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  • 26款高速ADC產(chǎn)品(ADI)

    Analog Devices最新推出可用于高性能、低功耗通信、便攜式設(shè)備、儀器儀表和醫(yī)療保健應(yīng)用的26款A(yù)DC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)，擴充了其低功耗數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合。在16位ADC中，這個數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器組合的技術(shù)處于業(yè)界領(lǐng)先： •

  • 中芯國際被判賠償臺積電10億美元

    最新消息稱，美國當(dāng)?shù)胤ㄔ阂严掳l(fā)判決書，裁定中芯國際“間諜門”案件敗訴。雖然公司可能因此要支付10億美元的巨額賠償，但由于賠償額如此之高，或許公司會尋求與原告臺灣芯片制造業(yè)巨頭臺積電的庭外和解。

  • 臺積電40nm制程仍存良率不足問題

    據(jù)業(yè)界分析，臺積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問題。今年早些時候，臺積電曾公開承認(rèn)此問題，但后來他們宣稱已解決先前大部分良率問題。不過，根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會議的內(nèi)容，我們可以看出Nvid

  • 中芯回應(yīng)臺積電索賠：不改六年和解努力

    一場持續(xù)了六年多的官司再度攪動了當(dāng)今的半導(dǎo)體市場。臺積電發(fā)言人曾晉皓11月4日向臺灣媒體宣稱，該公司控告中芯國際侵犯專利并盜用商業(yè)機密一案于前一日勝訴。臺積電將于稍后決定向中芯國際的索賠金額。不過，有關(guān)賠

  • 全球硅晶圓出貨量持續(xù)回溫 第三季度環(huán)比增長17%

    據(jù)SEMI SMG的季度數(shù)據(jù)，2009年第三季度全球硅晶圓出貨面積較第二季度大幅增長。第三季度硅晶圓出貨面積為19.72億平方英寸，較第二季度的16.86億平方英寸增長17%，但較2008年同期仍然減少13%?！肮杈A出貨繼第一季度

    模擬
    2009-11-09
    硅晶圓 SEMI

  • 飛思卡爾半導(dǎo)體指定 ATREG 為兩家可運營晶圓廠的銷售顧問

    高力國際 (Colliers International) 旗下半導(dǎo)體部門 ATREG 宣布,其已被正式任命為飛思卡爾半導(dǎo)體 (FreeSCale Semiconductor) 的顧問，負(fù)責(zé)后者兩個可運營的 150mm 半導(dǎo)體制造工廠的出售事宜。這兩個獲得自動化資格驗

  • 飛思卡爾半導(dǎo)體指定ATREG為兩家可運營晶圓廠的銷售顧問

    style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">高力國際 (Colliers International) 旗下半導(dǎo)體部門ATREG宣布,其已被正式任命為飛思卡爾半導(dǎo)體 (Freescale Semicon

  • 零溫漂、滿擺幅運算放大器（Maxim）

    Maxim推出零溫漂、滿擺幅運算放大器MAX9617/MAX9618*。器件采用6引腳SC70 (單通道)和8引腳SC70 (雙通道)封裝，在減小方案尺寸的同時可實現(xiàn)優(yōu)異的精度和低噪聲性能。此外，MAX9617/MAX9618的功耗為業(yè)內(nèi)最低，可用于新

  • 基于CAN總線的智能饋線終端的研究

    介紹一種基于CAN總線和交流同步采樣技術(shù)的新型智能饋線終端。重點探討了該饋線終端的工作原理，系統(tǒng)構(gòu)成及軟件設(shè)計思路。

  • 紐扣電池盒的選擇

    突破性的技術(shù)往往占據(jù)頭條新聞，像紐扣電池盒這樣的元件常常被忽視，盡管它們在支撐備受關(guān)注的紐扣電池的工作中起著重要的作用。電池盒有可能會因為像震動、熱、沖擊、潮濕和腐蝕這樣的原因而失效，設(shè)計工程師在開發(fā)電源管理解決方案來處理這些現(xiàn)實問題的時候面臨著越來越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。通過重點關(guān)注以下標(biāo)準(zhǔn)，工程師們能夠以最適宜的成本來實現(xiàn)產(chǎn)品的可靠性。

  • 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

    通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達(dá)到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中，上述理論并不成立，因此在實際的應(yīng)用中會產(chǎn)生一些問題，本文將詳細(xì)地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。

  • 薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

    厚膜和薄膜技術(shù)的最近發(fā)展可以在給定的芯片尺寸上實現(xiàn)更高的額定功率。眾所周知，與厚膜電阻元件相比，薄膜電阻元件具有眾多性能優(yōu)勢，而厚膜電阻器唯一的明顯優(yōu)勢就是成本。

  • 如何選擇合適的電阻型分壓器

    目前主要有兩種實現(xiàn)電阻型分壓器的方式：通過將兩個分立的片狀電阻連接到公共端，或者通過使用分壓器封裝在內(nèi)部的電阻網(wǎng)絡(luò)進行連接。你所選擇的類型可能會對分壓器的性能有很大的影響。

  • 英飛凌與TSMC擴展技術(shù)與生產(chǎn)合作協(xié)議

    英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。根據(jù)該項協(xié)議，英飛凌與臺積

  • Cree 簽署中國惠州擴建協(xié)議

    Cree 公司已簽署在中國廣東省惠州市購買 5.5 萬平方米工廠的協(xié)議。該工廠將成為 Cree 在北美以外的第一個芯片生產(chǎn)基地，旨在用于擴大未來組件生產(chǎn)能力。Cree主席兼首席執(zhí)行官 Chuck Swoboda 在百忙中來到中國，他表示

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