方法能夠大幅縮
引 言 LNA用于接收機前端電路,主要用來放大從天線接收到的微弱信號,降低噪聲干擾,其噪聲指標(biāo)直接影響接收機的靈敏度,而靈敏度是通信接收機的關(guān)鍵指標(biāo)之一,所以LNA電路設(shè)計的優(yōu)略對于接收機性能至關(guān)重要,且
市場調(diào)研公司VLSIResearch指出,6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個月來首次超過1。 VLSIResearch的數(shù)據(jù)顯示,6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01,是去年7月來首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達25億美元,較5月增長40%
據(jù)市場調(diào)研公司IC Insights,第二季度芯片銷售反彈,導(dǎo)致整體IC廠商排名出現(xiàn)重大變化。 據(jù)IC Insights,按第二季度銷售額,IC銷售額排名上升的廠商包括海力士半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科與臺積電。排名下降的廠商包括AMD、飛思卡
研究了Liq:Bphen混合層的電子傳輸特性。采用該混合層作為共基質(zhì)電子傳輸層制備了結(jié)構(gòu)為[ITO/m—MTDATA/NPB/Alq3/Liq(33%):Bplaen/LiF/A1]的有機發(fā)光器件,基于共基質(zhì)電子傳輸層的器件驅(qū)動電壓比傳統(tǒng)器件降低了13%而效率卻提高了21%。研究表明通過優(yōu)化混合層的摻雜濃度,可以顯著提高電子傳輸層的導(dǎo)電率,降低驅(qū)動電壓,從而提高器件的效率。
對In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極管(APD)探測器進行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ),結(jié)合器件特性設(shè)計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC),電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成,并對讀出電路的時序、積分電容等進行了設(shè)計。電路采用0.6 μm CMOS工藝流片,芯片面積為2 mm×2 mm,電荷存儲能力為5×107個,功耗小,噪聲低,設(shè)計達到預(yù)期要求。