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  • 且戰(zhàn)且退：AMD公布Fusion第三版設(shè)計(jì)構(gòu)想LIano

    早在AMD并購(gòu)ATI的時(shí)代，AMD就已經(jīng)開(kāi)始談?wù)揅PU+GPU的整合型產(chǎn)品的有關(guān)計(jì)劃，這款產(chǎn)品就是后來(lái)被稱(chēng)為Fusion的系統(tǒng)，不過(guò)，AMD提出 Fusion的計(jì)劃后卻遲遲未能推出有關(guān)的產(chǎn)品，而此前推出的兩個(gè)版本Fusion均胎死腹中（原

    模擬
    2009-09-17
    AMD FUSION AN GPU

  • 華中首家12英寸芯片廠“武漢新芯”年底產(chǎn)量將突破4500片

    華中地區(qū)第一家12英寸芯片廠“武漢新芯”發(fā)展迅猛，到今年年底，芯片產(chǎn)量將突破4500片。這是15日記者從武漢新芯集成電路制造有限公司召開(kāi)的“2009年技術(shù)研討會(huì)”上了解到的。 “武漢新芯”芯片項(xiàng)目是新中國(guó)成立以來(lái)

  • 聯(lián)電完成集成電路晶圓產(chǎn)品碳足跡查證

    晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（16）日宣布，完成全球第一片集成電路晶圓「產(chǎn)品碳足跡」（Carbon Footprint Verification）查證。 　聯(lián)電系遵循國(guó)際碳足跡標(biāo)準(zhǔn)「PAS2050」，進(jìn)行Fab8A廠8吋晶圓產(chǎn)品碳足跡盤(pán)查，經(jīng)由

  • 武漢積極醞釀集成電路產(chǎn)業(yè)孵化基地

    武漢東湖高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)以他最熱烈的方式迎接了第十四屆國(guó)際集成電路研討會(huì)既展覽會(huì)（IIC）秋季展的第一站——武漢站。這種熱情是武漢市政府與武漢市人民對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的一種由衷向往與愛(ài)戴所致，武漢市副市長(zhǎng)岳勇帶

  • 中芯國(guó)際65nm邏輯今年Q3\\Q4量產(chǎn) 45nm計(jì)劃明年Q2/Q3實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

    9月15日，由中芯國(guó)際與武漢新芯共同舉辦的“2009年技術(shù)研討會(huì)”首次在武漢舉行，此次研討會(huì)上中芯國(guó)際披露了其最新技術(shù)路線圖，并介紹了武漢新芯的最新進(jìn)展和未來(lái)規(guī)劃。 據(jù)中芯國(guó)際市場(chǎng)行銷(xiāo)副總李偉博士介紹，中芯國(guó)

  • Spansion陷入困境 Numonyx重登NOR閃存廠商排名榜首

    iSuppli指出，Numonyx趁對(duì)手Spansion遇到麻煩之際，在第二季度重回NOR閃存廠商排名榜首。 Numonyx第二季度NOR閃存收入攀升至3.8億美元，較第一季度增長(zhǎng)5000萬(wàn)美元。Numonyx第二季度在NOR閃存中的市場(chǎng)份額達(dá)到34.6%。

  • 海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

    韓國(guó)半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營(yíng)業(yè)利益，破除2007年第3季以來(lái)連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場(chǎng)繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預(yù)

  • CAN總線PC適配卡設(shè)計(jì)

    本文首先介紹PC I總線控制器PCI9052與CAN總線通信控制器SJA1000的工作原理，并且介紹了PCI總線和CAN總線通信控制器接口的硬件和軟件實(shí)現(xiàn)方法。

  • 高性能 IHLP電感器(Vishay)

    Vishay 宣布推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器

  • 基于SPI的MAX7221與MCU連接

    MAX7221是一款可級(jí)聯(lián)的串行輸入／輸出的顯示驅(qū)動(dòng)器，單片最多可驅(qū)動(dòng)多達(dá)8個(gè)數(shù)碼管，在儀器儀表設(shè)計(jì)中廣泛應(yīng)用。它與MCU的連接通常使用I／O直接模擬時(shí)序法或者UART串行通信法，這兩種方法存在程序復(fù)雜，速度慢和易出錯(cuò)等不足。闡述了MAX7221與MCU進(jìn)行連接的另一種方法——SPI連接法，給出電路圖及關(guān)鍵子程序。實(shí)驗(yàn)證明，相比于其他方法，此法更加簡(jiǎn)便易行，且通信速率更高。

    模擬
    2009-09-17
    MCU SPI BSP MAX7221

  • 差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法

    敘述模擬集成電路設(shè)計(jì)中關(guān)于MOS管不匹配特性的一些基本概念，以及隨著加工尺寸的不斷減小，MOS管所引起的一系列短溝道效應(yīng)，進(jìn)而描述整個(gè)MOS管模型的發(fā)展歷史，以此說(shuō)明一個(gè)精確模型對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)的重要意義。然后進(jìn)一步闡述因MOS管失配而引起電路性能變差，尤其是對(duì)整個(gè)D／A轉(zhuǎn)換器性能的影響；進(jìn)而采用改進(jìn)技術(shù)，并對(duì)其進(jìn)行了進(jìn)一步驗(yàn)證。針對(duì)放大器引起的失調(diào)，介紹通過(guò)版圖設(shè)計(jì)消除失配的原理，并且運(yùn)用電路設(shè)計(jì)方法進(jìn)行消除，采用TSMC0．25μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝參數(shù)對(duì)其進(jìn)行仿真驗(yàn)證。針對(duì)D／A的電流源失配引起的電路性能變差，采用了電流源自校準(zhǔn)技術(shù)，并對(duì)這種方法進(jìn)行了仿真驗(yàn)證，取得了不錯(cuò)的成果。

  • 用于衛(wèi)星通信設(shè)計(jì)的寬帶通道模擬器

    如今，現(xiàn)代衛(wèi)星通信系統(tǒng)面臨了諸多挑戰(zhàn)。主要是： 1．通信帶寬增大，容量增加 　　 在衛(wèi)星通信中，數(shù)據(jù)傳輸速率是性能的重要指標(biāo)。近期的研究發(fā)現(xiàn)衛(wèi)星的平均功耗增加了350%，設(shè)計(jì)壽命從10年增加到近

  • 電子元器件行業(yè)延續(xù)回暖趨勢(shì)

    盡管同比數(shù)據(jù)仍不盡如人意，但電子元器件行業(yè)逐步回暖的態(tài)勢(shì)基本確立。從相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)看，多數(shù)電子元器件產(chǎn)品的出口從2月份起就步入環(huán)比增長(zhǎng)軌道;二季度行業(yè)內(nèi)上市公司營(yíng)業(yè)收入和業(yè)績(jī)環(huán)比均出現(xiàn)顯著改善。分析師認(rèn)

  • 基于SG3525的DC／DC直流變換器的研究

    介紹了集成芯片SG3525的特點(diǎn)和主要功能；給出了由SG3525組成的推挽式DC—DC直流變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和結(jié)果說(shuō)明設(shè)計(jì)的可行性。

  • 節(jié)能環(huán)保技術(shù)(裝備)在電力設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用情況

    本文對(duì)我國(guó)節(jié)能環(huán)保技術(shù)(裝備)在電力設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用情況做了較詳細(xì)的介紹。從節(jié)能減排的角度出發(fā)，對(duì)發(fā)電側(cè)和輸配電設(shè)備的技術(shù)現(xiàn)狀、運(yùn)行狀況和未來(lái)幾年的發(fā)展做了分析和預(yù)測(cè)。

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