混合信號(hào)PCB設(shè)計(jì)，模擬電路與數(shù)字電路的共存問(wèn)題始終是工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。模擬信號(hào)對(duì)噪聲敏感，而數(shù)字電路的高頻開關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾(EMI)，若二者布局不當(dāng)，可能導(dǎo)致信號(hào)失真、系統(tǒng)穩(wěn)定性下降甚至功能失效。通過(guò)合理的分區(qū)策略與科學(xué)的模擬地-數(shù)字地連接設(shè)計(jì)，可有效隔離干擾，提升系統(tǒng)性能。本文從分區(qū)原則、單點(diǎn)連接橋的實(shí)現(xiàn)方法及關(guān)鍵注意事項(xiàng)三個(gè)層面展開論述。

一、混合信號(hào)PCB的分區(qū)策略

分區(qū)設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)是物理隔離干擾源與敏感電路，同時(shí)確保信號(hào)完整性與電源完整性。其實(shí)現(xiàn)需遵循以下原則：

1. 功能模塊獨(dú)立布局

將PCB劃分為模擬區(qū)、數(shù)字區(qū)及混合區(qū)(如ADC/DAC芯片所在區(qū)域)。模擬區(qū)應(yīng)包含傳感器接口、放大電路、濾波電路等低噪聲模塊;數(shù)字區(qū)則集中放置MCU、FPGA、存儲(chǔ)器等高速器件;混合區(qū)需兼顧模擬與數(shù)字信號(hào)處理，通常位于二者交界處。例如，在醫(yī)療心電圖(ECG)采集系統(tǒng)中，模擬區(qū)放置生物電信號(hào)放大電路，數(shù)字區(qū)部署主控芯片，混合區(qū)為ADC芯片及其周邊電路。

2. 電源分區(qū)供應(yīng)

模擬電路與數(shù)字電路對(duì)電源噪聲的容忍度差異顯著。模擬電路要求電源紋波<1mV，而數(shù)字電路可接受數(shù)十毫伏的紋波。因此，需為二者設(shè)計(jì)獨(dú)立電源路徑：模擬電源(AVDD)通過(guò)低噪聲LDO線性穩(wěn)壓器供電，數(shù)字電源(DVDD)采用開關(guān)穩(wěn)壓器(DC-DC)以提高效率。例如，在音頻處理系統(tǒng)中，AVDD采用TPS7A4700(噪聲密度僅4μVrms)，DVDD選用TPS5430(效率達(dá)95%)，二者通過(guò)磁珠隔離，避免數(shù)字噪聲通過(guò)電源耦合至模擬電路。

3. 信號(hào)路徑優(yōu)化

模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的走線需嚴(yán)格分離，避免交叉。對(duì)于必須交叉的場(chǎng)景，應(yīng)采用垂直交叉或加地線隔離的方式。例如，在高速數(shù)據(jù)采集卡中，模擬信號(hào)(如傳感器輸出)沿PCB頂層橫向走線，數(shù)字信號(hào)(如SPI總線)沿底層縱向走線，二者通過(guò)過(guò)孔連接至混合區(qū)的ADC芯片，交叉點(diǎn)下方鋪設(shè)地平面以屏蔽干擾。

二、模擬地與數(shù)字地的單點(diǎn)連接橋設(shè)計(jì)

地平面分割是混合信號(hào)PCB的常見做法，但分割后的模擬地(AGND)與數(shù)字地(DGND)需通過(guò)單點(diǎn)連接橋?qū)崿F(xiàn)低阻抗通路，防止地環(huán)路形成。設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下：

1. 連接橋位置選擇

單點(diǎn)連接橋應(yīng)位于混合區(qū)下方，靠近ADC/DAC芯片的接地引腳。例如，在16位ADC(如ADS1115)的應(yīng)用中，連接橋需放置在芯片正下方，使AGND與DGND的電位差最小化。若連接橋位置偏離，可能導(dǎo)致模擬信號(hào)參考地波動(dòng)，引入量化誤差。

2. 連接橋?qū)崿F(xiàn)方式

0Ω電阻連接：在連接橋位置焊接0Ω電阻，既實(shí)現(xiàn)物理連接，又便于調(diào)試時(shí)斷開以測(cè)試地隔離效果。例如，在工業(yè)控制系統(tǒng)中，0Ω電阻選用0603封裝，阻值≤50mΩ，確保高頻信號(hào)下仍保持低阻抗。

