隨著嵌入式系統(tǒng)對靈活性的需求提升，ROM技術經(jīng)歷了從“完全只讀”到“可重復改寫”的演進，衍生出EPROM、EEPROM、Flash等分支，但其核心原理仍延續(xù)了“電荷存儲”的本質(zhì)。

可擦除可編程ROM（EPROM）通過浮柵晶體管實現(xiàn)數(shù)據(jù)的重復改寫。其存儲單元的柵極被包裹在絕緣氧化層中形成“浮柵”，編程時通過高電壓將電子注入浮柵，電子被氧化層捕獲形成負電荷，使晶體管導通閾值升高，對應數(shù)據(jù)“0”；擦除時通過紫外線照射浮柵，使電子獲得能量突破氧化層逸出，恢復初始狀態(tài)。這種特性讓EPROM可重復編程百次以上，適用于需要頻繁更新程序的嵌入式開發(fā)場景，但擦除需拆卸芯片并暴露在紫外線下，操作繁瑣。

電可擦除可編程ROM（EEPROM）進一步改進了擦寫方式，通過在浮柵與襯底之間增加隧道氧化層，實現(xiàn)電信號直接擦除。編程時向控制柵施加正電壓，電子通過隧道效應注入浮柵；擦除時施加反向電壓，電子從浮柵返回襯底。EEPROM支持字節(jié)級擦寫，無需整體擦除，且擦寫次數(shù)可達萬次以上，廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)的參數(shù)存儲，如傳感器校準數(shù)據(jù)、設備序列號等。例如，在智能儀表中，EEPROM用于保存用戶設置的閾值參數(shù)，即使斷電后仍能保留，下次上電即可恢復。

閃存（Flash Memory）作為EEPROM的衍生技術，采用塊級擦寫機制，通過優(yōu)化存儲單元結構提高了集成度和讀寫速度。其存儲單元由堆疊柵極晶體管組成，編程時通過熱電子注入存儲電荷，擦除時通過Fowler-Nordheim隧道效應釋放電荷。Flash按結構分為NOR Flash和NAND Flash：NOR Flash支持隨機讀取，地址線直接映射存儲單元，適合存儲程序代碼；NAND Flash采用串行接口，容量更大但讀取需按塊進行，多用于數(shù)據(jù)存儲。在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中，NOR Flash常作為Boot ROM存放啟動程序，NAND Flash則作為大容量存儲介質(zhì)存放操作系統(tǒng)和用戶數(shù)據(jù)，二者協(xié)同構成存儲體系。

在嵌入式系統(tǒng)中，ROM的價值不僅體現(xiàn)在“只讀”特性，更在于其與系統(tǒng)架構的深度適配。與RAM（隨機存儲器）相比，ROM無需持續(xù)供電即可保存數(shù)據(jù)，這對電池供電的嵌入式設備至關重要——例如，物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點依靠內(nèi)部ROM存儲喚醒程序，在休眠時切斷大部分電路供電，僅保留ROM數(shù)據(jù)，大幅延長續(xù)航時間。

此外，ROM的穩(wěn)定性是工業(yè)級嵌入式系統(tǒng)的核心需求。在高溫、強電磁干擾等惡劣環(huán)境中，RAM的數(shù)據(jù)容易丟失，而ROM的物理結構使其抗干擾能力更強。例如，汽車電子中的發(fā)動機控制單元（ECU），其核心控制程序存儲在抗高溫的ROM中，即使在發(fā)動機艙的高溫環(huán)境下，仍能保證程序穩(wěn)定運行，確保行車安全。

隨著嵌入式技術的發(fā)展，ROM正與其他存儲技術深度融合。例如，現(xiàn)代微控制器常集成“一次性可編程”（OTP）ROM區(qū)域，用于存儲加密密鑰或硬件校準數(shù)據(jù)，結合Flash實現(xiàn)“固定程序+可變數(shù)據(jù)”的混合存儲；部分高端芯片采用“熔絲ROM”，通過熔斷內(nèi)部金屬絲實現(xiàn)硬件級功能配置，防止程序被篡改，增強系統(tǒng)安全性。

從掩膜ROM的物理雕刻到Flash的電可擦寫，嵌入式ROM的演進史本質(zhì)上是“穩(wěn)定性”與“靈活性”的平衡史。它不僅是數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)，更是嵌入式系統(tǒng)的“基因庫”，承載著設備的核心邏輯與身份信息。理解ROM的工作原理，如同掌握了嵌入式系統(tǒng)的“啟動密碼”，能幫助我們更深入地理解設備從靜止到運行的每一個細節(jié)，也為嵌入式開發(fā)中的存儲方案設計提供了堅實的理論基礎。