0 引言 自適應(yīng)濾波器可廣泛應(yīng)用于系統(tǒng)識(shí)別、信號(hào)處理和數(shù)字通信等許多領(lǐng)域。而超大規(guī)模集成電路和FPGA的飛速發(fā)展,也促進(jìn)了自適應(yīng)濾波技術(shù)的進(jìn)步。此外,由于其對(duì)干擾頻率不敏感,且其權(quán)值調(diào)整是基于對(duì)系統(tǒng)參
0 引言 模數(shù)轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代數(shù)字通信系統(tǒng)中十分重要的單元。與模擬信號(hào)相比,數(shù)字信號(hào)具有便于存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、保真度和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。但是因?yàn)槿藗兯幍氖澜缡沁B續(xù)的模擬環(huán)境,其中所有(物理、化學(xué)、生物等)信號(hào)
WHDI LLC今天宣布WHDI™(無線家庭數(shù)字接口)規(guī)范正式起草完畢并投入使用。WHDI標(biāo)準(zhǔn)支持采用Deep Color(深色)技術(shù)的1080p/60Hz全高清顯示,有效傳輸距離為100英尺,并可透過墻壁。而其他無線標(biāo)準(zhǔn)均無法實(shí)現(xiàn)這一級(jí)
比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC、荷蘭研究機(jī)構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2009)”上宣布,聯(lián)合開發(fā)出了將振動(dòng)能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件,并獲得了最大85μW的電力。此前I
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
聯(lián)電(UMC)稍早前在2009國(guó)際電子組件會(huì)議(International Electron Device Meeting,IEDM)中,發(fā)表了其獨(dú)特的28奈米制程混合型高介電系數(shù)╱金屬閘極(HK/MG)技術(shù)。 業(yè)界現(xiàn)有兩種不同的HK/MG整合方案同時(shí)并行,分別為
FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng),推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運(yùn)用FormFactor MicroSpring微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)接觸技術(shù)的全新獨(dú)家探針卡架構(gòu),能夠協(xié)助DRAM制造商克服
外資對(duì)于臺(tái)積電(2330)參股茂迪20%,看法不一,花旗環(huán)球證券亞太半導(dǎo)體首席分析師陸行之認(rèn)為,臺(tái)積電以折價(jià)逾4成的價(jià)格,買進(jìn)茂迪,是樁劃算的交易,茂迪對(duì)臺(tái)積電獲利貢獻(xiàn)非常小。德意志證券、摩根士丹利證券等
聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺(tái)積電落差拉近在半年以內(nèi)。 臺(tái)積電
英特爾高管DouglasDavis預(yù)計(jì)到2015年全球?qū)⒂谐^150億個(gè)智能設(shè)備連入互聯(lián)網(wǎng),包括工業(yè)、醫(yī)療電子、車載信息娛樂系統(tǒng)、數(shù)字安全監(jiān)控等眾多領(lǐng)域的設(shè)備都在面向互聯(lián)需求發(fā)展?!吧暇W(wǎng)本只是‘凌動(dòng)’處理器的小試牛刀,其
按照協(xié)議,Rambus公司同意在五年中對(duì)SDR及DDR芯片標(biāo)準(zhǔn)專利費(fèi)用調(diào)整為零,并對(duì)最新一代JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)(即DDR2和DDR3)收取最高為1。5%的專利費(fèi)用。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,Rambus公司周三同歐盟委員會(huì)達(dá)成一項(xiàng)和解協(xié)議,這
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院表示,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇力高于全球。聯(lián)電今天公布,11月營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣91。56億元(臺(tái)幣,下同),年增達(dá)52%,月減1。51%;累計(jì)前11月營(yíng)收793。24億元,年減9。78%。 聯(lián)電11月營(yíng)
據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電11月份的銷售業(yè)績(jī)顯示,芯片銷售在第三季度出現(xiàn)高峰后,增速已經(jīng)放緩,這一趨勢(shì)可能會(huì)延續(xù)至明年第一季度。 聯(lián)電周二表示,11月份的銷售額為91。56元臺(tái)幣(約合2。84億美元),較去年
現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)師正面對(duì)著許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),從實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的接口到維持其系統(tǒng)與模擬系統(tǒng)接口時(shí)的信號(hào)保真度等,他們很自然地轉(zhuǎn)向使用運(yùn)算放大器來解決這些難題。因此,當(dāng)今的放大器需要滿足高難度的技術(shù)規(guī)范組合。例
Super Talent本周將公布RAIDDrive USB 3.0閃存驅(qū)動(dòng)器,與它的名字一樣,這種U盤可以并行傳輸數(shù)據(jù),因此最快讀取速度可以達(dá)到200MB/s,而使用USB 3.0接口加上UAS協(xié)議驅(qū)動(dòng)時(shí),速度可高達(dá)320MB/s。這種U盤目前有32、64和