在消費(fèi)電子與LED照明領(lǐng)域，電源設(shè)計(jì)的微型化與成本優(yōu)化已成為行業(yè)發(fā)展的核心命題。初級(jí)側(cè)控制(Primary Side Regulation, PSR)技術(shù)憑借其獨(dú)特的電路架構(gòu)，通過消除傳統(tǒng)光耦合器與TL431等元件，在小功率電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入解析PSR技術(shù)實(shí)現(xiàn)恒壓恒流(CVCC)的原理，并探討其精度優(yōu)化策略。

PSR技術(shù)的核心在于通過變壓器輔助繞組實(shí)現(xiàn)輸出電壓的間接采樣。在反激式拓?fù)渲校?dāng)主開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，變壓器初級(jí)儲(chǔ)能通過次級(jí)繞組釋放，此時(shí)輔助繞組電壓與次級(jí)輸出電壓呈線性比例關(guān)系。以典型應(yīng)用為例，在輸出電壓為5V、二極管正向壓降為0.7V的場(chǎng)景中，輔助繞組電壓可通過公式計(jì)算得出，該電壓經(jīng)控制器內(nèi)部誤差放大器與參考電壓比較后，動(dòng)態(tài)調(diào)整開關(guān)管占空比，形成閉環(huán)控制。

相較于傳統(tǒng)次級(jí)側(cè)反饋(SSR)方案，PSR架構(gòu)省去了光耦、TL431及配套阻容元件，電路板面積縮減30%以上。以UCC28722控制器為例，其采用SOT23-6封裝，集成高壓BJT驅(qū)動(dòng)與動(dòng)態(tài)保護(hù)功能，支持80kHz開關(guān)頻率，在25W USB充電器設(shè)計(jì)中可實(shí)現(xiàn)<50mW空載功耗，成本較SSR方案降低15%。

恒壓(CV)模式通過檢測(cè)輔助繞組去磁結(jié)束點(diǎn)的電壓實(shí)現(xiàn)輸出穩(wěn)壓。針對(duì)變壓器漏感引發(fā)的電壓尖峰，PSR控制器普遍采用延時(shí)采樣技術(shù)。例如，F(xiàn)SEZ1317芯片在開關(guān)管關(guān)斷4.5μs后啟動(dòng)采樣，避開漏感振鈴周期。部分方案通過并聯(lián)22-68pF電容至CS引腳，進(jìn)一步抑制高頻噪聲。

恒流(CC)模式則依托初級(jí)峰值電流與導(dǎo)通時(shí)間比的固定關(guān)系。在DCM模式下，輸出電流公式表明，當(dāng)控制器維持Td/T比值恒定(如OB系列芯片設(shè)定為0.5)，輸出電流僅與初級(jí)峰值電流相關(guān)。MP023控制器通過限制CS引腳電壓至0.8V，實(shí)現(xiàn)±3%的電流精度，滿足LED驅(qū)動(dòng)需求。

1. 變壓器容差補(bǔ)償

變壓器匝數(shù)比偏差是導(dǎo)致輸出誤差的主要因素。PSR控制器通過內(nèi)置補(bǔ)償算法動(dòng)態(tài)調(diào)整參考電壓，例如立锜科技RT7732芯片采用三段式補(bǔ)償曲線，在輸入電壓85-265VAC范圍內(nèi)，將CV精度從±5%提升至±2%。

2. 線纜壓降補(bǔ)償

針對(duì)長(zhǎng)線纜場(chǎng)景，PSR方案通過INV引腳外接電阻網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程補(bǔ)償。以65W筆記本適配器為例，在2米輸出線條件下，通過調(diào)節(jié)10kΩ電阻分壓比，可使末端電壓波動(dòng)從±8%降至±2%。TI UCC28722控制器更支持可編程電纜補(bǔ)償，通過CBC引腳外接電阻實(shí)現(xiàn)0-15%的補(bǔ)償范圍。

3. EMI優(yōu)化技術(shù)

為滿足CISPR 32標(biāo)準(zhǔn)，PSR控制器集成抖頻與驅(qū)動(dòng)柔化技術(shù)。安森美NCP1342采用±4kHz頻率抖動(dòng)，將傳導(dǎo)噪聲頻譜能量分散至更寬頻帶;英飛凌CoolSET系列通過控制MOSFET柵極電壓上升斜率，使輻射干擾降低10dBμV。

在15W LED驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，PSR方案展現(xiàn)顯著優(yōu)勢(shì)。以FSEZ1216控制器為例，其集成600V MOSFET與高壓?jiǎn)?dòng)電路，支持90-305VAC輸入，功率密度達(dá)0.3W/cm3，較SSR方案提升40%。在恒流精度方面，通過優(yōu)化CS引腳采樣電路，實(shí)現(xiàn)±2%的輸出電流穩(wěn)定性，滿足高顯色指數(shù)LED需求。

對(duì)于25W USB PD充電器，PSR技術(shù)面臨效率與熱設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。必易微KP3210B采用谷底開關(guān)技術(shù)，在90VAC輸入時(shí)峰值效率達(dá)92%，較硬開關(guān)方案提升3個(gè)百分點(diǎn)。其內(nèi)置過熱保護(hù)功能，在結(jié)溫150℃時(shí)自動(dòng)降頻，確保系統(tǒng)可靠性。

隨著第三代半導(dǎo)體器件普及，PSR技術(shù)向更高功率密度演進(jìn)。英飛凌推出的CoolGaN?方案，通過集成650V GaN HEMT與驅(qū)動(dòng)電路，在65W適配器中實(shí)現(xiàn)14W/in3的功率密度，較傳統(tǒng)Si方案提升2倍。同時(shí)，數(shù)字控制技術(shù)的引入使PSR方案具備更強(qiáng)的適應(yīng)性，如MPS MP6924通過I2C接口實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)參數(shù)配置，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。

然而，PSR技術(shù)在中大功率場(chǎng)景仍面臨挑戰(zhàn)。在100W以上電源中，變壓器寄生參數(shù)導(dǎo)致的交叉調(diào)整率惡化問題突出。通嘉科技LD7575控制器通過采用加權(quán)反饋技術(shù)，在雙路輸出場(chǎng)景中將交叉調(diào)整率從±8%優(yōu)化至±3%，為PSR技術(shù)向更高功率拓展提供可能。

PSR技術(shù)通過創(chuàng)新性的初級(jí)側(cè)反饋機(jī)制，在小功率電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了成本、體積與性能的完美平衡。隨著材料科學(xué)與控制算法的持續(xù)突破，PSR方案正從消費(fèi)電子向工業(yè)電源領(lǐng)域滲透，成為推動(dòng)電源技術(shù)革新的關(guān)鍵力量。