磁珠連接：對(duì)于高頻干擾嚴(yán)重的場(chǎng)景，可采用磁珠替代0Ω電阻。磁珠在低頻時(shí)呈低阻抗(<1Ω)，高頻時(shí)呈高阻抗(>100Ω)，可有效抑制數(shù)字噪聲向模擬地傳播。例如，在5G通信模塊中，選用村田BLM18PG121SN1D磁珠(阻抗120Ω@100MHz)，實(shí)現(xiàn)高頻隔離。

電容連接：在連接橋并聯(lián)小容量電容(如10nF/100nF)，為高頻噪聲提供低阻抗回路。電容需選用X7R或C0G介質(zhì)，確保溫度穩(wěn)定性。例如，在音頻放大器中，并聯(lián)0402封裝的10nF C0G電容，可抑制1MHz以上的數(shù)字諧波干擾。

3. 多芯片系統(tǒng)的擴(kuò)展設(shè)計(jì)

當(dāng)PCB包含多個(gè)ADC/DAC芯片時(shí)，需采用星形接地結(jié)構(gòu)。以主ADC芯片的接地引腳為中心，通過(guò)單點(diǎn)連接橋輻射至其他芯片的AGND。例如，在多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，主ADC(如ADS1256)的AGND通過(guò)0Ω電阻連接至DGND，其他從ADC的AGND通過(guò)獨(dú)立走線連接至主AGND，避免形成多地環(huán)路。

三、關(guān)鍵注意事項(xiàng)與優(yōu)化技巧

1. 地平面完整性維護(hù)

即使采用地分割設(shè)計(jì)，模擬區(qū)與數(shù)字區(qū)下方仍需保留完整地平面，僅在連接橋處斷開。地平面缺失會(huì)導(dǎo)致信號(hào)回流路徑變長(zhǎng)，增加輻射發(fā)射。例如，在四層PCB中，第二層為完整地平面，第三層為電源平面，頂層與底層用于信號(hào)走線，確保模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的回流路徑最短。

2. 濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì)

在模擬信號(hào)輸入端與數(shù)字信號(hào)輸出端分別添加濾波電路，進(jìn)一步抑制噪聲。模擬端采用RC低通濾波器(如10kΩ+10nF)，截止頻率設(shè)為信號(hào)帶寬的1/10;數(shù)字端添加π型濾波器(如L+C+L結(jié)構(gòu))，抑制開關(guān)噪聲。例如，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，模擬端濾波器截止頻率為1kHz，數(shù)字端濾波器抑制10MHz以上的諧波。

3. 仿真驗(yàn)證與調(diào)試

設(shè)計(jì)階段需通過(guò)SI/PI仿真工具(如HyperLynx、ADS)驗(yàn)證地分割與連接橋的效果。仿真重點(diǎn)包括地電位差、信號(hào)完整性及電源完整性。例如，在高速ADC應(yīng)用中，仿真顯示連接橋位置偏移會(huì)導(dǎo)致SNR下降3dB，需調(diào)整至芯片正下方。實(shí)板調(diào)試時(shí)，可通過(guò)示波器觀察AGND與DGND的電壓差(應(yīng)<1mV)，若超標(biāo)則需優(yōu)化連接橋參數(shù)。

結(jié)語(yǔ)

混合信號(hào)PCB的分區(qū)策略與模擬地-數(shù)字地單點(diǎn)連接橋設(shè)計(jì)是抑制EMI的關(guān)鍵手段。通過(guò)功能模塊獨(dú)立布局、電源分區(qū)供應(yīng)及信號(hào)路徑優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)物理隔離;通過(guò)科學(xué)設(shè)計(jì)連接橋位置、選擇合適器件(0Ω電阻、磁珠、電容)及采用星形接地結(jié)構(gòu)，可確保地回路低阻抗。結(jié)合仿真驗(yàn)證與實(shí)板調(diào)試，可進(jìn)一步提升系統(tǒng)抗干擾能力，滿足高精度、高可靠性應(yīng)用需求。隨著集成電路向高速、低功耗方向發(fā)展，混合信號(hào)PCB設(shè)計(jì)需持續(xù)創(chuàng)新，以應(yīng)對(duì)更復(fù)雜的電磁環(huán)境挑戰(zhàn)。